【課題】ボンディングワイヤ長を長くすることなく、ワイヤ流れの発生を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム材１の表面側に形成した金属めっき層３，４をレジストマスクとして表面側からリードフレーム材１に所定深さのハーフエッチング加工を行い、外枠の一部又は全部と導体端子６及び中継端子７とを突出させ、リードフレーム材１に半導体素子８を搭載した後、半導体素子８とそれぞれ対応する導体端子６との間を直接、または中継端子７を中継してボンディングワイヤ９によって接続し、半導体素子８、導体端子６、中継端子７、及びボンディングワイヤ９を含むリードフレーム材１の表面側を樹脂封止し、リードフレーム材１の裏面側に、裏面側に形成された金属めっき層３をレジストマスクとしてエッチング加工を行って、外部接続端子部１３を突出させて独立させる半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止型の半導体パッケージにおいて、半導体チップ搭載用のダイボンディング材のクラックを防止する。
【解決手段】半導体チップＣＰ１を、ダイボンディング材ＤＢ１を介してダイパッドＤＰ１の上面ｆ１に搭載し、絶縁性樹脂ＩＲ１によって封止する。前記絶縁性樹脂ＩＲ１と接触するダイパッドＤＰ１の上面ｆ１を粗面化し、ダイパッドＤＰ１の裏面ｆ２およびアウターリード部ＯＬ１は粗面化しない。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極の接合不良を改善することにより、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体チップ３の表面に形成された複数のボンディングパッド４と複数のリード２とを複数のバンプ電極５を介してそれぞれ接続する半導体装置において、複数のリード２の上面を、平坦な面（最大高さ（Ｒｙ）＝０）ではなく、最大高さ（Ｒｙ）が０μｍよりも大きく、２０μｍ以下の範囲（０μｍ＜最大高さ（Ｒｙ）≦２０μｍ）の粗さを有する半光沢状の面とする。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの接続の信頼性を高めるとともに、タブとレジンとの剥離を抑止した半導体装置を提供する。
【解決手段】封止体２の一面に露出するタブ４，タブ吊りリード及び複数のリード７と、封止体２内に位置しタブ４の表面に接着剤５で固定される半導体素子３と、半導体素子３の電極とリード７を電気的に接続する導電性のワイヤ２５と、半導体素子３の電極と半導体素子３から外れたタブ４の表面部分を電気的に接続する導電性のワイヤ２５とを有するノンリード型の半導体装置１であって、タブ４はその外周縁が半導体素子３の外周縁よりも外側に位置するように半導体素子３よりも大きくなり、半導体素子３が固定される半導体素子固定領域と、ワイヤ２５が接続されるワイヤ接続領域との間の前記タブ４表面には、半導体素子固定領域を囲むように溝２０が設けられている。タブ４はその断面が逆台形となり、周縁はパッケージ２内に食い込んでいる。 （もっと読む）

