【課題】ゲート酸化膜のリーク電流の発生やゲート酸化膜の耐電圧性の低下を抑制するこ
とができる、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体シリコン基板と前記半導体シリコン基板上にゲート酸化膜を介して設
けられたゲート配線と、を備えた半導体装置であって、
前記ゲート配線は、ゲート電極、前記ゲート電極に接して設けられたゲート配線上部構
造、ならびに側壁スペーサを有し、
前記側壁スペーサは一種もしくは二種以上の無機化合物絶縁層からなり、
かつ、前記無機化合物絶縁層の少なくとも一種は、窒素含有率が３０〜７０％の範囲で
あるシリコンオキシナイトライドからなることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ポリメタルゲート構造とデュアルゲート構造とを採用するＣＭＯＳ ＬＳＩにおいて、ゲート電極の一部を構成する高融点金属膜の酸化と、ゲート電極の他の一部を構成するｐ型多結晶シリコン膜中のホウ素の拡散とを共に抑制することのできるライト酸化処理技術を提供する。
【解決手段】水素ガスおよび酸素ガスと水素ガスとから触媒により合成された水蒸気を含む混合ガスを半導体ウエハ１Ａの主面に供給し、エッチングによって削られたゲート電極の端部下のゲート絶縁膜のプロファイルを改善する熱処理を、ゲート電極の一部を構成する高融点金属膜が実質的に酸化されず、かつゲート電極の他の一部を構成するｐ型多結晶シリコン膜中のホウ素がゲート酸化膜を通って基板に拡散しない低熱負荷条件下で行う。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が非常に低く且つエッチング耐性が十分に大きな不純物含有シリコン窒化膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスと不純物含有ガスとを供給して被処理体Ｗの表面に不純物含有シリコン窒化膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記シラン系ガスと前記窒化ガスとを交互に供給すると共に、前記不純物含有ガスを前記シリコン系ガスと同時に供給し、前記窒化ガスはプラズマにより活性化される。これにより、誘電率が非常に低く、且つエッチング耐性が十分に大きな不純物含有シリコン窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ２ＭＯＳの異なる領域で膜厚の異なるＮＳＧサイドウォール絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン基板１の第１の活性領域１００と第２の活性領域１１０に、第１のゲート電極４−１と第２のゲート電極４−１を形成する。第１のシリコン酸化膜５を形成後、シリコン酸化膜５を介して不純物イオンを注入し、第１の活性領域１００と第２の活性領域１１０に、第１の低濃度領域６−１と第２の低濃度領域６−２を形成する。その後、第１の活性領域１００の第１のシリコン酸化膜５を除去し、第２の活性領域１１０では第１のシリコン酸化膜５を残存させる。オゾン及びテトラエトキシシランの熱分解ＣＶＤ法により、第１の活性領域１００に膜厚が第２の活性領域１１０より厚い膜厚ＮＳＧ絶縁膜８を形成し、第１の側壁絶縁膜９−１と第１の側壁絶縁膜９−１よりも薄い膜厚の第２の側壁絶縁膜９−２とを形成する。 （もっと読む）

半導体基板上にトランジスタデバイスのゲートを形成する方法は、プラズマリアクタの真空チャンバに基板を配置するステップと、チャンバの真空圧力を維持しつつ酸素を含むプロセスガスをチャンバ内へ導入するステップとを含む。連続した「オン」タイム中に真空チャンバ内のプラズマ生成領域にプラズマを生成し、制御可能なデューティーサイクルを画成する「オン」インターバル及び「オフ」インターバルのうちの、連続した「オン」インターバルを分離する連続した「オフ」インターバル中に、プラズマのイオンエネルギーが減衰するのを許容することにより、数オングストローム程度の厚さの酸化物絶縁層が基板に表面に形成される。酸化物絶縁層の形成中に、デューティーサイクルは、絶縁層におけるイオン衝撃による欠陥の形成を制限するように限定され、真空圧力は、絶縁層における汚染による欠陥の形成を制限するように限定される。導電性ゲート電極が絶縁層の上に形成される。 （もっと読む）

