【課題】従来技術を改善する装置および方法を提供することである。
【解決手段】半導体本体（８０）の上側の面で垂直ベクトル方向に、プラスチック部材（３０）が開口部（２０）の外の領域では壁（１１０）よりも大きな高さを有し、壁（１１０）の基面と半導体本体（８０）の上側との間に固定層（１０５）が形成されており、壁（１１０）は開口部（２０）内に形成されたセンサ面から離間している。 （もっと読む）

【課題】信頼性低下を防止ないしは抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】モールド工程において、ワイヤ流れ不良が発生しやすい排出部側の領域において、ワイヤ５の延在方向と、樹脂の流れ方向を０度に近づける。ワイヤ流れ不良が発生しやすいリード４は、中央領域４ｅの隣に配置される張出領域４ｆにワイヤ５を接合する。中央領域４ｅは、延在部４ａと先端部４ｂの境界線の中心と先端部４ｂの先端面４ｃ側の端辺の中心を結ぶ中心線（仮想線）ＣＬを中心軸として、延在部４ａと同じ幅を有する領域である。一方、張出領域４ｆは、中央領域４ｅと隣接して配置され、中央領域４ｅから第１方向Ｙに沿って張り出した領域である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程においてプラズマ処理を含む工程が行われる場合においても、耐プラズマ性が良好であり、貼り付けた粘着テープが劣化させず、糊残りを生じさせない樹脂封止用耐熱性粘着テープ及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材層と基材層上に積層された粘着剤層とを備えた粘着テープ２０であって、粘着剤層は、（メタ）アクリル酸と（メタ）アクリル酸以外のモノマー成分とに由来する構造単位を有するポリマー及びエポキシ系架橋剤を含む粘着剤によって形成されており、（メタ）アクリル酸は、モノマー成分１００重量部に対して５重量部以上含有され、エポキシ系架橋剤は、（メタ）アクリル酸に対して０．４当量以上に対応する重量部数で含有されてなる樹脂封止型半導体装置の製造における樹脂封止用耐熱性粘着テープ。 （もっと読む）

本発明は、電気的／電子的な構成素子（１６）、特にセンサ（１７）を基板、特にプリント配線板に接続するための連結装置（１）であって、該連結装置（１）が、電気的な接続のために、少なくとも１つの電気的な接続部（２５）を有していて、運動絶縁のために、少なくとも１つのダンパエレメント（１２）を有している連結装置に関する。本発明によれば、電気的な接続部（２５）が、打抜き格子体（３）によって形成されており、該打抜き格子体（３）が、ダンパエレメント（１２）としての減衰材料（１１）の射出成形により該減衰材料（１１）で部分的に取り囲まれている。さらに、本発明は、連結装置を備えたアッセンブリならびにこのようなアッセンブリを製造するための方法に関する。
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【課題】製造コストを抑えつつリフレクター部を一体成型することができ、高放熱特性と高光利用特性を備える発光素子用リードフレーム基板の製造方法及び発光素子用リードフレーム基板並びに発光モジュールを提供する。
【解決手段】金属板２０にレジスト２１を積層するレジスト積層工程と、金属板２０にレジストパターン２２を形成するレジストパターン形成工程と、金属板２０をエッチングしてリードフレーム部４を形成するエッチング工程と、樹脂版２４をリードフレーム部４の表面６ａ、７ａ側に配設する樹脂版設置工程と、リードフレーム部４の裏面６ｂ、７ｂに充填樹脂２５を塗工する充填樹脂塗工工程と、離型フィルム２６を介して充填樹脂２５を加圧し、キャビティーＨ内に充填樹脂２５を充填してリフレクター部１６を備える樹脂部５を成型する樹脂加圧／硬化工程とを備えて、発光素子用リードフレーム基板Ｂを製造する。 （もっと読む）

