Fターム［5F083AD11］の内容
Fターム［5F083AD11］の下位に属するFターム
ＰＮ接合容量型（Ｈｉ−Ｃを含む） (4)
プレーナ型 (103)
トレンチ型 (221)
スタック型 (2,622)
プレート電極 (218)
キャパシタ誘電体膜の多層化 (161)
粗面化 (103)
Fターム［5F083AD11］に分類される特許
81 - 81 / 81
トリス（オクタン−２，４−ジオナト）イリジウム、これを含有してなる化学気相成長用原料及び薄膜の製造方法
【課題】 ＣＶＤ法に適する液体イリジウム化合物、これを用いたＣＶＤ用原料、及び該ＣＶＤ用原料を用いたイリジウム薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 トリス（オクタン−２，４−ジオナト）イリジウム。
（もっと読む）
81 - 81 / 81
[ Back to top ]