本発明は、トランジスタ２２及びキャパシタ２３を含んでいる不揮発性強誘電体メモリ装置３０に関し、特に、不揮発性で、電気的に消去可能、かつプログラム可能な強誘電体メモリ素子及びそのような不揮発性強誘電体メモリ装置３０を生産する方法に関する。本発明による方法は、トランジスタ２２のゲート誘電体層及びキャパシタ２３の誘電体層は同一の有機又は無機強誘電体層から作られるので、限られた数のマスクステップを含む。
（もっと読む）

有機強誘電体高分子と有機両極性半導体との組み合わせを備える不揮発性強誘電体メモリデバイスが提案されている。本発明に係るデバイスは、高分子に適合し、また、高分子の利点、即ち、溶液処理、低コスト、低温層堆積及びフレキシブル基板との適合性を十分に活用している。
（もっと読む）