【課題】自己整合でエッチング可能かつ製造方法の容易な光変調装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極２と、下部電極２上に配置される強誘電体膜３と、強誘電体膜３上に配置される上部電極４とを備えた強誘電体キャパシタを含む光変調装置であって、上部電極４が、強誘電体膜３のエッチングマスクとして強誘電体膜３と自己整合パターニングされた導電膜を含んでいることを特徴とし、さらに強誘電体キャパシタを駆動するための制御回路を半導体基板１０上に有するとともに、強誘電体キャパシタを、下部電極２と上部電極４間に印加する電界に応じて強誘電体膜３の屈折率が変化するファブリーペロー型の共振器６として機能させる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が少なく良好な特性を持つ強誘電体膜積層体を提供する。
【解決手段】強誘電体膜積層体１００は、第１電極１０２、および第２電極１０３と、第１電極１０２上に形成されたＰＺＴ系強誘電体膜１０１とを含む。強誘電体膜１０１は、Ｔｉ組成のうち、２．５モル％以上４０モル％以下をＮｂに置換し、第１電極１０２および第２電極１０３は、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ等の白金族元素の単体または白金族元素を主体とした複合材料よりなる。電極１０２は、強誘電体膜から拡散する酸素をほぼ含まない。 （もっと読む）

【課題】酸素バリア性と水素バリア性を有し、強誘電体キャパシタの構造が簡単で製造方法が容易な強誘電体メモリ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】プラグ電極２４に接続された導電性バリア膜１と、導電性バリア膜１上に配置され、導電性バリア膜１を介してプラグ電極２４に接続された下部電極２と、下部電極２上に配置された強誘電体膜３と、強誘電体膜３上に配置された上部電極４と、上部電極４上に配置された導電性水素バリア膜５と、導電性水素バリア膜５上に配置され、導電性水素バリア膜５を介して上部電極４に接続されたＶＩＡ電極２６と、導電性水素バリア膜５上、および導電性バリア膜１，下部電極２、強誘電体膜３，上部電極４，および導電性水素バリア膜５の側壁上に配置された絶縁性水素バリア膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】１つの装置にて、２つ以上の工程を連続して行うことにより、デバイスを従来より短時間で、しかも効率的かつ低コストにて製造することが可能な強誘電体メモリ等のデバイスの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】製造方法は、基板上１１に下部電極層となる第１の電極層１５を形成する第１の工程と、第１の電極層１５上に強誘電体層１６を形成する第２の工程と、強誘電体層１６上に上部電極層となる第２の電極層１７を形成する第３の工程と、第２の電極層１７上に所定のレジストパターン２１を有するマスク２０を形成する第４の工程と、マスク２０を用いて第１の電極層１５、強誘電体層１６及び第２の電極層１７を選択除去し記憶素子を形成する第５の工程と、マスク２０を除去する第６の工程と、を含み、少なくとも、第４の工程及び第５の工程、または第５の工程及び第６の工程を、減圧下にて連続して行う。 （もっと読む）

【課題】従来よりも小型化が可能で安定した動作が可能であり、下地との密着性に優れた強誘電体膜、強誘電体膜を用いた半導体装置、その製造方法および強誘電体膜を用いた強誘電体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体装置７１は基板５５、絶縁体５６、酸化イットリウム膜６６、強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７、上部電極６２を有している。酸化イットリウム膜６６は強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７を結晶化する際に下地となる。酸化イットリウム膜６６は酸素を含み、格子情報が強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７の結晶と近似している。そのため、酸化イットリウム膜６６上にＳＴＮを結晶化すると、酸素欠損がなく、かつ抗電界が２００ｋＶ／ｃｍ以上の強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７が得られる。 （もっと読む）

