【課題】ＦｅＲＡＭやＤＲＡＭなどに使用されるＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜などの成膜用のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、不純物量の低減を図った上で、ターゲットの製造歩留りを高めると共に、膜品質の向上などを図る。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Ａｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。このようなＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、ターゲットのＣｕ含有量を１０ｐｐｍ以下およびＡｇ含有量を１ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた信号処理回路の提供を目的の一つとする。
【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積及び放出を制御するスイッチング素子とを設ける。上記スイッチング素子には、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。そして、上記記憶素子を、信号処理回路が有する、レジスタやキャッシュメモリなどの記憶装置に用いる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性に優れ、ゲート絶縁膜のゲート電極の近傍の領域中で電荷や電界の集中が起こらない半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、トランジスタを備える。トランジスタのゲート絶縁膜は窒素原子及び酸素原子を含有する。ゲート絶縁膜は、半導体層に接する第１の面及びゲート電極に接する第２の面において窒素原子を含有せず、第1の面と第２の面の間に窒素原子濃度のピークを有する。 （もっと読む）

【課題】膜厚を増大させることなく，キャパシタ容量の低下を抑制する。
【解決手段】キャパシタ１００を有する半導体装置において，キャパシタ１００は，下部電極１１２と上部電極１６と，下部電極１１２と上部電極１６とに挟まれた絶縁膜１４とを備えている。下部電極１１２は窒化チタンからなり，当該下部電極１１２の絶縁膜１４側の表面がさらに窒化されて窒素リッチ層１１８が形成されている。下部電極１１２の表面に窒素リッチ層１１８が形成されることにより，下部電極１１２の上面の酸化が効果的に抑制される。特に，ＤＲＡＭにおいては，キャパシタの容量が大きくなるため，その効果が大きい。またキャパシタ内部のリーク電流も減る。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内の断面積を減少させることなく、トレンチの底部の絶縁膜を介して半導体基板に流れるリーク電流を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トレンチ２ａ、２ｂ間の領域に形成されたシリコンピラー１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃを備える半導体基板１００と、シリコンピラー１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃの下部に備えられた不純物の添加された下部拡散層１０６ａ、１０６ｂと、トレンチ２ａ、２ｂの底部の内壁に設けられた絶縁膜１０４と、トレンチ２ａ、２ｂの底面１ａ、１ｂに配置された絶縁膜１０４を覆う保護膜１４ａ、１４ｂと、トレンチ２ａ、２ｂの側壁に絶縁膜１０４を貫通して設けられたコンタクト部３ａ、３ｂと、保護膜１４ａ、１４ｂ上に設けられ、コンタクト部３ａ、３ｂを介して下部拡散層１０６ａ、１０６ｂに埋め込みビット線１０５ａ、１０５ｂとを有することを特徴とする半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜に隣接して設けられた金属膜と、を有し、金属膜は、第１の金属膜と第２の金属膜との積層構造を有しており、第１の金属膜は第２の金属膜よりも耐酸化性が高い物質で構成され、第２の金属膜は４．８ｅＶよりも高い仕事関数を有する第１の金属膜とは異なる物質で構成され、第１の金属膜は第２の金属膜と絶縁膜との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＳＲＡＭメモリセルをＦＤ−ＳＯＩトランジスタで構成し、駆動トランジスタを構成するＳＯＩトランジスタの埋め込み酸化膜の下の層の電位を制御して、低電源電圧状態でのＳＲＡＭ回路の性能を向上させる。
【解決手段】ＦＤ−ＳＯＩトランジスタを用いて構成されたＳＲＡＭメモリセルにおいて、駆動トランジスタのＢＯＸ層下のウエル電位を制御することでＶｔｈを制御して電流を増加させて、メモリセルの安定動作を可能とする。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップが狭い高誘電率膜を用いたキャパシタにおいて、リーク電流を低減するとともに、製造コストを削減することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ２上に形成された下部電極としてのＴｉＮ膜１００と、ＴｉＮ膜１００上に形成された第１の高誘電率絶縁膜としてのＨｆＯ_２膜１１０と、ＨｆＯ_２膜１１０上に形成され、ＨｆＯ_２膜１１０のバンドギャップよりも狭いバンドギャップを有する第２の高誘電率絶縁膜としてのＴｉＯ_２膜１２０と、ＴｉＯ_２膜１２０上に形成され、非貴金属であって４．８ｅＶよりも高い仕事関数を有する上部電極膜としてのＣｏ膜１３０と、により構成されている。 （もっと読む）