【課題】 良質でかつ良好な形状のサイドウォールを備えた半導体装置を形成する。
【解決手段】 ゲート電極側壁のサイドウォールを炭素含有シリコン窒化酸化膜を用いて形成する。炭素含有シリコン窒化酸化膜は、ＢＴＢＡＳと酸素を原料に用い、ＢＴＢＡＳ流量／酸素流量比を適当に設定すると共に、例えば約５３０℃等の低成膜温度のＣＶＤ法で成膜することができる。炭素含有シリコン窒化酸化膜を用いてサイドウォールを形成することで、窒素原子や炭素原子の寄与により、ＨＦ耐性向上やフリンジ容量低減を図れる。また、低温条件で成膜することにより、半導体基板内に導入されている不純物の不要な拡散が抑えられるようになる。これにより、トランジスタ特性を高めかつ安定化させ、半導体装置の高性能化、高品質化を図れるようになる。 （もっと読む）

基板（４０、１２５）上におけるケイ素−窒素−含有膜の低温プラズマ化学蒸着のための方法である。前記方法は、プロセスチャンバ（１０、１１０）に基板（４０、１２５）を提供し、リモートプラズマ源（９４、２０５）の反応物ガスを励起し、その後励起された反応物ガスをシラザン前駆体ガスと混合し、及び化学蒸着プロセスで励起したガス混合物から基板（４０、１２５）上にケイ素−窒素−含有膜を堆積する段階を含む。ひとつの実施形態では、前記反応物ガスは、ＳｉＣＮＨ膜を堆積するため窒素含有ガスを含んでよい。また他の実施形態では、前記反応物ガスは、ＳｉＣＮＯＨ膜を堆積するため酸素含有ガスを含んでよい。
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金属酸化膜半導体の製造方法である（５００）。金属酸化膜半導体のゲート構造がエッチングされる（５１０）。ＮＯ又はＮ２Ｏである窒素含有ガスが生成され、金属酸化膜半導体に流す（５００）。
プレインプラント膜（６２０）がゲート構造のエッジに成長される。プレインプラント膜は、エッチングプロセスがもたらすゲートスタックエッジの損傷を修復する。実質的に膜は窒化シリコンである。有利にも、そのような膜は従来のsilica oxide膜よりも薄い。より薄い膜は、トンネル酸化膜の不均一さに、有害に起因しない。不均一なトンネル酸化膜は、ゲートとチャネル間に均一でない電界をもたらす。均一でない電界は、多くの悪影響を持つ。有利にも、本発明の実施形態は、ゲートスタックエッジの欠陥を修復することで、従来技術の欠点を克服する。この新たな方法で、ゲートスタックエッジの欠陥が、金属酸化膜半導体デバイスの電気的性質に有害な結果をもたらすことなく、修復される。
この用途に、新たなシリカ酸化膜を応用することにより、薄い修復膜が成長できる。有利にも、本発明の実施形態を用いて製造された半導体は、小型プロセスの加工寸法を用いており、その結果、より密集した半導体デバイスアレイをもたらし、そのようなデバイスの低価格をもたらし、また、本明細書に解説している改良を実現した者たちに対して、競争上の優位性を実現している。
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少なくとも１種のジュウテリウム置換窒素化合物と水素同位体を含まない１または２以上の珪素含有化合物からのジュウテリウム置換窒化珪素含有材料作製方法を提供する。適するジュウテリウム置換窒素化合物として例えばＮＨ_２Ｄ、ＮＨＤ_２及びＮＤ_３を用い、適する珪素含有化合物として例えばＳｉＣｌ_４及びＳｉ_２Ｃｌ_６を用いる。本発明に従って得られるジュウテリウム置換窒化珪素含有材料は例えばトランジスタ装置中へ組み入れることができ、これにより得られたトランジスタ装置をＤＲＡＭセル中に用い、さらに得られたＤＲＡＭセルを電子システム中に用いることができる。

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