【課題】圧電性能に優れたペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｐ）で表される組成を有するペロブスカイト型酸化物の製造方法において、下記式（１）及び（２）を充足する条件で、組成を決定する。
（Ｂａ，Ｂｉ，Ａ）（Ｔｉ，Ｆｅ，Ｍ）Ｏ_３・・・（Ｐ）、
０．９８≦ＴＦ（Ｐ）≦１．０２・・・（１）、
ＴＦ（ＢｉＦｅＯ_３）＜ＴＦ（ＡＭＯ_３）＜ＴＦ（ＢａＴｉＯ_３）・・・（２）
（式（Ｐ）中、Ｂａ，Ｂｉ，及びＡはＡサイト元素、Ｔｉ，Ｆｅ，及びＭはＢサイト元素。Ａ及びＭは、Ｐｂを除く各々１種又は複数種の金属元素である。式（１），（２）中、ＴＦ（Ｐ）は上記一般式（Ｐ）で表される酸化物の許容因子、ＴＦ（ＢｉＦｅＯ_３）、ＴＦ（ＡＭＯ_３）、及びＴＦ（ＢａＴｉＯ_３）はそれぞれ（）内に記載の酸化物の許容因子である。） （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、簡単な制御で、逆スパッタの防止による膜の高品質化、組成ズレの制御および成膜の再現性向上を図り、膜質の変化のない高品質な圧電膜、絶縁膜や導電体膜などの薄膜を成膜することができるスパッタリング方法およびスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に、ターゲット材を保持するスパッタ電極およびスパッタ電極と対向離間配置され、基板を保持する基板ホルダを有し、さらに基板ホルダのインピーダンスを調整するための調整可能なインピーダンス回路を備えるインピーダンス調整回路とを有し、インピーダンス回路のインピーダンスが調整されることにより、基板ホルダのインピーダンスが調整され、基板の電位が調整されることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】結晶の大きさおよび結晶相の比率と相組成が予め決定可能及び調整可能なコンデンサ又は高周波フィルタにおける使用に適したガラス・セラミックの製造方法を提供する。
【解決手段】最大直径２０〜１００ｎｍの強誘電性微結晶が得られガラス・セラミック中の強誘電性微結晶の比率が少なくとも５０容積％、ガラス・セラミック中の非強誘電性微結晶の比率が１０容積％未満、ガラス・セラミック内に有るポアが０．０１容積％未満であり、且つｅ’・Ｖ^２_maxの値が少なくとも２０（ＭＶ/ｃｍ）^２であるガラス・セラミック（ここで、ｅ’は１ｋＨｚにおけるガラス・セラミックの比誘電率、Ｖ_ｍａｘは絶縁破壊電圧/ガラス・セラミック厚さである）であり、出発ガラスを生成する工程と、該出発ガラスをセラミック化中少なくとも１０Ｋ/ｍｉｎの加熱又は冷却速度でセラミック化してガラス・セラミックを生ずる工程を含んで成る方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板あるいはプラスチック基板の絶縁素材基板上への強誘電体薄膜及び常誘電体薄膜の形成方法、およびそれを利用した強誘電体メモリの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁素材基板１上にスピンコート法により非晶質のＰＺＴ薄膜２を堆積し、ライン状に整形された５３２ｎｍの波長をもつ連続発振レーザビーム４を酸化物２の表面３にスキャン照射して結晶化させることで、優れた強誘電特性が得られる。対象となる酸化物２に集中的にしかも短時間で最適な熱を与えることができるため、基板１や他の層の温度上昇を押さえることが可能である。また、レーザービーム照射により酸化膜の温度が急激に上昇しても短時間での処理となり、蒸発などによる組成のずれを最小限にすることが可能である。特にガラス基板あるいはプラスチック基板の絶縁素材基板１を用いるため、基板への熱損失が少なく、有効に結晶化を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材を含む部材であっても、簡便に、かつ、良好な形状にパターニングすることができるドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング部材のドライエッチングを施す面に感光性樹脂のマスク２４ａを形成した後、撥水処理２８を施す。撥水処理後、感光性樹脂のマスクをポストベークする。次いで、感光性樹脂のマスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングする。被エッチング部材としては、磁性体材料、強誘電体材料、及び貴金属の少なくとも一種を含む膜を有するものを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】上下の電極間のショートが防止される信頼性の高い圧電素子、及びそれを容易に製造することができる圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体１２上に、下部電極１８と、圧電膜２０ａと、上部電極２２ａとが、この順に積層されており、圧電膜２０ａの側面に、下部電極を１８構成する材料を含む酸化膜２８が形成されている圧電素子１１。圧電素子用部材１０の上部電極２２側に形成したマスク２４を介してドライエッチングすることにより上部電極２２及び圧電膜２０をパターニングした後、パターニングされた圧電膜２０ａの側面（側壁付着膜２６）を酸化させて酸化膜２８にする。好ましくは、プラズマ酸化により酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が少なく自発分極量の大きいビスマス元素を含む強誘電性材料、この強誘電性材料を用いた強誘電体キャパシタ、並びにこの強誘電体キャパシタを用いた高集積の半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】第１の電極１０と、第１の電極１０上に形成され、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物よりなる第１の強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物よりなる第２の強誘電性材料との混晶を含む強誘電体膜１２と、強誘電体膜１２上に形成された第２の電極１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】空洞を有する被エッチング部材上にテーパー形状の側面を有するマスクを容易に形成して良好にパターニングを行うことができるドライエッチングによるパターニング方法及びそれに用いるモールド並びにインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】空洞１３を有する被エッチング部材１０のドライエッチングを施す面に光硬化性樹脂２４を付与し、被エッチング部材上に形成すべきテーパー形状の側面を有するマスク２４ａに対応したパターンを有するモールド５０を光硬化性樹脂に押し付ける。光硬化性樹脂に光を照射して硬化させた後、モールドを引き離すことにより、被エッチング部材上にモールドのパターンが反映されたテーパー形状の側面を有するマスクを形成する。マスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングした後、マスクを除去する。 （もっと読む）