【課題】回路基板に対するチップ素子の位置決め精度を高めることができるリードフレーム、パッケージ型電子部品及び電子機器を提供する。
【解決手段】リードフレーム４は、チップ素子３０を搭載するダイパッド４ｃ、及びチップ素子３０の電極３０ａにボンディングワイヤ５を介して接続するリード４を有し、前記リード４ｄの内側リード４０ｄ及びダイパッド４ｃがチップ素子３０と共にパッケージ３１によって封止されるリードフレーム４であって、パッケージ３１外に露出し、かつダイパッド４ｃにチップ素子３０を位置決めするための認識基準となる第１認識基準部４０ｅ，４０ｅ及び第２認識基準部４０ｆ，４０ｆを含む。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイスをパッド部に搭載する際に高精度な位置決めを行うことができるリードフレーム及びリードタイプの電子部品を提供する。
【解決手段】電子デバイス４を搭載するための搭載面（Ｘ−Ｙ平面）をそれぞれ備えた第１パッド部７、第２パッド部８及び第３パッド部９と、第１パッド部７から延設された第１リード端子１、第２パッド部８から延設された第２リード端子２、第３パッド部９から延設された第３リード端子３と、電子デバイス４を搭載する位置を決定するための位置決め部（例えば、切り欠き部７１及び切り欠き部９１）とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】発光素子収容部材の樹脂充填性を向上させて、小型化と高輝度に対応可能な半導体発光装置用リードフレームを提供すること。
【解決手段】発光素子収容部材５の有底凹部の底部に位置するボンディング用電極３ａ、３ｂと対向して該収容部材５に侵入するハンガーリード４ａ、４ｂ、４ｃの先端をクランク形状に曲げボンディング用電極３ａ、３ｂに対して段差を設けているので、ハンガーリード４ａ、４ｂ、４ｃとボンディング用電極３ａ、３ｂとの間を拡張して樹脂充填性を向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの他面がモールド樹脂より直接露出しているハーフモールド構造のモールドパッケージを、熱伝導性部材を介して放熱部材に搭載する実装構造において、半導体チップと熱伝導性部材とが直接接触して熱的に接続される放熱経路を増加して、放熱性の向上を図る。
【解決手段】半導体チップ１０の両板面１１、１２の外周端部に位置する側面１３が、モールド樹脂２０より露出しており、熱伝導性部材３は、半導体チップ１０の他面１２から側面１３まで回り込むように配置されて、当該他面１２および当該側面１３に直接接触しており、熱伝導性部材３を介して、半導体チップ１０の他面１２および側面１３と放熱部材２とが、熱的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の放熱特性を向上させる。
【解決手段】半導体装置は、ダイパッド３と、ダイパッド３と複数のリード４との間にダイパッド３を囲むように配置された枠状の熱拡散板６と、ダイパッド３と熱拡散板６の内縁とを繋ぐ複数のメンバ９と、熱拡散板６の外延に連結された吊りリード１０とを有し、ダイパッド３よりも大きな外形の半導体チップ２がダイパッド３および複数のメンバ９上に搭載されている。ダイパッド３の上面と、複数のメンバ９のうちの半導体チップ２の裏面に対向している部分の上面とは、全面が半導体チップ２の裏面に銀ペーストで接着されている。半導体チップ２の熱は、半導体チップ２の裏面から、銀ペースト、ダイパッド３およびメンバ９を経由して熱拡散板６に伝導し、そこからリード４を経由して半導体装置の外部に放散される。 （もっと読む）