【課題】パッド部や電気的接合エリアの樹脂バリ等の悪影響を抑制してＬＥＤ素子用リードフレーム基板を製造する。
【解決手段】ＬＥＤ素子が搭載されるパッド部１１と、ワイヤーを介してパッド部に搭載されたＬＥＤ素子と電気的に接続される接続エリア１２とを有するフレーム部１０と、平面視においてパッド部および接続エリアを囲むリフレクター部を有し、フレーム部に取り付けられた樹脂部とを備えたＬＥＤ素子用リードフレーム基板１の製造方法は、
金属板３０にパッド部および接続エリアを形成してフレーム部を形成するエッチング工程と、エッチング工程後に、パッド部および接続エリアにメッキ層を形成するメッキ処理工程と、メッキ処理工程後に、フレーム部に対して樹脂部を成形する樹脂部形成工程と、樹脂部形成工程後に、パッド部および接続エリア上に存在する樹脂を除去する樹脂除去工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置のパッケージサイズにおけるチップの占有率を上げ、半導体装置の小型化に対応させ、同時に、半導体素子の高速化に対応できる回路部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 内部端子部と外部端子部とこれらを一体的に連結するリード部とを有し、内部端子部と外部端子部とがその表裏に分け設けられ、内部端子部、リード部が薄肉に形成され、外部端子部は厚肉に形成された、端子部材を、複数個、それぞれ互いに独立して、各端子部材の内部端子部の端子面を、同じ向きに一平面上そろえて配置し、これらの外側で、前記リード部とは異なる接続リードを介して外部端子部と一体連結して、全体を保持する外枠部を備えている回路部材の製造方法で、金属板材を素材とし、ハーフエッチング加工法により、内部端子部、リード部、接続リード部を、一面側を素材面とし、素材の板厚よりも薄肉にし、外部端子部を、素材の板厚にして、外形加工する。
【選択図】 図５
（もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの光を反射するべくリードフレームの半導体発光素子側の表面に形成した銀めっき層が硫化し黒色化し易い欠点を解消するのと同時にリードフレームへのワイヤーボンディング性を維持した半導体発光装置を得る。
【解決手段】半導体発光素子を搭載するパッド部と、前記半導体発光素子とワイヤーボンディングにより電気接続するリード部とを有するリードフレームであって、該リードフレームの前記半導体発光素子側の表面に銀めっき層と、該銀めっき層の上に銀合金めっき層が積層され、前記銀合金めっき層はＸ成分として、Ｚｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃｅ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎのうち一つ以上を含有し、前記銀合金めっき層の厚さを下層である前記銀めっき層の厚さより薄くした半導体発光装置用リードフレームを用いる。 （もっと読む）

【課題】封止材等との接着性が良好であり、電気特性及び放熱性の低下を抑制することができ、低温処理可能であって、生産性に優れ、キズやコスレなどの痕が付きにくい、半導体実装用導電基材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】半導体実装用導電基材に、腐食抑制剤、硫酸及び過酸化水素を含有する化学粗化液を接触させて表面に粗化形状を形成する粗化工程を有し、前記腐食抑制剤は、１，２，３−ベンゾトリアゾール及び５−アミノ−１Ｈ−テトラゾールを含有し、前記粗化工程の後に、前記粗化工程で表面に形成される有機皮膜を、アミンを含有するアルカリ性溶液に接触させて除去する皮膜除去工程を有する半導体実装用導電基材の表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣカード用のリードフレーム及びその製造方法に関し、新たな固定治具を要することなく、剛性の高いリードフレームを提供する。
【解決手段】 鉄ニッケル合金または銅を含むリードフレーム素材からなり、内部に開口部を有する複数の所定のパターンに耐熱テープを貼付し、前記耐熱テープの他方の面に接触端子パターンを貼付する。 （もっと読む）

【課題】端子部と封止樹脂との密着性を高めた半導体素子搭載用リードフレームの製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ１００〜２００μｍの銅板の表裏面に所定形状のめっき層１１を形成し、表面側に形成した前記めっき層１１を覆うレジストマスクを形成し、裏面側は銅板の全面を覆うレジストマスクを形成し、前記表面側よりエッチング抑制剤として銅と親和性のある窒素を含んだ有機化合物を含有するエッチング液を用いてハーフエッチング加工を行い、前記銅板の深さ方向に銅板を貫通しないように５０〜１００μｍ溶解除去して空間部を形成するとともに、前記空間部の側面には窪みを形成し前記空間部の上端周縁に１０〜３０μｍの庇状の突出部が形成されるようにすること。 （もっと読む）

