【課題】膜厚が薄い場合や導入物質の濃度が低い場合であっても、導入物質を導入することのできる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板１上に薄膜２を形成する工程と、薄膜２に、導入物質のガスクラスターをイオン化して加速したガスクラスターイオンビーム３を照射して薄膜中２に導入物質を導入する工程とを具備し、基板１上に導入物質が導入された薄膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶化しており、かつリーク電流も小さいジルコニア系膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、処理容器内を真空に保持した状態とし、処理容器内にジルコニウム原料と酸化剤とを交互的に複数回供給して基板上にＺｒＯ_２膜を成膜する工程と、処理容器内にシリコン原料と酸化剤とを交互的に１回または複数回供給して基板上にＳｉＯ_２膜を成膜する工程とを、膜中のＳｉ濃度が１〜４ａｔｍ％になるように供給回数を調整して行い、これら供給回数のＺｒＯ_２膜成膜とＳｉＯ_２膜成膜とを１サイクルとし、このサイクルを１以上行い所定膜厚のジルコニア系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭメモリセルアレイを自在に不揮発性メモリセルアレイに変更可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体記憶装置のメモリセルアレイには、誘電体材料を２つの電極で挟んだ構造をそれぞれ有する複数の第１メモリセルＭＣがアレイ状に配置され、指定可能な複数の領域に区分されている。メモリセルアレイの中から選択的に指定された領域において第１メモリセルＭＣに対するフォーミングが実行され、不揮発性の第２メモリセルＭＣａに変更される。これにより、ＤＲＡＭメモリセルアレイと不揮発性のＲＲＡＭメモリセルアレイを混載し、製造後に任意に領域を設定可能な半導体記憶装置を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】フローティングボディ型のＮＭＯＳトランジスタを用い、そのボディに安定な電位を供給して正孔の蓄積に起因する特性劣化を防止可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体記憶装置において、メモリセルＭＣに含まれるＮＭＯＳトランジスタＱ０は、ゲート電極がワード線ＷＬに接続され、一方のソース・ドレイン領域がビット線ＢＬに接続されている。センスアンプ回路１０に含まれるＮＭＯＳトランジスタＱ１０は、ゲート電極がビット線ＢＬに接続され、一方のソース・ドレイン領域が所定の電位（グランド電位）に接続されている。ＮＭＯＳトランジスタＱ０、Ｑ１０は、フローティングボディ型のＮＭＯＳトランジスタであって、少なくともプリチャージ動作時に、ビット線ＢＬに所定の電位（グランド電位）が供給されるので、ボディへの電位が安定化し、正孔の蓄積に起因する特性劣化を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体記憶装置内の単位セルがキャパシタとフローティングボディーの全てにデータに対応する電荷とホールを格納することができるようにすることにより、リフレッシュ性能を向上させることができる半導体記憶装置及びその動作方法を提供する。
【解決方法】本発明の一実施形態に係る半導体記憶装置は、ボディーがフローティングされたトランジスタと電荷を格納するためのキャパシタで構成された単位セル、単位セルを活性化するためのワードライン、及び単位セルにデータを伝達するビットラインを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶の大きさおよび結晶相の比率と相組成が予め決定可能及び調整可能なコンデンサ又は高周波フィルタにおける使用に適したガラス・セラミックの製造方法を提供する。
【解決手段】最大直径２０〜１００ｎｍの強誘電性微結晶が得られガラス・セラミック中の強誘電性微結晶の比率が少なくとも５０容積％、ガラス・セラミック中の非強誘電性微結晶の比率が１０容積％未満、ガラス・セラミック内に有るポアが０．０１容積％未満であり、且つｅ’・Ｖ^２_maxの値が少なくとも２０（ＭＶ/ｃｍ）^２であるガラス・セラミック（ここで、ｅ’は１ｋＨｚにおけるガラス・セラミックの比誘電率、Ｖ_ｍａｘは絶縁破壊電圧/ガラス・セラミック厚さである）であり、出発ガラスを生成する工程と、該出発ガラスをセラミック化中少なくとも１０Ｋ/ｍｉｎの加熱又は冷却速度でセラミック化してガラス・セラミックを生ずる工程を含んで成る方法。 （もっと読む）

本発明は、窒化ハフニウムの酸化物又はケイ酸塩から薄膜を作製する方法を提供し、また、非対称グアニジネート配位化合物を提供する。さらに、本発明は、本発明の上記方法により窒化ハフニウムの酸化物又はケイ酸塩から薄膜を作製する工程を含む、電子回路を製造する方法を提供する。本発明に従って窒化酸化ハフニウム又は窒化ハフニウムシリケートから薄膜を作製する方法は、下記式（Ｉ）：Ｈｆ（ＮＲ_１Ｒ_２）_４−ｘ［Ｒ_３−Ｎ＝Ｃ（ＮＲ_１Ｒ_２）−ＮＲ_４］_ｘ（式中、Ｒ_１及びＲ_２は、同じ又は異なり、Ｃ_１〜Ｃ_１２の飽和又は不飽和直鎖又は分岐状アルキル基、及びＣ_３〜Ｃ_１２の飽和又は不飽和環状基から選択され、Ｒ_３及びＲ_４は、異なり、Ｃ_１〜Ｃ_１２の飽和又は不飽和直鎖又は分岐状アルキル基、及びＣ_３〜Ｃ_１２の飽和又は不飽和環状基、又は式Ｓｉ（Ｒ_５）_３による基（式中、Ｒ_５はＣ_１〜Ｃ_６の直鎖アルキル基である）から選択され、ｘは１〜４（両端を含む）の整数である）による少なくとも１つの配位化合物を加熱することによって、気相を発生させること、その後、この気相を加熱した基板上で分解することを伴う。本発明は、とりわけ、マイクロエレクトロニクス分野で使用される。 （もっと読む）

