【課題】強誘電体膜における減分極電界の発生がほとんどなく、長期にわたり安定にデータを保持する半導体記憶装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体記憶装置は、基板１１の上に形成された第１の電極膜１６と、第１の電極膜の上に強誘電体膜１５及び絶縁膜１２が積層されてなる積層膜１８と、積層膜１８の上に選択的に形成された第２の電極膜１７とを備えている。積層膜１８のうちの第１の電極膜１６と接する膜の上面における第２の電極膜１７を挟んで両側の領域には、強誘電体膜１５と接するソース電極１２及びドレイン電極１３とが形成されている。第１の電極膜１６と第２の電極膜１７とは、仕事関数が異なる材料からなる。 （もっと読む）

【課題】優れた分極反転の応答性およびヒステリシス特性を有する有機強誘電体キャパシタの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、有機強誘電体メモリ、および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の有機強誘電体キャパシタの製造方法は、結晶性を有する有機強誘電体材料を主材料として構成された記録層４を基板２上に形成するものであって、基板２上に、有機強誘電体材料を含む液状材料４Ａを付与し脱溶媒処理して、記録層の結晶化度よりも低い結晶化度で、有機強誘電体材料を主材料として構成された低結晶化度膜４Ｂを形成する工程と、低結晶化度膜４Ｂ中の有機強誘電体材料を結晶化して、記録層４を形成する工程とを有し、記録層４を形成する工程では、低結晶化度膜４Ｂに対し基板２の板面に直角な方向の電界を印加しつつ、結晶化を行って、記録層４内の配向度を高める。 （もっと読む）

【課題】新規な構造を有するトランジスタ型強誘電体メモリを提供する。
【解決手段】トランジスタ型強誘電体メモリ１００は、基板１０と、前記基板１０の上方に形成されたゲート電極２０と、前記ゲート電極２０を覆うように前記基板の上方に形成された強誘電体層３０と、前記強誘電体層３０の上方に形成されたソース電極４０と、前記強誘電体層３０の上方に形成され、前記ソース電極４０と離間して位置するドレイン電極４２と、前記強誘電体層３０の上方に形成され、前記ソース電極４０と前記ドレイン領域４２との間に位置するチャネル層５０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】低電圧動作が可能であり、データ保持期間の長い強誘電体ゲートＦＥＴおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタは、半導体基板１と、半導体基板１の上に設けられ、単結晶の強誘電体からなるゲート絶縁膜４と、ゲート絶縁膜４の上に設けられたゲート電極５と、半導体基板１のうちゲート絶縁膜４およびゲート電極５の側方であって、平面的に見てゲート電極５を挟む領域に形成された不純物を含むソース領域７およびドレイン領域８とを備えている。ゲート絶縁膜４を単結晶の強誘電体で構成しているので、ゲート絶縁膜４におけるリーク電流を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】有機強誘電体材料を用い、低電圧駆動化を図ることができる有機強誘電体キャパシタの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、および有機強誘電体メモリを提供すること。
【解決手段】下部電極３を形成する工程と、下部電極３上に、結晶性を有する有機強誘電体材料を含む液状材料４Ａを塗布・乾燥して、記録層４の結晶化度よりも低い結晶化度で、非晶質状態の有機強誘電体材料を主材料として構成された低結晶化度膜４Ｂを形成する工程と、低結晶化度膜４Ｂの下部電極３と反対側の面上に、上部電極５を形成する工程と、低結晶化度膜４Ｂ中の有機強誘電体材料を結晶化して、記録層４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高集積化を図ることができる強誘電体メモリを提供すること。
【解決手段】強誘電体材料を主材料として構成された強誘電体層６を有し、強誘電体層６に電圧を印加することにより、強誘電体層６内の分極状態を変化させ、データを記録する強誘電体メモリ１であって、強誘電体層６は、電圧の印加を受ける領域にて、連続的あるいは段階的に膜厚が異なり、強誘電体層６に印加する電圧の電圧値を、強誘電体層６の膜厚範囲に対応した連続的あるいは段階的な電圧値から選択し、連続的な情報、あるいは段階的な多値情報を記録する。 （もっと読む）