【課題】小型化を図ることのできる回路構成体を提供することを目的とする。
【解決手段】回路構成体１には、素子搭載部１３および互いに間隔を空けて並列された複数のバスバー１１を備えるバスバー部１０と、素子搭載部１３および複数本のバスバー１１を一体化するようにインサート成形された絶縁部２１と、を含む基板部２が備えられ、素子搭載部１３上には半導体スイッチング素子３０が搭載されている。素子搭載部１３を挟んで２列に並列されたバスバー１１において、外側（素子搭載部１３側とは逆側）の端部は基板部２の端縁部に配されて外部との導通接続を行う接続端子部１２とされ、基板部２においてこの接続端子部１２を含む端縁部は、接続端子部１２が絶縁部２１から露出され、かつ、平坦な一枚板状とされたカードエッジコネクタ部３とされている。このような構成によれば、小型化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】端子リードの曲げ加工に伴なって生じる曲げ応力の影響がダイパッドに波及するのを巧みに抑止し、ダイパッドにマウントしたチップ素子が剥離するトラブルを防止できるように改良した樹脂封止形デバイスのリードフレームを提供する。
【解決手段】ダイパッド１ａ，およびダイパッドに連なる端子リード１ｂをパターン形成したリードフレーム１を樹脂ケース２にインサート成形し、かつ前記ダイパッド１ａにマウントしたチップ素子（ＬＥＤチップ３）の周域を封止樹脂５により封止した上で、樹脂ケース２から側方に引き出した端子リード１ｂのアウターリード部をその根元で折り曲げるようにリード加工した樹脂封止形デバイスのリードフレームにおいて、端子リード１ｂのインナーリード部にアンカー穴１ｃを穿孔しておき、インサート成形時に該アンカー穴１ｃを充填したモールド樹脂のアンカー部２ａを介して端子リード１ｃを樹脂ケース２に係止固定する。 （もっと読む）

【課題】挿入実装型の半導体装置における鉛フリーはんだ実装に対するリードのはんだ付け性を改善することができ、また、実装の際に半導体モジュールの大型化を抑制しつつ、はんだ部での発熱現象を緩和させて半導体モジュール自体の長寿命化を図ることができる半導体装置および半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、リード４の先端部分に、当該リード４のリード先端部１３が内方へ向くよう形成された円弧状の折り曲げ部１２を有する。外部基板２０には、前記折り曲げ部１２を有するリード４が挿入されるリード挿入部２１が略長孔状に形成されているとともに、当該リード挿入部２１の長軸がリード４の幅方向と直交する方向に配置されている。さらに、リード挿入部２１の一部が半導体装置とオーバーラップして配置されている。そして、鉛フリーはんだ２５を用いて上記半導体装置１を外部基板２０に実装する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であるとともに、全体の薄型化を図ることができる面実装可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１と、上記半導体チップ１が搭載され、かつ上記半導体チップ１と電気的に接続された第１導体２Ａと、上記半導体チップ１の少なくとも１以上の電極に電気的に接続された少なくとも１以上の第２導体２Ｂ，２Ｃと、上記半導体チップ１、上記第１導体２Ａおよび上記第２導体２Ｂ，２Ｃを封止する樹脂パッケージ３とを含み、上記第１導体２Ａおよび上記第２導体２Ｂ，２Ｃは、相対的に厚みが薄い薄肉部と相対的に厚みが厚い厚肉部２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃとを有し、かつ、上記第１導体２Ａの上記厚肉部２１Ａおよび上記第２導体２Ｂ，２Ｃの上記厚肉部２１Ｂ，２１Ｃは上記樹脂パッケージ３の底面３ｅから露出し、上記第１導体２Ａにおける少なくとも１つの端面２０ａ'〜２０ｃ'および上記第２導体２Ｂ，２Ｃにおける少なくとも１つの端面２０ｄ'は、それぞれ上記樹脂パッケージ３の異なる側面３ａ〜３ｄから露出する。 （もっと読む）

【課題】ノンリード型の半導体装置の品質の向上を図る。
【解決手段】半導体チップ２を樹脂封止する封止体と、前記封止体の内部に配置されたタブ１ｂと、タブ１ｂを支持する吊りリード１ｅと、それぞれの被接続面が前記封止体の裏面の周縁部に露出した複数のリードと、半導体チップ２のパッドと前記リードとをそれぞれ接続する複数のワイヤとからなり、吊りリード１ｅにおける前記封止体の外周部に配置された端部は、前記封止体の裏面側において露出せずに前記封止体によって覆われており、したがって、樹脂成形による吊りリード１ｅのスタンドオフは形成されないため、吊りリード切断時に、前記封止体の裏面の角部を切断金型の受け部の吊りリード１ｅの切断しろより十分に広い面積の平坦部によって支持することができ、レジン欠けの発生を防止してＱＦＮ（半導体装置）の品質の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】金属板に形成されたダイパッド部上に半導体チップを搭載し、モールド後に封止体から金属板を剥離することによって製造される薄型半導体パッケージにおいて、封止体と金属板との熱膨張係数差に起因する封止体の反りを抑制する。
【解決手段】半導体チップを封止する封止体７が形成された金属基板１は、成形金型から取り出された後、ゲートやランナなどの内部で硬化した不要な樹脂７ａを封止体７から分離・除去するためのゲートブレーク装置１０に搬送される。そして、弾性支持部材１５によって基板ステージ１１の上面と非接触の状態で水平に支持され、所定時間、室温の大気に晒されて徐冷した後、基板ステージ１１上に位置決めされ、不要な樹脂７ａが封止体７から分離・除去される。 （もっと読む）

