【課題】
半導体素子と基板がはんだで接合され、樹脂でモールドされる半導体装置の信頼性を高めることを目的とする。
【解決手段】
はんだ材１０６に易揮発金属（Zn、Mg、Sb）を含むはんだを用い、半導体素子１０４とリードフレーム１０２を接合し、ワイヤボンディングを実施した後、真空加熱処理を加え、はんだ中の易揮発金属を揮発させ、基板表面に付着してリードフレームとの合金１０３を形成させることで、基板表面を粗化し、封止樹脂１０１と基板の密着力を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ボンディング面と接続部材との密着性を高くするとともにボンディング面と樹脂封止のための樹脂との密着性を高くし、従来の半導体装置よりも高い信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１１０と、半導体チップ１１０を搭載するための第１リードフレーム１２０と、ボンディング面１３２を有する第２リードフレーム１３０，１４０とを備え、第２リードフレーム１３０，１４０におけるボンディング面１３２，１４２は、接続部材１５０を介して半導体チップ１１０と電気的に接続され、半導体チップ１１０、第１リードフレーム１２０及び第２リードフレーム１３０，１４０が樹脂封止により一体化された半導体装置であって、ボンディング面１３２，１４２は、第１の粗化処理が施された第１の粗化面であり、めっきを介することなく接続部材１５０と接続されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、リードフレーム固定材で固定したリードフレームを使用した半導体装置において、リードフレーム固定材に無機フィラーを高充填率で充填しなくても、半田リフロー過程で内部剥離を生じることなく、かつ固定材として高接着性を有するリードフレーム固定材等を提供することである。
【解決手段】本発明のリードフレーム固定材は、１分子中に３個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（Ａ）とナフタレン型エポキシ樹脂（Ｂ）とを含有し、硬化物とした際のガラス転移温度が１７８℃以上である。 （もっと読む）

【課題】ＣｕまたはＣｕ合金からなる通電部材（電極端子）に、Ｃｕ成分を含有しないはんだを使用しても、通電部材側とはんだとが十分な接合強度を発現するはんだ接続用通電部材、配線用基板及びめっき皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ＣｕあるいはＣｕ合金を含む通電部材１上に、ピンホール７を有する置換Ｓｎめっき皮膜５と、電解Ｎｉめっき皮膜４と、電解Ｐｄめっき皮膜３と、電解Ａｕめっき皮膜２と、がこの順に積層されているはんだ接続用通電部材である。 （もっと読む）

【課題】組立性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、ダイパッドと、前記ダイパッドに接合された半導体チップと、前記半導体チップを封止する封止部と、前記半導体チップの電極と電気的に接続された第１の面と、前記封止部から露出し前記第１の面と平行な第２の面と、前記封止部から露出し前記第１の面と交差する第３の面と、を有するリードと、を備えている。そして、前記リードは、前記第３の面の平面視において、凹部を有している。 （もっと読む）

【課題】パッケージダイシングにおける切削バリの発生を抑制する。
【解決手段】パッケージダイシング工程で、第１段階の切削として、軟らかいレジンブレード１１でリード２ａを含む封止体４ｈの一部分を切削することで、切削バリの発生を抑制することができ、その後、第２段階の切削として、硬い電鋳ブレード１２を用いて切断残存部４ｆである樹脂部のみを切断することでブレード本体の摩耗の進展も遅いため、切り残しの発生も低減でき、その結果、半導体装置の信頼性の向上を図れる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リードフレーム表面に、樹脂との密着性を向上させるための凹部を形成する場合であっても、ダイシング時のカットストレスによるリードフレームの塑性変形を防止することが可能な、光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、および光半導体装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】リードフレーム表面の前記連結部の近傍以外の領域に前記凹部を形成し、前記連結部の近傍領域には前記凹部を形成しないようにして、前記連結部の近傍領域のリードフレームの厚みを、前記凹部が形成された領域の厚みよりも厚く保つことにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤ長を長くすることなく、ワイヤ流れの発生を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム材１の表面側に形成した金属めっき層３，４をレジストマスクとして表面側からリードフレーム材１に所定深さのハーフエッチング加工を行い、外枠の一部又は全部と導体端子６及び中継端子７とを突出させ、リードフレーム材１に半導体素子８を搭載した後、半導体素子８とそれぞれ対応する導体端子６との間を直接、または中継端子７を中継してボンディングワイヤ９によって接続し、半導体素子８、導体端子６、中継端子７、及びボンディングワイヤ９を含むリードフレーム材１の表面側を樹脂封止し、リードフレーム材１の裏面側に、裏面側に形成された金属めっき層３をレジストマスクとしてエッチング加工を行って、外部接続端子部１３を突出させて独立させる半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】熱放散性や製造容易性に優れ、かつ水分等の異物の侵入を抑えたＣＳＰ構造の半導体装置、並びにその半導体装置を構成するリードフレームを形成するための異形断面条及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様において、突起３が形成された部分であるアウターリードとしての２つの厚肉部２Ａ、及び２つの厚肉部２Ａの間のインナーリードとしての薄肉部２Ｂを有するリードフレーム５Ａと、ボンディングワイヤ１２を介して薄肉部２Ｂに電気的に接続される半導体チップ１１と、リードフレーム５Ａ及び半導体チップ１１を封止する樹脂パッケージ１４と、を含み、リードフレーム５Ａの上面及び下面の樹脂パッケージ１４に接触する部分に、突起３に平行な線状の微小溝４Ａ、４Ｂが形成され、微小溝４Ａ、４Ｂの深さは前記突起の高さよりも小さく、２つの厚肉部２Ａの一部が樹脂パッケージ１４の底面及び側面に露出する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属基板の表面側に内部端子と裏面側に外部端子を一体的に有する端子部を、一平面内に複数個、それぞれ互いに電気的に独立して配置し、前記端子部の内部端子と光半導体素子の端子とを電気的に接続し、前記端子部の裏面を外部に露出させるように全体を樹脂封止した樹脂封止型の光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームにおいて、垂直方向に対する剥離力に対して樹脂の脱離を防止することが可能な光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、光半導体装置用リードフレームの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】光半導体装置用リードフレームの表面側に、樹脂との密着性を向上させるための凹部を形成し、前記凹部の内部を、その開口よりも広く形成することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ダイパッドの側面およびダイパッドの裏面に半田が流れてしまう不具合を防止することが可能なリードフレームおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１０は、金属製のダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に設けられたリード部１２とを備えている。ダイパッド１１は、半導体素子２１が搭載される搭載領域１５と、搭載領域１５を帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域１６とを含んでいる。半田流出防止領域１６は、搭載領域１５に対して粗面化されているので、半田部２２の流れを半田流出防止領域１６で止めることができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止型の半導体パッケージにおいて、半導体チップ搭載用のダイボンディング材のクラックを防止する。
【解決手段】半導体チップＣＰ１を、ダイボンディング材ＤＢ１を介してダイパッドＤＰ１の上面ｆ１に搭載し、絶縁性樹脂ＩＲ１によって封止する。前記絶縁性樹脂ＩＲ１と接触するダイパッドＤＰ１の上面ｆ１を粗面化し、ダイパッドＤＰ１の裏面ｆ２およびアウターリード部ＯＬ１は粗面化しない。 （もっと読む）