【課題】電流ヒステリシスが低減された分子トランジスタおよびその製造方法、並びにそれを用いた不揮発性メモリおよび圧電センサを提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜１４と、シリコン酸化膜１４上に形成されたカーボンナノチューブ１５と、カーボンナノチューブ１５を両者の間に挟むように配置されたソース電極１３およびドレイン電極１２と、カーボンナノチューブ１５の導通を制御するゲート電圧をカーボンナノチューブ１５に印加するためのシリコン基板１１とを備える分子電界効果トランジスタ１０において、シリコン酸化膜１４上に、シリコン酸化膜１４表面に化学的に結合した自己組織化単分子膜１６を形成し、カーボンナノチューブ１５上に有機強誘電体層１７を形成し、自己組織化単分子膜１６と有機強誘電体層１７との間にカーボンナノチューブ１５を挟持する。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく、低価格であり、強誘電特性に優れ、効率よく使用できる強誘電体半導体装置のための有機物を提供する。
【解決手段】強誘電体有機物がβ相の結晶構造を有することを特徴とし、好ましくは強誘電体有機物がポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）であり、さらに好ましくはＰＶＤＦを含む重合体、ＰＶＤＦ共重合体、ＰＶＤＦ三元共重合体、奇数ナイロン、シアノ重合体、これらの重合体、及びこれらの共重合体のうちの一つである。ＰＶＤＦの場合はα、β、γ、δの４種類の結晶構造のうちβ相に固定すると良好なヒステリシス極性特性を有し、強誘電体半導体装置の強誘電体層として好適である。 （もっと読む）

【課題】成形・加工性に優れた情報記録素子とくに、誘電体層に有機材料を用い、不揮発性のメモリーとして利用できる誘電特性を示す有機材料を用いた情報記録素子を提供する。
【解決手段】陽極と陰極の間に少なくとも一層の有機薄膜を含有する情報記録素子において、少なくとも1層がデオキシリボ核酸（DNA）の薄膜で構成されることを特徴とする情報記録素子。また、基板１０上に、ゲート電極２０、誘電体層３０、半導体層５０、ドレイン及びソース電極４０を有する電界効果型トランジスタであって、上記誘電体層３０を形成する材料の少なくとも一つがデオキシリボ核酸（DNA）であることを特徴とする電界効果型トランジスタにより構成される情報記録素子。 （もっと読む）

【課題】 成形・加工性に優れた情報記録素子とくに、誘電体層に有機材料を用い、不揮発性のメモリーとして利用できる誘電特性を示す有機材料を用いた情報記録素子を提供する。
【解決手段】 陽極と陰極の間に少なくとも一層の有機薄膜を含有する情報記録素子において、少なくとも1層が、下記一般式（化１）で表される構成単位からなる高分子化合物と、それとは異なる少なくとも1種以上の有機高分子化合物の混合物から構成されることを特徴とする情報記録素子。
【化１】
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【課題】製造が容易であり、低電圧下で動作し、データ保持時間に優れた強誘電体メモリ装置及びその製造方法を提供する。本発明においてはシリコン基板１のチャネル領域（４）に対応する部分上に強誘電体層（６０）が形成される。この強誘電体層（６０）は、例えばＰＶＤＦなどの有機物よりなる。この有機物強誘電体層（６０）は１Ｖ以下の低電圧下で分極特性を示し、この分極特性は経時的に変動せず一定時間以上持続される。従って、低電圧下で動作が可能であり、また簡単な構造および製造方法をもって製造できる強誘電体メモリ装置が具現される。 （もっと読む）

【課題】
従来のゲート部に強誘電体薄膜を有する電界効果型トランジスタを行列状に配置した強誘電体メモリは読み出し時にゲート部に電圧を印加するため強誘電体薄膜はディスターブの影響を受け、繰り返される度に残留分極の減少もしくは変化が起き、信頼性に課題があった。
【解決手段】
読み出す際に各ワード線と各ビット線に印加する電圧波形とは逆の関係の補正パルスを形成し、読み出しの後、もしくは前に印加することにより、ディスターブの影響を相殺する。 （もっと読む）

【課題】 基板の材料によらず配向し緻密な強誘電体薄膜を生産性良く形成できる半導体記憶装置および絶縁体層の形成方法を提供すること。
【解決手段】 結晶性Ｂｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２等からなる強誘電体粒子を分散させて強誘電体粒子分散液を作製する工程（Ｓ１１０）と、強誘電体粒子分散液を基板上にスピンコートし、焼成して板状粒子が堆積した強誘電体粒子堆積膜を形成する工程（Ｓ１２０）と、焼成により誘電体または強誘電体となりうる化合物を強誘電体粒子堆積膜上にスピンコートし、加熱して平坦化された強誘電体薄膜を形成する工程等（Ｓ１５０、Ｓ１６１またはＳ１６２）とを備え、強誘電体粒子間の隙間を充填する構成を有している。 （もっと読む）

