【課題】少ない工程数で生産性良く、アルミ酸化膜を誘電膜とする容量の大きいキャパシタを製造する。
【解決手段】キャパシタ１の製造方法は、Ａｌを含む第１電極３０を形成する工程と、第１電極３０を覆う層間絶縁膜４０を形成する工程と、層間絶縁膜４０において第１電極３０上の少なくとも一部に開口部４１を形成して、第１電極３０の表面の少なくとも一部を露出させる工程と、開口部４１内の第１電極３０の露出部３０Ａをアノードとして陽極酸化を実施して、酸化膜３１を形成する工程と、開口部４１内にプラグ６０を形成する工程と、プラグ６０上に第２電極７１を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板上の陽極酸化可能な層、例えば犠牲層上に存在するアルミニウム層であって、該犠牲層は、マイクロ電気機械システム又はナノ電気機械システム（ＭＥＭＳ／ＮＥＭＳ）を備えたキャビティから除去する必要があるような層のマスク陽極酸化の方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ層の陽極酸化は、細長い孔の形成につながり、該孔を通じて犠牲層を除去可能である。本発明の方法に従って、Ａｌ層の陽極酸化は、陽極酸化される領域２１を規定する第１マスク２０、及び陽極酸化される第２領域を規定する第２マスク２２であって、前記第２領域は第１領域を包囲するようなマスクの補助がある状態で行う。第１マスク及び第２マスクが規定する領域の陽極酸化は、第１領域周囲の閉環形態における陽極酸化構造の形成につながり、第１領域内では不要な横方向陽極酸化に対するバリアを形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＡｌＧａＮ層上に容易に絶縁膜を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】 ＡｌＧａＮ層と、ＡｌＧａＮ層の表面に形成されたＡｌＧａＮ酸化膜とを備えている半導体装置の製造方法であって、アルカリ溶液４８中にＡｌＧａＮ層を有する基板４０と陰極４４とを浸した状態で、ＡｌＧａＮ層と陰極４４との間にＡｌＧａＮ層がプラスとなる電圧を印加するとともに、ＡｌＧａＮ層に紫外線を照射する酸化ステップを有している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜の形成を湿式法だけで行い得る金属酸化物半導体薄膜の製造方法、３端子型電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体薄膜の製造方法においては、金属酸化物半導体薄膜を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる。また、（Ａ）少なくとも、第１電極及び第２電極、並びに、（Ｂ）第１電極と第２電極１６の間に設けられ、金属酸化物半導体から成る能動層２０を備えた電子デバイスの製造方法は、能動層２０を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】高効率に酸化膜の表面を平滑化し、高品質な酸化膜を提供する。
【解決手段】たとえばアルミニウムの薄膜５が形成された半導体基板３を陽極とし、白金などからなる電極を陰極７として電解設備１０の容器１を満たす電解液９中で陽極酸化処理を行ない、薄膜５を酸化する。酸化が完了した後も引き続き陽極酸化処理を続行することにより、酸化された薄膜５に多数形成された多孔質組織を緻密化し、薄膜５の最上面を平滑化する。 （もっと読む）

【課題】稀少元素や有害元素を含有しないノンポーラ型の不揮発性メモリー素子を提供する。
【解決手段】単一電極による酸化膜への電圧の変化によって抵抗値が変わる特性を利用したノンポーラ型の不揮発性メモリー素子であって、その酸化膜がアルミの酸化膜である。さらに、その酸化膜を陽極酸化膜とするのがより好ましい。バルクのアルミニウム板またはスパッタリングや蒸着により作成したアルミニウム薄膜をシュウ酸または硫酸溶液にて陽極酸化したものは、ノンポーラ型として特に良好な特性を発揮する。 （もっと読む）

【課題】弁金属を含む金属の陽極酸化処理と、形成した膜の表面を疎水性にする処理とを同時に行う方法とその方法を用いた電界効果トランジスタの製造方法の提供。
【解決手段】電解液中に、ホスホン酸基と有機基を有するカップリング剤が含まれていることを特徴としており、好ましくは、カップリング剤が；Ｒ（ＯＨ）２ＰＯで表される。（式中、Ｒは、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルキル基、アリール基、フェニル基、エーテル基、チオフェン誘導体、ピロール誘導体、アニリン誘導体、ビニル基を有する誘導体、エポキシ基を有する誘導体、スチリル基を有する誘導体、メタクリロキシ基を有する誘導体、アクリロキシ基を有する誘導体、アミノ基を有する誘導体、ウレイド基を有する誘導体、クロロプロピル基を有する誘導体、メルカプト基を有する誘導体、スルフィド基を有する誘導体、イソシアネート基を有する誘導体） （もっと読む）