【課題】リードフレームへ導電性リボンや太線ワイヤなどの接続体をボンディングする際に、高い超音波出力を用いる。その際、インナーリードの超音波振動方向への振動を規制し、高品質で且つ信頼性が高いボンディングを実現できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】インナーリード７ａを有するリードフレーム４と、リードフレーム４に搭載された、電極パッド３ａを有する半導体素子２と、電極パッド３ａとインナーリード７ａとを接続する導電性の接続体８とを有し、インナーリード７ａにおける、接続体８が接合される接合領域１１の近傍に、凹部１２を配置された半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ノイズの影響を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】モールド樹脂５０を樹脂５０ａに磁性材料５０ｂを混入して構成する領域を有しるものとする。または、隣接するリード３０の間に配置されるモールド樹脂５０を、樹脂５０ａに誘電性材料５０ｃを混入して構成する。これによれば、半導体装置のインダクタンスまたは容量を大きくすることができ、共振周波数を低くすることができる。したがって、増幅されるノイズの周波数を低くすることができ、当該ノイズが増幅されたとしても半導体チップ２０に対する影響を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性及び封止材との接着性を向上できるテープキャリア付き半導体実装用導電基材の表面処理方法、この処理方法を用いてなるテープキャリア付き半導体実装用導電基材、およびこれらを用いた半導体パッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】テープキャリア付き半導体実装用導電基材に腐食抑制剤を含有する第１の化学粗化液を接触させて半導体実装用導電基材の表面に粗化形状を形成する第１粗化工程を有する、テープキャリア付き半導体実装用導電基材の表面処理方法。第１粗化工程の後に、さらに腐食抑制剤を含有する第２の化学粗化液に接触させる第２粗化工程を有する、前記のテープキャリア付き半導体実装用導電基材の表面処理方法、この表面処理を用いてなるテープキャリア付き半導体実装用導電基材、およびこれらを用いた半導体パッケージ。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴなどが封止された小型面実装パッケージの低オン抵抗化を実現する。
【解決手段】シリコンチップ３は、ドレインリードを構成するリード４と一体に形成されたダイパッド部４Ｄの上に搭載されており、その主面にはソースパッド７とゲートパッド８が形成されている。シリコンチップ３の裏面は、パワーＭＯＳＦＥＴのドレインを構成しており、Ａｇペーストを介してダイパッド部４Ｄの上面に接合されている。ソースリードを構成するリード４とソースパッド７は、Ａｌリボン１０によって電気的に接続されており、ゲートリードを構成するリード４とゲートパッド８は、Ａｕワイヤ１１によって電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のオン状態における素子全体にわたる抵抗成分のうち、半導体基板に起因する抵抗成分を低減することができ且つ半導体基板の裏面側からの放熱効果を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子が形成された第１の主面と、該第１の主面の反対側の面である第２の主面とを有する半導体基板と、該半導体基板の第２の主面に固着されたリードフレーム１１４とを備えている。第２の主面を構成するコレクタ層８には、少なくとも１つの凹部８ａが形成されている。リードフレーム１１４における第２の主面と固着される面には、コレクタ層８に形成された各凹部８ａと嵌合する凸部１１４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】アセンブリ段階において外部磁場から磁気メモリチップを保護する。
【解決手段】主面に磁気メモリ素子および複数のワイヤボンドパッドが形成された磁気メモリチップを準備する。シリコンより高透磁率を有する第１の磁気シールド板を磁気メモリチップの主面に搭載する。磁気メモリチップをリードフレームのダイパッド上に搭載しダイアタッチフィルムにより接着する。磁気メモリチップのワイヤボンドパッドとリードフレームのリードとをワイヤで電気的に接続する。磁気メモリチップ、磁気シールド板、ワイヤ及びリードの一部を樹脂により封止する。複数の磁気メモリチップを有するシリコンウェハを準備し、シリコンウェハの裏面を研削することによりシリコンウェハを所定の厚さまで薄くしてダイアタッチフィルムを張り付けた後にシリコンウェハをダイシングして各々がダイアタッチフィルムをその裏面に有する複数の磁気メモリチップを形成する。 （もっと読む）