【課題】酸素雰囲気下での熱処理に起因したコンタクト不良の発生を防止可能なスタック型メモリセル構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板(101)上の第１の導電層(103a)及び第２の導電層(103b)と、第１の絶縁膜(104)と、第１のプラグ(106a)及び第２のプラグ(106b)と、第１のプラグ(106a)と電気的に接続する第１の金属膜(107a)と、第２のプラグ(106b)と電気的に接続する第２の金属膜(107b)と、第２の金属膜(107b)を露出する開口部(109a)を有する金属酸化膜(109)と、金属酸化膜(109)上に形成された第３の金属膜(110)とを備える。第２の金属膜(107b)は、開口部(109a)を介して第３の金属膜(110)と接続しており、第２のプラグ(106b)の上には、第２の金属膜(107b)及び金属酸化膜(109)が存在している。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの周縁領域における膜の剥がれを防止し、この膜の剥がれに起因して発生するパーティクルによる製品歩留まりの低下を抑止する。
【解決手段】半導体基板（半導体ウエハ）１１と層間絶縁膜１２との間に、層間絶縁膜１２よりも研磨速度が小さい研磨停止膜２０を形成する。この研磨停止膜２０は、半導体基板１１の周縁領域において、層間絶縁膜１２が当該層間絶縁膜１２内に導電性プラグ１３を形成する際のＣＭＰ法による研磨によって除去された場合においても、当該研磨のストッパー（停止指標）となって半導体基板１１上に残る。そして、この研磨停止膜２０は、半導体基板１１の周縁領域において、当該半導体基板１１と酸化防止膜１４との間に介在し、強誘電体膜１６を形成した際のストレスなどによる酸化防止膜１４の膜剥がれを防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの周縁領域における膜の剥がれを防止し、この膜の剥がれに起因して発生するパーティクルによる製品歩留まりの低下を抑止する。
【解決手段】 導電性プラグ１３と、当該導電性プラグ１３の酸化を防止する酸化防止膜１４との間に、半導体基板（半導体ウエハ）１１と酸化防止膜１４との間に介在した場合に両者を密着させ得る性質を有する導電性密着膜２０を形成する。これにより、半導体ウエハ１１の周縁領域においては、半導体ウエハ１１と酸化防止膜１４との間に導電性密着膜２０が形成され、強誘電体膜１６を形成した際のストレスなどによる酸化防止膜１４の膜剥がれを防止する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング電荷の増加、リーク電流の低減、疲労損失の低減、及びインプリント特性の向上を同時に図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること
【解決手段】シリコン基板１の上方に第１層間絶縁膜１１を形成する工程と、第１層間絶縁膜１１の上に第１導電膜２３を形成する工程と、第１導電膜２３の上に、結晶化された第１強誘電体膜２４ｂを形成する工程と、第１強誘電体膜２４ｂをアニールする工程と、上記アニールの後、第１強誘電体膜２４ｂの上に、アモルファス材料又は微結晶材料よりなる第２強誘電体膜２４ｃを形成する工程と、第２強誘電体膜２４ｃの上に第２導電膜２５を形成する工程と、第１、第２導電膜２３、２５、及び第１、第２強誘電体膜２４ｂ、２４ｃをパターニングすることによりキャパシタQを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】立体スタック型構造を有する容量素子の容量ばらつきを軽減し且つ製造歩留りを向上する。
【解決手段】半導体記憶装置１００は、第１導電膜１０４ｂ及びその上の第２導電膜１０４ａを少なくとも含む第１積層構造体１０４ｘ及び第２積層構造体１０４ｙと、第１及び第２積層構造体１０４ｘ及び１０４ｙを覆う絶縁膜１０５と、絶縁膜１０５及び第１積層構造体１０４ｘの第２導電膜１０４ａに形成され、第１積層構造体１０４ｘの第１導電膜１０４ｂに達する凹部１０５ａとを備え、少なくとも凹部１０５ａの側壁に形成された第１の電極膜１０６及び第１積層構造体１０４ｘからなる容量下部電極１１０と、容量下部電極１１０を覆う容量絶縁膜１０７と、容量絶縁膜１０７上の第２の電極膜１０８とからなる容量素子１１１を更に備える。第２積層構造体１０４ｙは、絶縁膜１０５の表面から第２導電膜１０４ａの上面までの膜厚Ｈの測定に用いられる。 （もっと読む）

【課題】強誘電体素子の製造方法において、高価な基板を用いることなく、また複雑なプロセスを経ることなく、比較的低温で、結晶性及び結晶配向性に優れた強誘電体膜を成膜する。
【解決手段】Ｚｒを含むシード層３１と下部電極３２とを順次成膜する工程（Ａ）と、シード層３１に含まれるＺｒを拡散させて、該元素を下部電極３２の表面に析出させる工程（Ｂ）と、下部電極３２上に強誘電体膜３３を成膜する工程（Ｃ）とを順次実施する。この強誘電体素子を用いた強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ、また強誘電体素子を圧電素子として用いたインクジェット式記録装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＤ法によるペロブスカイト型複合酸化物からなる誘電体薄膜を形成してなる誘電特性に優れた誘電体薄膜被覆基板を得るための、誘電体薄膜形成用基板の前処理方法を提供する。