【課題】基板あるいは電子部品の接続部に形成されたはんだ膜表面の酸化を防止し、フラックスレスで接続できる基板あるいは電子部品を提供する。
【課題を解決するための手段】基板１上に、メタライズ２を形成し、その上にＳｎはんだ膜３とＡｇ膜４が形成された構成である。Ａｇ膜４は大気中、室温で酸化されない金属である。ウェットプロセスでも、ＡｇとＳｎの電池反応により、露出したＳｎはんだ膜３の側面のみが酸化されるため、接続に影響を及ぼす、はんだ膜上のＡｇ膜４上面は酸化されない。Ｓｎはんだ膜３の溶融と同時に、Ａｇ膜４はＳｎはんだ中へ溶解するので、Ａｇ膜４が接続を阻害することもない。 （もっと読む）

【課題】電鋳パッケージ技術においては、レジン封止して出来上がった基板レジン封止体複合体（基板が金属板の場合は金属板レジン封止体複合体）をレジン封止体と基板（金属板）に分離する剥離工程が必須となる。この剥離工程は、基板上に直接メッキ層が形成されているため、完全自動化が困難であると認識されていた。
【解決手段】本願発明は電鋳パッケージの剥離工程において、基板の外側部の先端部に、基板とレジン封止体とが剥がれる方向の押圧力を作用させた状態で、基板レジン封止体複合体と押圧力の作用点を相対移動させて、同作用点を基板の外側部の先端部から後方へ移動させることで、基板レジン封止体複合体を自動的に基板およびレジン封止体へ分離するものである。 （もっと読む）

【課題】ドライバＩＣチップ上にマイコンＩＣチップ８を実装したスタック型実装方式のＳｉＰ（半導体装置）の動作安定性を向上させる。
【解決手段】ドライバＩＣチップ７上にマイコンＩＣチップ８を実装したスタック型実装方式のＳｉＰにおいて、マイコンＩＣチップ８のアナログデジタル変換回路ＡＤ、デジタルアナログ変換回路、メモリ（ＲＡＭＭ１やＲＯＭＭ２）のセンスアンプ回路および電源回路ＰＳ２等のような熱やノイズに弱い回路が、下段のドライバＩＣチップ７のドライバ回路ＤＲＣに対して平面的に重ならないようにした。これにより、動作時において、マイコンＩＣチップ８の熱やノイズに弱い回路が、下段のドライバＩＣチップ７のドライバ回路ＤＲＣから受ける熱やノイズの影響を低減できるので、スタック型実装方式のＳｉＰ（半導体装置１）の動作安定性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】プレス加工により表面に溝を形成してなるリードフレームにワイヤ接続を行うワイヤボンディング方法において、リードフレームにおけるワイヤの接続部を、支持台から浮かせることなく支持台に支持させてボンディングできるようにする。
【解決手段】リードフレーム３０のうち溝３５よりもワイヤ５０の接続部３０ａとは反対側に位置する部位３０ｂを、水平に位置させ、且つ、リードフレーム３０の下面３２を地方向に向けた状態としたときに、ワイヤ５０の接続部３０ａが溝３５から下方へ向かって曲がった形状となるように、リードフレーム３０を溝３５の部分にて折り曲げ、この折り曲げられたリードフレーム３０を支持台３００の平坦な面３１０の上に搭載して押さえつけることにより、真っ直ぐな形状に戻し、この状態でワイヤボンディングを行う。 （もっと読む）