半導体薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造体の誘電体層内のプラズマ水素化領域は、ＴＦＴの安定性を向上させる。ＴＦＴは、電極と、電極上に配置された誘電体層と、誘電体上の金属酸化物半導体とを含む多層構造体である。半導体の蒸着前に誘電体層を水素含有プラズマに曝露すると、半導体と誘電体との境界面でプラズマ水素化領域が生成される。プラズマ水素化領域は、半導体と誘電体との境界面から誘電体層及び半導体層の一方又は両方のバルクにかけて濃度が低下するように水素を組み込んでいる。
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本発明は、半導体基板（１）上に酸化層（９）を形成する方法を提供する。この方法は、例えば３次元構造を含む、少なくとも１つの孔（５）を含むような半導体基板（１）を得る工程と、酸性の電解質溶液中で基板を陽極酸化することにより、例えば３次元構造を含む半導体基板（１）上に酸化層（９）を形成する工程と、を含む。
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【課題】 ｎ型の化合物半導体と金属膜が積層されている積層体において、化合物半導体と金属膜の間に流れるリーク電流を低下させる方法を提供する。
【解決方法】 ｎ型の化合物半導体基板６に金属膜２を積層した後に、化合物半導体基板６に正電圧を印加して金属膜２を陽極酸化する。この際に、化合物半導体基板６と金属膜２の間にリーク電流３０が流れる。リーク電流３０は結晶欠陥３２に集中し、結晶欠陥３２の存在箇所に対応する金属膜２の表面２ａに厚い酸化物３４が形成される。酸化物３４が形成されることによって、リーク電流３０が結晶欠陥３２に沿って流れにくくなり、化合物半導体基板６と金属膜２の間に流れるリーク電流３０を低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】データ読み書きの繰り返しによるＶｔｈの変動を抑制する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１の層間絶縁膜１中に形成された下層配線２を備え、第１の層間絶縁膜１と下層配線２の上に形成された絶縁膜３を備え、絶縁膜３の上に形成された第２の層間絶縁膜４を備え、第２の層間絶縁膜４の上に形成され下層配線２にビアホール６を介して接続されたＡｌ製の上層配線５を備え、上層配線５の上面および側面に形成されたアルミナ膜８を備え、上層配線５の上に形成された第３の層間絶縁膜９を備えたものである。 （もっと読む）

ゲート構造体を形成するプロセスが記述される。ウェブは、基材、その基材上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに導電性陽極酸化バスを含む。このウェブは陽極酸化ステーションを通って動かされ、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造体を形成する。半導体、ソース電極及びドレイン電極を供給する電子デバイスを形成するプロセスが更に提供される。
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【課題】機械的ダメージおよび熱的ダメージを与えることなく所望の形状に容易に加工を行うことができる、被加工物の加工方法を提供する。
【解決手段】シリコン、炭化ケイ素、およびIII〜Ｖ族の元素を含む半導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料からなる試料１を被加工物とし、該試料１を、酸化剤と、フッ化水素またはフッ化物イオンとを含む水溶液からなる処理液８中に浸漬し、該処理液８中で、上記材料の酸化反応における触媒からなる層を少なくとも表面に備えたワイヤ２と接触させることにより、上記試料１における上記ワイヤ２との接触部分を酸化して上記処理液８に溶解させるとともに、該試料１の溶解に伴って上記ワイヤ２を重力により移動させることで、上記試料１を切断または上記試料１に切れ込みを形成する。 （もっと読む）