【課題】樹脂からの端子の抜け落ちを防止して製品の品質低下を抑制できるリードフレーム及びこれを用いた半導体装置並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１６は、一方側に表面に第１のめっき部１２が形成されたワイヤボンディング部１３を備え、他方側にワイヤボンディング部１３に対応し、表面に第２のめっき部１４が形成された外部接続端子部１５を備え、第１のめっき部１２をワイヤボンディング部１３の先端周囲より突出させ、かつ貴金属めっき層を除く第１のめっき部１２の厚みＴ１を５〜５０μｍとして、ワイヤボンディング部１３の先側周囲に第１の抜止め２３を形成した。製造方法は、第１のめっき部１２を、形成されるワイヤボンディング部１３の先端面に厚めっき２６を施し、更にリードフレーム材２０をエッチング処理することにより形成する。また、半導体装置１０は、このリードフレーム１６を用いた。 （もっと読む）

【課題】 金属リボンの超音波ボンディングを行う際、リードの根元部分をボンディング装置のクランパによってクランプしているが、リードの接続部のぐらつき、がたつきによって金属リボンの接着強度の低下やボンダビリティの低下を招く問題があった。
【解決手段】 第１リードの先端部に先端部からアイランドと第２リードの先端の間の領域まで突出する突起部を設け、突起部に第２リードの先端に施した金属メッキと同じ金属メッキを部分的に施す。ボンディング時には第１リードのピン部と突起部をクランパで押下することでリードの接続部のぐらつき、がたつきを防止する。 （もっと読む）

【課題】 多ピン化への対応が可能で信頼性が高い樹脂封止型半導体装置と、このような樹脂封止型半導体装置を安定して製造するための半導体装置用回路部材とを提供する。
【解決手段】 樹脂封止型半導体装置を、外部端子面が一平面をなすように配置された複数の端子部と、この端子部がなす一平面上に配置され端子部よりも薄いダイパッドと、ダイパッドの内部表面上に電気絶縁性材料を介して搭載され各端子部の内部端子面とワイヤにて電気的に接続された半導体素子と、少なくとも各端子部の外部端子面の一部を外部に露出させるように端子部、ダイパッド、半導体素子を封止した樹脂部材を備え、端子部は内部端子面の周囲に突起部を有し、ダイパッドは内部表面の周囲に突起部を有し、これらの突起部は前記樹脂部材に係合しているものとした。 （もっと読む）

【課題】ＱＦＮ(Quad Flat Non-leaded package)の多ピン化を推進する。
【解決手段】半導体チップ２は、ダイパッド部４上に搭載された状態で封止体３の中央部に配置されている。ダイパッド部４の周囲には、ダイパッド部４および吊りリード５ｂと同一の金属からなる複数本のリード５がダイパッド部４を囲むように配置されている。これらのリード５の一端部側５ａは、Ａｕワイヤ６を介して半導体チップ２の主面のボンディングパッドと電気的に接続されており、他端部側５ｃは、封止体３の側面で終端している。リード５のそれぞれは、半導体チップ２との距離を短くするために、一端部側５ａがダイパッド部４の近傍まで引き回されており、隣接するリード５とのピッチは、一端部側５ａの方が他端部側５ｃよりも小さい。 （もっと読む）

ダイをダイ取り付けパッドにダウンボンディングするボンディングワイヤの信頼性を高める種々の半導体パッケージ配置及びパッケージング方法を説明する。１つの態様でリードフレームの上面の選択部分がワイヤボンディングを促進するためめっきされ、めっきはダイ支持面の全てではないが一部を覆う。幾つかの好ましい実施例で、ダイ取り付けパッド上のめっきはダイ支持面の非めっき中央領域を囲む周辺リングとして配され、他の実施例で、ダイ支持面の全ては覆わないバー又は他のジオメトリックパターンを採り得る。ダイ支持面の非めっき部分は粗化されダイのダイ取り付けパッドへの接着を改善しダイ取り付けパッド剥離の可能性、それに関するダウンボンディングワイヤへのリスクを低減する。例示のリードフレームは種々のパッケージに用い得、最も一般的には、ダイがダイ取り付けパッドのダイ支持面に取り付けられ、適切にボンディングワイヤによってリードフレームリードに電気的に接続される。ダイのボンドパッドの少なくとも１つがダイ取り付けパッドにダウンボンディングされた後、ダイとボンディングワイヤとリードフレームの少なくとも一部とが典型的にプラスチック封止材料で封止される一方、ダイ取り付けパッドの外部デバイスへの電気的結合を促進するためダイ取り付けパッドのコンタクト面は露出したままとする。