【課題】 十分なチャネル電流が得られるように、局在化した電荷のキャリア密度を向上させる。
【解決手段】 半導体記憶装置は、第１の強誘電体膜（３）及び第２の強誘電体膜（６）よりなる積層膜と、積層膜を垂直方向に横切る電場を発生させる手段（２、７）と、第１の強誘電体膜（３）と第２の強誘電体膜（６）との界面に電流を流し且つ前記電流を検出する手段（４、５）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 不揮発記憶保持用途の電界効果トランジスタと、論理演算用途の電界効果トランジスタの製造工程を別々に設けることなく前記２用途の電界効果トランジスタを同一半導体基板上に同一構造に作製できるようにする。
【解決手段】 ゲート絶縁構造体12に記憶保持材料を含むｎおよびｐチャネル型電界効果トランジスタで半導体集積回路のメモリ回路とロジック回路の両方を構成し、ゲート絶縁構造体に記憶保持材料を含むｎおよびｐチャネル型電界効果トランジスタのゲート-基板領域間に印加する電圧の大きさと印加タイミングを制御することによって、論理演算状態と記憶書込み状態と不揮発記憶保持状態を電気的に切り替える。 （もっと読む）

【課題】十分容量を確保することができる不揮発性メモリ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】素子分離膜２２が形成されたシリコン基板２１と、基板２１上に形成されたフローティングゲート２８ａと、基板２１とフローティングゲート２８ａの両側の端部領域との間に配置されたトンネル酸化膜２７と、基板２１との間及びフローティングゲート２８ａとの間の拡散バリア膜を介して配置された強誘電体膜２４と、ゲート酸化膜２９を介してフローティングゲート２８ａ上に形成されたコントロールゲート３２と、積層されたフローティングゲート２８ａ及びコントロールゲートを含む両側の側壁に形成されたスペーサ３４と、スペーサ３４が位置する領域を含み、コントロールゲート３２の両側の端部領域に対応するの基板２１のアクティブ領域の表層部に形成されたソース／ドレイン領域３５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスが容易な有機強誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる有機強誘電体メモリの製造方法は、（ａ）基板１０の上方の所定の領域に有機半導体材料を所定の領域に成膜することにより有機半導体層４０を形成する工程と、（ｂ）前記有機半導体層４０の上方の所定の領域に有機強誘電体材料を成膜することにより有機強誘電体層５０を形成する工程と、（ｃ）前記有機強誘電体層５０の上方にゲート電極６０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスが容易な有機強誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる有機強誘電体メモリ１００は、薄膜トランジスタ構造のメモリセル１１４および当該メモリセル１１４を制御する薄膜トランジスタ１１２を有し、前記メモリセル１１４は、前記薄膜トランジスタ１１２の上方に形成され、かつ、有機半導体層１４０と、有機強誘電体層１５０と、ゲート電極１６０と、ソース電極１２０と、ドレイン電極１２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスが容易な有機強誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる有機強誘電体メモリ１００は、ソース領域４２およびドレイン領域４４を有するポリシリコン層４０と、前記ポリシリコン層４０の上方に形成された有機強誘電体層５０と、前記有機強誘電体層５０の上方に形成されたゲート電極６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】データの読み書きの際に格別な制御や手順を必要とせず、かつデータの高速な読み出しが可能である強誘電体メモリ装置の提供。
【解決手段】強誘電体ラッチ回路１０１は、電源の投入されている時には１ビットのデータを保持し、電源の切断時には残留分極の形態で前記データを記憶し、かつ、電源の再投入時には前記残留分極に基づいて前記データの保持状態に復帰し、これらを単独で行うことができる。制御機能付きインバータ回路１０２は、強誘電体ラッチ回路１０１にデータを書き込み、制御機能付きインバータ回路１０３は、強誘電体ラッチ回路１０１に保持されているデータを読み出す。ラッチ制御回路１０１は、制御機能付きインバータ回路１０２、１０３のデータの読み書きなどを制御する。 （もっと読む）