【解決手段】Ｐｔ膜／ＴｉＯ_２膜／ＳｉＯ_２層／Ｓｉ基板（Ａ）上に、バリウム、ストロンチウム、マグネシウム及びカルシウムからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属元素と、チタン、スズ及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属元素とを含有する複合酸化物からなる誘電体薄膜を形成させる方法において、基板（Ａ）を、成膜されたままの状態で、酸素雰囲気中７００〜９００℃の温度下に加熱処理し、次いで加熱処理された基板（Ａ）の最上層のＰｔ膜上に、有機酸塩熱分解法に用いられる塗布液を塗布した後、酸素雰囲気中７００〜９００℃の温度下で焼成して、膜厚が３０〜８０ｎｍの誘電体薄膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

互いに分離されたゲート間誘電領域を持つトランジスタを含む浮遊ゲートメモリアレイと、それを製造する方法。浮遊ゲートトランジスタは、アレイ内の浮遊ゲートトランジスタの各々が、浮遊ゲートと、制御ゲートと、その間にゲート間誘電層を持つように形成される。各トランジスタのゲート間誘電層は、アレイ内の他のトランジスタの各々のゲート間誘電体から分離される。そのような構造を製造する方法も提供される。
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【課題】金属酸化物層が積層された下部電極の表面をより小さな凹凸状態とすることで、ＲＲＡＭ等のより高性能な金属酸化物層を用いた素子を提供する。
【解決手段】基板１０１の上に、絶縁層１０２を介し、ルテニウム（Ｒｕ）と窒素（Ｎ）とから構成された導電薄膜よりなる下部電極層１０３と、金属酸化物層１０４と、上部電極１０５とを備える。例えば、下部電極層１０３は、ルテニウムと窒素とからなる膜厚２０ｎｍの導電薄膜であり、金属酸化物層１０４は、ビスマスとチタンと酸素からなる膜厚３０ｎｍの金属酸化物膜であり、上部電極１０５は、膜厚２０ｎｍのルテニウム膜から構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】拡散防止膜の大きさによって決まる最大のキャパシタの実効面積を確保し且つ熱処理時における拡散防止膜の剥離が生じにくい誘電体メモリ装置を実現できるようにする。
【解決手段】誘電体メモリ装置は、半導体基板１１の上に形成された第１の層間絶縁膜１７と、誘電体キャパシタ２５とを備えている。誘電体キャパシタ２５は、第１の層間絶縁膜の上に形成された酸素の拡散を防止する拡散防止膜１９と、第１の層間絶縁膜１７の上に形成された第２の層間絶縁膜２０に形成された開口部の壁面を覆うと共に、拡散防止膜１９の側面を覆うように形成された第１の導電膜２１と、拡散防止膜１９の上面及び第１の導電膜２１の側面を覆うように形成された誘電体膜２３と、誘電体膜２３を覆うように形成された第２の導電膜２４とを有している。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＤ法によるペロブスカイト型誘電物質からなる高誘電体薄膜の形成において、クラックの発生がなく、膜の収縮が小さく、かつ誘電特性に優れた誘電体薄膜を形成することができる高誘電体膜形成用組成物とその効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】金属成分としてバリウム、ストロンチウム、マグネシウム及びカルシウムからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属元素と、チタン、スズ、又はジルコニウムから選ばれる少なくとも１種の元素を含有する複合有機酸塩液と、アルコール系溶剤及びそれとエーテル系溶剤又はエステル系溶剤からなる有機溶剤に、エチルヘキサン酸類及び／又はメチルペンタン酸類からなるカルボン酸を添加してなる混合有機液相とを含み、かつ、アルコール系溶剤の含有量は、混合有機液相の全体に対して４０〜６０容量％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】下部電極の剥離のない、信頼性の高い強誘電体または高誘電体キャパシタを含む半導体記憶装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板１上に形成された第１の絶縁層１０と、第１の絶縁層１０内に形成された、コンタクトプラグ９と、コンタクトプラグ９と電気的に接続し、下部電極８、容量絶縁膜２０及び上部電極２１とからなる容量素子７とを備え、下部電極８は導電性バリア膜１４と電極膜１８とで構成されている。導電性バリア膜１４と容量絶縁膜２０との間には段差部Ｓを有しており、この段差部Ｓは第２の絶縁層１９で覆われている。熱処理等で下部電極８に応力が加わっても、段差部Ｓを覆う第２の絶縁層１９によって、下部電極８を押さえる力が作用するため、下部電極８の剥離を防止できる。 （もっと読む）