【課題】機械的ダメージおよび熱的ダメージを与えることなく所望の形状に容易に加工を行うことができる、被加工物の加工方法を提供する。
【解決手段】シリコン、炭化ケイ素、およびIII〜Ｖ族の元素を含む半導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料からなる試料１を被加工物とし、該試料１を、フッ化水素またはフッ化物イオンを含む水溶液からなる処理液８中に浸漬し、該処理液８中で、上記材料の酸化反応における触媒からなる層を少なくとも表面に備えたワイヤ２と接触させ、かつ、該ワイヤ２を陽極として上記試料１との接触部で電気化学反応を起こさせることにより、上記試料１における上記ワイヤ２との接触部分を酸化して上記処理液８に溶解させるとともに、該試料１の溶解に伴って上記ワイヤ２を重力により移動させることで、上記試料１を切断または上記試料１に切れ込みを形成する。 （もっと読む）

【課題】欠損のない高解像パターンを迅速に形成することが可能なインプリント装置を提供する。
【解決手段】モールドを用いて基板にパターンを形成するインプリント装置において、前記基板と前記モールドとを近接または接触させる手段と、前記モールド近傍、前記基板近傍または前記基板と前記モールドの間の雰囲気のうち、少なくとも一つの露点を決定する手段と、前記基板または前記モールドの温度を、前記露点に基づいて算出した第１の温度に調整する手段と、前記基板と前記モールドとの間に電圧を印加する手段と、を備えるインプリント装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】デバイスの動作に影響を与えることなく、絶縁体薄膜における電流リークを効果的に防止する。
【解決手段】絶縁体薄膜を用いたデバイス作製において、金属膜上に前記絶縁体薄膜を形成し、前記絶縁体薄膜上に上層膜を形成する前に、前記金属膜を陽極として、前記絶縁体薄膜に対向する対向電極を陰極として電圧を印加し、陽極酸化反応により前記絶縁体薄膜に存在する欠陥中の導電性材料を選択的に絶縁物化する。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルム上に所望の有機ＴＦＴ素子が何ら不具合が発生することなく形成されると共に、信頼性の高い高性能な有機ＴＦＴ素子を有するフレキシブルＴＦＴ基板を提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム２０の上に、接着層４６と、下側絶縁層４４と、有機活性層３８ａ、３８ｂ、ソース電極３６ａ、３６ｘ、ドレイン電極３６ｂ、３６ｙ、ゲート絶縁層３４及びゲート電極３２ａ、３２ｂから構成されて下側絶縁層４４に埋設されたＴＦＴ５，６とが順に形成されて構成され、ＴＦＴ５，６のゲート絶縁層３４は、ゲート電極３２ａ，３２ｂを構成する金属パターン層（タンタルパターン層）の表層部が陽極酸化されて得られた金属酸化層（タンタル酸化層）からなる。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化による化成液組成の変化を抑えて、一定の性能を保持した酸化物皮膜を形成する。
【解決手段】金属材料を化成液中で陽極酸化して該金属材料の表面に酸化物皮膜を形成する方法において、該化成液の組成を検知し、該検知した組成に応じて化成液組成を調節する酸化物皮膜形成方法。金属材料を化成液中で陽極酸化して該金属材料の表面に酸化物皮膜を形成する装置において、該金属材料の少なくとも酸化物皮膜を形成する表面を該化成液中に浸漬するための該化成液を保持した処理槽と、該化成液中に浸漬した該金属材料の対極と、該対極に対して前記金属材料に正電圧を印加するための電源と、該化成液の組成を検知する検知手段とを備える酸化物皮膜形成装置。化成液の組成は好ましくは、化成液の透過光強度を測定することにより検知する。この化成液は非水溶媒を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板上にナノコラムやナノロッドなどと称される柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体発光素子において、柱状結晶構造体の柱径を高精度に制御可能とする。
【解決手段】発光ダイオードを形成するナノコラム６において、その作成後、フォトルミネッセンス法などで実際の発光波長を測定し、所望とする波長からずれていれば、該ナノコラム６を熱酸化し、表面に径調整層１０を形成する。したがって、径調整層１０の部分は発光動作に寄与せず、実質的にナノコラム６の外径が細くなった場合と同様の動作を行うことになり、従来では全く不可能であった形成後の外径の微調整を、容易かつ高精度に行うことができ、発光波長を調整することができる。また、径調整層１０はナノコラム６の表面を保護するので、ＳＯＧの埋め込みによる表面保護の場合に問題になる埋め込みの均一性は一切問題にならず、制御性、再現性に優れた表面保護を実現することもできる。 （もっと読む）