【課題】強誘電特性の劣化を引き起こすことなく、効率的にリーク電流を抑制する新たな強誘電体材料を提供する。
【解決手段】薄膜化させるターゲット材料として、Bi：Nd：Fe：Mn＝1.0：0.05：0.97：0.03組成を有する焼結ターゲットを用い、パルスレーザ照射によりターゲットから射出されたアブレーション粒子を、STO基板(1d)上にPt(1c)をPLA堆積させたPt/STO基板上に堆積することにより、BFOのBiサイト及びFeサイトの両方のサイトを元素置換したBNFM(1b)の強誘電体材料の薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＥＯＴを薄くしても低電界におけるリーク電流を抑制することができるとともに高電界におけるリーク電流を高くすることができるトンネル絶縁膜を有する不揮発性半導体記憶装置を得ることを可能にする。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板に離間して形成されたソース領域２ａおよびドレイン領域２ｂと、ソース領域とドレイン領域との間の半導体基板上に形成され、母材と異なる元素が添加されることにより形成される、電子の捕獲および放出するサイトを有し、異なる誘電率の絶縁層８，９を含み、電子の捕獲および放出するサイトは半導体基板を構成する材料のフェルミレベルよりも高いレベルにある第１の絶縁膜３と、第１の絶縁膜上に形成された電荷蓄積膜４と、電荷蓄積膜上に形成された第２の絶縁膜５と、第２の絶縁膜上に形成された制御ゲート電極６と、を有する記憶素子を備えている。 （もっと読む）

【課題】非常に小さいナノドメインの信頼性のある再現可能な生成を可能にするデータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】記憶媒体は、支持基板１０４と、中間酸化層１０２と、間隔を置いて配置された金属領域１００”と絶縁材料を含む電極層１００’と、電極層１００’を覆う強誘電体材料による感光材料層１０１と、データ記憶媒体１０の近くに移動されており、強誘電体層１０１に対向している導電性の近視野顕微鏡チップ５を含み、電極層１００’と近視野顕微鏡チップ５との間に電場が加えられ、力線１０６が強誘電体層１０１の一部分を通過する結果、ナノドメイン１０７は強誘電体層１０１の表面に形成される。ナノドメイン１０７のこのサイズは導電領域１００”の幅、または視野顕微鏡チップ５の曲率半径に依存する。記憶媒体は、感光材料層１０１に全体的に平行な基準面を有し、近視野顕微鏡チップ５が基準面に沿って動かされるように適合される。 （もっと読む）

【課題】正方晶系の結晶構造を有する膜厚５００ｎｍ以上の、（００１）単一配向の機能性酸化物膜を備えた機能性酸化物構造体を提供する。
【解決手段】機能性酸化物構造体１は、基板１０上に、膜厚が５００ｎｍ以上の正方晶系の結晶系を有する機能性酸化物膜３０が成膜されたものであって、機能性酸化物膜３０が、（００１）単一配向の結晶配向性を有することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】誘電特性に優れた誘電体膜を簡便に成膜する方法を提供する。
【解決手段】本発明の誘電体膜の成膜方法は、溶媒中に誘電体膜を構成する粒子を分散させる工程と、粒子を分散させた溶媒中にカチオンを含む溶液を添加する工程と、溶液を添加した溶媒中にアノード（陽極）およびカソード（陰極）を浸漬させ、直流電圧を印加することによりアノード上に粒子を析出させ、粒子の集合体からなる誘電体膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体膜厚が薄く、長期のデータ保持特性を有する強誘電体メモリー装置に用いられる半導体装置、その製造方法、その製造装置、強誘電体膜及び強誘電体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 強誘電体膜５７は、膜材料として、Ｓｒ、Ｔａ、及びＮｂを主成分とする強誘電体材料が用いられ、１０日以上のデータ保持時間を有する。強誘電体膜を製造する方法は、強誘電体膜５７を形成する膜形成工程と、前記強誘電体膜５７を酸素ラジカル５８によって酸化する酸素導入工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】各種特性に優れた電子デバイスを最適な構造で実現することができる電子デバイス用基板、および、かかる電子デバイス用基板を備える電子デバイス、さらに、かかる電子デバイスを備える強誘電体メモリ、電子機器、インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタを提供する。
【解決手段】電子デバイス用基板１００は、アモルファス層１５を有する基板１１と、アモルファス層１５上に、少なくとも厚さ方向に配向方位が揃うよう形成されたバッファ層１２と、バッファ層１２上にエピタキシャル成長により形成され、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物を含む導電性酸化物層１３とを有している。バッファ層１２は、ＮａＣｌ構造の金属酸化物、蛍石型構造の金属酸化物のうちの少なくとも１種を含むものであるのが好ましく、また、立方晶（１００）配向でエピタキシャル成長したものであるのが好ましい。 （もっと読む）