（もっと読む）

ダイの接地又は他の外部コンタクトへのワイヤボンディングの信頼性を改善する、種々の半導体パッケージ配置及び方法を説明する。１つの側面において、ダイ上の選択された接地パッドが、リードフレームのタイバー部上に位置するボンディング領域にワイヤボンディングされる。タイバーは、タイバーのボンディング領域からダウンセットされる露出されたダイ取り付けパッドに接続される。幾つかの実施例において、ボンディング領域及びリードは、ダイ及びダイ取り付けパッドより上で、実質的に同一の高さである。ダイと、ボンディングワイヤと、リードフレームの少なくとも一部とがプラスチック封止材材料で封止される一方で、ダイ取り付けパッドのコンタクト面を露出させておき、ダイ取り付けパッドの外部デバイスへの電気的結合を円滑化することができる。
（もっと読む）

【課題】半導体装置用部材のリード線に、電解めっき層と置換めっき層とが同時に析出した後、置換めっき層のみ剥離する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置用部材１０のステム１２に装着された複数のリード線１８の各一端部を治具３０内に挿入して、前記一端部の端面が治具３０内に設けられた陰極としての第１電極２４に当接した後、陽極としての第２電極が浸漬された電解金めっき液に浸漬し、第１電極２４と第２電極との間に電流を印加して、第１電極１８ａの各露出面に電解金めっき層を形成する。その際リード線１８ａより短いリード線１８ｂの露出面には置換めっき層が析出する。次いで治具３０に装着された半導体装置用部材１０を、金めっきを剥離する剥離液に浸漬して、第１電極２４を陰極とし、陽極４２との間に直流電流を印加すると、置換めっき層のみが剥離する。 （もっと読む）

【課題】より高い生産性を有する電子ユニットを得る。
【解決手段】本発明の電子ユニットは、電子部品を実装した基板１１０と、前記基板を固定するリードフレーム１００と、前記リードフレームに設けられているスポットニッケルめっき部４００と、前記基板と前記リードフレームを電気的に接続するワイヤ１２０と、前記基板と前記リードフレームの一部とを封止する樹脂１３０とを有し、前記スポットニッケルめっき部４００は、所定の結晶粒径の第１のめっき層４１０と、前記第１のめっき層４１０を覆うように設けられ、当該第１のめっき層４１０よりも結晶粒径が小さい第２のめっき層４１５とからなる。 （もっと読む）

【課題】リードが切り離されるときに、金属板が新たに露出されるのを防ぐことにより、金属ウィスカ形成を軽減することで、信頼性の向上した金属メッキされたリードを有する電子デバイス・パッケージを提供する。
【解決手段】電子デバイス・パッケージ１００が、切り欠き２０５を有する少なくとも１つのリード１１０を有するリード・フレーム１０５を備える。切り欠きは、少なくとも１つの１８０度より大きい凹角を含み、切り欠きは、リードの切断端に対して遠位に位置する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームにおける銀めっき層とモールド樹脂との密着性の向上を図る。信頼性の高い半導体層儀を「提供する。
【解決手段】リードフレーム２１は、半導体チップを固定するダイパット部２２と、インナーリード部２３と、アウターリード部２４とを有する。少なくともインナーリード部２３のワイヤボンディング部２３ａの表面に、銀の結晶核を析出する下地銀めっきと、本銀めっきの２段階銀めっきによる表面が粗面化された銀めっき層２８が形成されて成る。 （もっと読む）