【課題】電極として安価なＣｕ、Ｎｉ又はＡｌを用いた場合でも電極を酸化させず、しかもＭＯＤ法によって平滑な誘電体薄膜を形成する方法、および、その平滑な誘電体薄膜を用いた薄膜誘電体素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る薄膜誘電体素子用積層体の形成方法は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌの少なくとも1種以上を主成分とする下部電極層２を基板１上に形成する電極形成工程と、電極層２の表面に有機誘電体原料を含有する原料液を塗布する原料液塗布工程と、電極２の表面に塗布した原料液中の有機誘電体原料を熱分解して金属酸化物薄膜を形成する熱分解工程とを含み、上記熱分解工程は、電極２の表面に塗布した原料液を還元性雰囲気において３℃／分以下の昇温速度で加熱する工程を含み、還元性雰囲気の条件は、ｐO_２＜０．１０１Ｐａであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強固な強誘電体薄膜を形成することのできる強誘電体薄膜作製溶液およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】チタン酸アルキル、水酸基を有さないカルボン酸類および水溶性金属塩を含む水溶液である、強誘電体薄膜作製溶液。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率で低いリーク電流密度の酸化物誘電体薄膜を備えた、酸化物誘電体素子
を提供すること。
【解決手段】
本発明の酸化物誘電体素子は、従来技術より低い酸素濃度雰囲気下で酸化物誘電体薄膜を形成するので、形成温度を低い温度にでき、酸化物誘電体薄膜が分極軸を上下方向に有する面方位で優先的に配向した結晶構造を有し、酸化物誘電体薄膜と電極材料との反応が無く、さらに酸化物誘電体薄膜の結晶粒の成長を制御するので、高い自発分極と小さい抗電界を有し、リーク電流密度も小さい。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタを備える半導体装置に関して、膜の表面の粗さ等によるキャパシタの信頼性及び特性の劣化を抑制する。
【解決手段】基板の上にキャパシタ用の下部電極膜を形成し、前記下部電極膜上に強誘電体膜を成膜同時結晶化によって形成し、前記強誘電体膜上にダミー膜を形成し、平坦化処理を通じて前記ダミー膜と前記強誘電体膜の一部とを除去して前記強誘電体膜の表面を平坦化し、前記強誘電体膜上にキャパシタ用の上部電極膜を形成する事を特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い残留分極密度を示す容量絶縁膜を有する強誘電体キャパシタとその製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体キャパシタの製造工程において、原料供給律速となる条件でのＭＯＣＶＤ法により強誘電体材料膜を成膜する。特に、原料供給律速のうちできるだけ低い温度で強誘電体材料膜を形成することにより、十分に高いステップカバレッジおよびホール内カバレッジを確保しつつ強誘電体膜の残留分極密度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】容量素子の占有面積を増大させることなく、強誘電体膜の側端部を伝わって上部電極と下部電極との間に流れるリーク電流を低減し、信頼性の高い半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１０の上に形成された層間絶縁膜３２と、層間絶縁膜３２の上に、列方向に形成された複数の容量素子２１とを備えている。各容量素子２１は、下から順に積層された下部電極４１と容量絶縁膜４２と上部電極４３とをそれぞれ有している。上部電極４３は、列方向に形成された各容量素子２１に独立して形成され、容量絶縁膜４２は、各容量素子２１に共通に形成されており、上部電極４３の側面と容量絶縁膜４２の側面とは、段差なく連続して形成されている。 （もっと読む）

【課題】エロージョンの進行したターゲットによりスパッタリングしても良好な結晶性を有する強誘電体膜を形成し、歩留まりを向上させる技術を提供する。
【解決手段】減圧成膜室１１と、被処理基板１４の温度を調整可能な静電チャック手段１２と、被処理基板１４に高周波マグネトロンスパッタするためのターゲットと１５と、減圧成膜室１１に放電ガスを供給するガス供給手段１１ａと、被処理基板１４とターゲット１５との間に放電電圧を印加し、かつターゲット１５がそれまでに放電した電気の積算電力量Ｌ１（ｋＷｈ）を計測する電源手段１７と、静電チャック手段１２と電源手段１７とを制御する制御手段１８とを備え、ターゲット１５がそれまでに放電した電気の積算電力量に基づいてスパッタリングに最適な被処理基板１４の温度を算出し、被処理基板１４を所定の温度に調整した後にスパッタリングする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不揮発性メモリ及びその製造方法に関し、強誘電体のリーク電流を抑制し、安定して使用することができる不揮発性メモリ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】不揮発性メモリ１のメモリセルは、セル選択トランジスタ５と、セル選択トランジスタ５に電気的に接続された強誘電体キャパシタ２とを有している。強誘電体キャパシタ２は、下部電極１５と、下部電極１５上に形成されて磁性元素を含む強誘電体膜１７と、強誘電体膜１７上に形成された上部電極１９とを有している。不揮発性メモリ１は、強誘電体膜１７の面垂直方向（膜厚方向）に１０ｋＯｅの磁場を印加すると共に４００℃に加熱して形成されている。 （もっと読む）