【課題】誘電特性に優れた誘電体膜を簡便に成膜する方法を提供する。
【解決手段】本発明の誘電体膜の成膜方法は、溶媒中に誘電体膜を構成する粒子を分散させる工程と、粒子を分散させた溶媒中にカチオンを含む溶液を添加する工程と、溶液を添加した溶媒中にアノード（陽極）およびカソード（陰極）を浸漬させ、直流電圧を印加することによりアノード上に粒子を析出させ、粒子の集合体からなる誘電体膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラスやシリコン基板上に結晶化したＹ_２Ｏ_３を含む薄膜形成を可能にし、性能が高い蛍光体薄膜材料の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成されたY、Dy, Sm, Gd, Ho, Eu, Tm, Tb, Er, Ce Pr, Yb, La, Nd, Luからなる群れより選ばれる少なくとも一種類の希土類金属元素を含む有機金属薄膜または金属酸化物膜を、250〜600℃の温度に保持し、波長200nm以下の紫外光を照射しつつ、結晶化を行うことを特徴とする結晶化金属酸化物薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】素子分離絶縁膜上に形成されたキャパシタを有する半導体装置において、寄生容量を抑制すること。
【解決手段】本発明は半導体基板１０に設けられた素子分離絶縁膜１２と、素子分離絶縁膜上に設けられた導電層２２と、導電層を覆うように設けられた層間絶縁膜３０と、層間絶縁膜内であって導電層上に接触して設けられた金属からなる下層電極４２と、層間絶縁膜内であって下層電極上に設けられた誘電体層４９と、層間絶縁膜内であって誘電体層上に設けられた金属からなる上層電極５２と、を具備する半導体装置およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＮＯガスを処理ガスとして用いた酸窒化処理を行うに際して、当該酸窒化処理により所望の膜厚及び窒素濃度のシリコン酸窒化膜を得る。
【解決手段】酸窒化処理を行うに際して、処理ガスの不純物濃度を計測し、生成される酸窒化膜の膜厚又は酸窒化膜の窒素濃度が所定範囲内の値となるように、計測された不純物濃度に応じて当該酸窒化処理を行う。ここで、詳細には、処理ガス中の不純物濃度と膜厚又は窒素濃度との相関関係を予め計測し規定しておく。そして、当該相関関係に基づき、膜厚又は窒素濃度が所定範囲内の値となるように、計測された不純物濃度に応じて、具体的には酸窒化処理における処理圧力を調節設定して当該処理を行う。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン膜を成膜する半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板表面に窒化シリコン膜を形成する半導体製造装置であって、四塩化シリコンガスを加熱容器内に吐出する原料ガス導入部と、希釈用窒素ガスが添加されたアンモニアガスを加熱容器内に吐出する希釈ガス導入部とを備え、アンモニアガスに希釈用窒素ガスを添加してアンモニアガスを所定濃度とし、四塩化シリコンガスと希釈用窒素ガスが添加されたアンモニアガスとを同時に吐出し、かつ、四塩化シリコンガスの分圧をアンモニアガスの分圧に対して０．５以上とする四塩化シリコンガス、希釈用窒素ガス及びアンモニアガスの制御を行なう流量制御部とを備えたとこと特徴とする半導体製造装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】十分な蒸気圧を有し、配管輸送上のトラブルが生じ難い、基板上に金属酸化膜を形成するための成膜原料、ならびにそのような成膜原料を用いた成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板上に金属酸化膜を形成するための成膜原料として、当該金属酸化膜を構成する金属を含む有機金属化合物からなるものを用いる。この有機金属化合物は、常温で固体でありかつ高蒸気圧である第１有機金属化合物に、常温で液体の第２有機金属化合物を混合してなり、常温で液体である。そして、この成膜原料と酸素含有ガスとを処理容器内に供給して被処理基板に金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に下部電極、酸化物高誘電体及び上部電極を順次形成してなる薄膜キャパシタの製造過程において、酸化物高誘電体を形成するため８００℃以上の高温でアニールした際に、下部電極を構成するＰｔ層にヒロックが発生することを防止することができる下部電極とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板上に下部電極、酸化物高誘電体及び上部電極を順次形成してなる薄膜キャパシタを構成する、Ｓｉ／ＳｉＯ_２層／密着層／Ｐｔ層からなる積層構造を有する下部電極であって、前記密着層は、表面粗さがＲａで２．５〜５ｎｍに調整された金属酸化物であることを特徴とする。 （もっと読む）

