【課題】シンプルな製造プロセスによる新規なトランジスタ構造を提供する。
【解決手段】本発明によるトランジスタは、半導電性金属酸化物チャネル層（５１）と、半導電性金属酸化物チャネル層（５１）に提供されたソース領域（６４）およびドレイン領域（６５）と、ソース領域（６４）とドレイン領域（６５）との間、かつ半導電性金属酸化物層（５１）の上のゲート構造とを備える。その半導電性金属酸化物が、インジウム酸化物と、ルテニウム酸化物と、タングステン酸化物と、モリブデン酸化物と、チタン酸化物と、鉄酸化物と、スズ酸化物と、亜鉛酸化物と、ＣｅＯ_２と、Ｇａ_２Ｏ_３と、ＳｒＴｉＯ_３と、ＬａＦｅＯ_３と、Ｃｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３とからなる群から選択される。 （もっと読む）

特に高温での性能が改善された有機電子回路（Ｃ）であって、第１の電極（１ａ）と第２の電極（１ｂ）との間に形成される有機エレクトレットまたは強誘電材料（２）で構成する。コンデンサ状の構造を持つセルが有機エレクトレットまたは強誘電材料（２）内に定義され、電極を介して直接または間接に電気的にアクセス可能である。少なくとも１つの機能的中間層（３ａ，３ｂ）が電極（１ａ，１ｂ）の１つと有機エレクトレットまたは強誘電材料（２）との間に形成される。中間層材料は一般に無機で、非導電で、有機エレクトレットまたは強誘電材料（２）に対して実質的に不活性である。一般に、中間層（３）は有機エレクトレットまたは強誘電材料（２）に対して、特に後者がフッ素を含む材料のとき、不活性である。マトリクス・アドレス可能なアレイを形成するために複数の回路（Ｃ）を用いる。中間層は、個別の中間層分子を解離せずに機能的中間層材料のソースから分子種として堆積される。
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