【課題】高誘電率及び高温状態で安定したキャパシタ絶縁膜の形成を実現した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上にアモルファスであって第１の元素を含む第１の絶縁膜を形成する第１の工程と、第１の元素とは異なる第２の元素を第１の絶縁膜に添加してアモルファスである第２の絶縁膜を前記基板上に形成する第２の工程と、第２の絶縁膜を所定のアニール温度でアニーリングして第３の絶縁膜へと相転移させる第３の工程と、を有し、アニール温度に応じて前記第２の元素の添加濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 ジルコニウム含有膜の原子層堆積に有用なジルコニウム前駆体を提供する。
【解決手段】 式


で示されるジルコニウム前駆体。そのような前駆体は、室温で液体であり、ジルコニウム含有膜、たとえば高κ誘電体膜をマイクロ電子デバイス基板上に形成するためのＡＬＤなどの気相堆積プロセスで利用されうる。ジルコニウム前駆体は、熱安定化用アミン添加剤によりそのような気相堆積プロセスにおいて安定化されうる。 （もっと読む）

【課題】
形状に限定されることなく、柔軟性ないし可撓性を有し、任意の形状の各種装置を作成することが可能な素子を用いた集積装置を提供すること。
【解決手段】
回路素子が長手方向に連続的又は間欠的に形成されている素子、回路を形成する複数の領域を有する断面が長手方向に連続的又は間欠的に形成されている素子を複数複数束ね、撚り合せ、織り込み又は編み込み、接合し、組み合わせて成形加工し又は不織状に成形したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の強誘電体薄膜よりも低いリーク電流密度、かつ、高い絶縁耐圧が得られる、薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｓｉを含む複合酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、複合金属酸化物Ａを構成するための原料並びに複合金属酸化物Ｂを構成するための原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｂｉを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一回の塗布で形成するゾル−ゲル前駆体液膜が厚く、可能な限り少ない繰り返し塗布回数で、所望の酸化物誘電体膜厚さとできるゾル−ゲル前駆体液を提供する。
【解決手段】この目的のため、ペロブスカイト構造を備える酸化物セラミックからなる膜を形成するためのゾル−ゲル前駆体液であって、第１成分系調成剤（ペロブスカイト構造のＡサイトを構成するバリウム及び／又はストロンチウムとを含有した溶液。）と第２成分系調成剤（ペロブスカイト構造のＢサイトを構成するチタンの供給源として、チタンアルコキシドを部分加水分解し重合度調成したものを含有する溶液。）とを含むことを特徴とするゾル−ゲル前駆体液を採用する。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した形成用組成物等を提供する。
【解決手段】一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）の複合金属酸化物Ａに、一般式Ｃ_nＨ_2n+1ＣＯＯＨ（但し、３≦ｎ≦７）で、かつ、上記金属に配位したときに式（１）の構造をとり得る、カルボン酸Ｂが混合した液状組成物であり、酸化物Ａ構成原料並びにカルボン酸Ｂがモル比０＜Ｂ／Ａ＜０．２になるように溶解している有機金属化合物溶液からなる。


但し、式中、上記一般式Ｃ_nＨ_2n+1ＣＯＯＨのｎを満たす範囲内で、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６は水素、メチル基又はエチル基を示し、ＭはＰｂ，Ｌａ，Ｚｒ又はＴｉを示し、ｍはＭの価数を示す。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｓｎを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、かつ、ＢとＡとのモル比Ｂ／Ａが０．００３≦Ｂ／Ａ≦０．０５の範囲内となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｎｄを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、かつ、ＢとＡとのモル比Ｂ／Ａが０．００５≦Ｂ／Ａ＜０．０３の範囲内となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の低減と絶縁耐圧の向上の両特性をバランスよく改善することができる、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｐ（燐）を含む複合酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、複合金属酸化物Ａを構成するための原料並びに複合酸化物Ｂを構成するための原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理室内へのパーティクルの拡散を抑制し、ガスフィルタの交換に要するコストを低減する。
【解決手段】基板を収容する処理室内に少なくとも１種の処理ガスを導入するガス導入手段を有し、ガス導入手段は、処理室内に配設されるガス導入ノズルと、ガス導入ノズルの先端に接続され、処理室内に処理ガスを導入するガス導入口を有するガス整流ノズルと、ガス整流ノズルの内部に配置されたフィルタと、を有し、処理ガスは、ガス導入ノズルからフィルタを介してガス整流ノズルへ導入され、ガス導入口から処理室内に導入される。 （もっと読む）

【課題】酸化剤の供給量や供給時間を増大させることなく酸化膜の被覆性やローディング効果を改善する。
【解決手段】少なくとも１枚の基板を処理室内に搬入する基板搬入工程と、前記基板を加熱しながら第１の反応物質と酸素原子を含む第２の反応物質とを前記処理室内に交互に供給して前記基板上に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記基板を前記処理室内から搬出する基板搬出工程と、備え、前記酸化膜形成工程では、基板温度が前記第１の反応物質の自己分解温度以下であり、前記第２の反応物質に紫外領域の光を照射することを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）