半導体製造プロセスにおいて基板上に膜を形成する方法であって、反応チャンバーと、該チャンバー中の基板とが準備される。少なくとも2つの不燃性フッ素化溶媒の混合物中に溶解された四酸化ルテニウムを含むルテニウムベースの前駆体が提供され、ルテニウム含有膜が該基板上に作られる。 （もっと読む）

【課題】濡れ性のいっそうの上昇による塗膜の均一性、適度な粘性による膜表面の平坦性、適度な乾燥速度によるハンドリング性、及び濡れ性と粘性の上昇による厚膜化のための生産性の向上が達成され、しかも、クラックの発生がなく、膜の収縮が小さく、かつ誘電特性に優れた誘電体薄膜を形成することができる高誘電体薄膜形成用塗布組成物を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】特定の混合溶剤を用いて特定の条件でアルカリ土類金属元素の有機酸塩液（Ａ）を調製する工程、特定の有機溶剤を用いて特定の条件でチタン、スズ及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素のアルコキシド液（Ｂ）を調製する工程、有機酸塩液（Ａ）とアルコキシド液（Ｂ）を用いて特定の条件で複合有機酸塩液（Ｃ）を合成する工程、及び特定の組成の希釈液を用いて金属濃度を調整する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の微細化に際して、素子分離層の幅を縮小しながらも、その深さを確保する。
【解決手段】半導体装置１０は、シリコン基板１１と、シリコン基板１１の表面部分に形成された第１のトレンチ１２と、第１のトレンチ１２内に埋め込まれた第１の素子分離層１３と、第１の素子分離層１３から露出するシリコン基板１１上に選択エピタキシャル成長法で形成された選択成長シリコン層１４と、第１の素子分離層１３の上面及び選択成長シリコン層１４の側面から成る第２のトレンチ１６内に埋め込まれた第２の素子分離層１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】形状に限定されることなく、柔軟性ないし可撓性を有し、任意の形状の各種装置を作成することが可能な端面センサデバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】線状体の端面に、対象からの情報を受容して他の情報として出力する受容部が形成されていることを特徴とする端面センサデバイス。線状体２００１は、中止部に中心電極２００７を有し、その外周は絶縁膜２００８で覆われている。上記線状体２００１を用意し、その端面にｎ型半導体層２００４を形成する。次いで、ｎ型半導体層２００４上にｐ型半導体層２００３を形成する。これにより、線状体２００１の端面にｐｎ接合の受容部（光センサ）が形成される。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ構造への水分・水素の浸入を可及的に防止するも、面内膜厚分布が極めて低く極めて優れた表面平坦性を有する層間絶縁膜を形成し、誘電体特性への影響やコンタクト抵抗のバラツキ等を抑えた信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】極低水分含有量のシリコン酸化膜である第１の絶縁膜３と、第１の絶縁膜３よりも水分含有量の多い、従って面内膜厚分布率の小さいシリコン酸化膜である第２の絶縁膜４との積層膜を形成し、これをＣＭＰにより研磨する。強誘電体キャパシタ構造２の直上には第２の絶縁膜４が残らず除去され、第１の絶縁膜３の表面がある程度露出するまで研磨する。このとき、第１の絶縁膜３における第１の部分の上面から第２の絶縁膜４の上面にかけて表面平坦化されてなり、第１の絶縁膜３と、第１の絶縁膜３の第２の部分上に残る第２の絶縁膜４とからなる層間絶縁膜１０が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＤ法によるペロブスカイト型複合酸化物からなる誘電体薄膜を形成してなる誘電特性に優れた誘電体薄膜被覆基板を得るための、誘電体薄膜形成用基板の前処理方法を提供する。
【解決手段】Ｐｔ膜／ＴｉＯ_２膜／ＳｉＯ_２層／Ｓｉ基板（Ａ）上に、バリウム、ストロンチウム、マグネシウム及びカルシウムからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属元素と、チタン、スズ及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属元素とを含有する複合酸化物からなる誘電体薄膜を形成させる方法において、基板（Ａ）を、成膜されたままの状態で、酸素雰囲気中７００〜９００℃の温度下に加熱処理し、次いで加熱処理された基板（Ａ）の最上層のＰｔ膜上に、有機酸塩熱分解法に用いられる塗布液を塗布した後、酸素雰囲気中７００〜９００℃の温度下で焼成して、膜厚が３０〜８０ｎｍの誘電体薄膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）