【課題】等価酸化膜厚（ＥＯＴ）が薄く、漏洩電流の小さいＤＲＡＭ用のＭＩＭキャパシタを提供する。
【解決手段】基板を準備するステップと、前記基板上に第１電気導電性層上を設けるステップと、原子層堆積法によって、前記導電性層上に層のサブスタックを設けるステップであって、前記サブスタックの少なくとも一層はＴｉＯ_２層であり、サブスタックの他層は、ペロブスカイト相を形成するのに好適な組成を有する誘電体材料層であるステップとを含む。前記層のサブスタックを含む基板に熱処理を施し、結晶化した誘電体層を得る。サブスタックに存在する一連のＴｉＯ_２層として改善した特性を有する金属−絶縁体−金属キャパシタを得るために、第２導電性層を熱処理の前または後に製造する。特に、本発明に係るＭＩＭｃａｐにおいて、誘電体層のｋ値は５０〜１００であり、ＭＩＭキャパシタのＥＯＴは０．３５ｎｍ〜０．５５ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】薄膜化しても強誘電体膜の特性を十分に引き出すことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の上方に、下部電極膜を形成した後、この下部電極膜上に、強誘電体膜１０を形成する。次に、強誘電体膜１０上に、上部電極膜１１を形成する。但し、上部電極膜１１を形成する際には、強誘電体膜１０上に、成膜の時点で結晶化した微結晶を含むＩｒＯ_x膜１１ｂを形成した後に、柱状晶を含むＩｒＯ_x膜１１ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく且つ比誘電率が高い液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電体層７０と、圧電体層７０に設けられた電極６０，８０とを具備する圧電素子３００を備えた液体噴射ヘッドＩであって、圧電体層７０は、膜厚が３μｍ以下であり、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなり、（１１０）面に優先配向し、且つ、この（１１０）面に由来するＸ線の回折ピーク位置（２θ）が３１．８０°以上３２．００°以下である。 （もっと読む）

【課題】 高効率に電荷を蓄積及び消去することができ、かつ蓄積した電荷を長時間保持することができる半導体記憶装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体記憶装置１０は、半導体基板１１と、半導体基板１１内に離間して設けられたソース領域３及びドレイン領域２と、ソース領域３とドレイン領域２との間であって半導体基板１１上に設けられたトンネル絶縁膜１２と、トンネル絶縁膜１２上に設けられ、酸化物クラスターを含む電荷蓄積膜１３と、電荷蓄積膜１３上に設けられたブロック絶縁膜１４と、ブロック絶縁膜１４上に設けられたゲート電極１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく且つ比誘電率が高い液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電体層７０と、圧電体層７０に設けられた電極６０，８０とを具備する圧電素子３００を備えた液体噴射ヘッドＩであって、圧電体層７０は、膜厚が３μｍ以下であり、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなり、（１１０）面に優先配向し、且つ、この（１１０）面に由来するＸ線の回折ピークの半値幅が０．２４°以上０．２８°以下である。 （もっと読む）

【課題】
表面及び内部の強誘電体の自発分極を劣化させず、且つ、外部電場で反転しやすいようにするため、酸素等の構成元素の欠落と表面の結晶性の劣化を排除しつつ、自発分極から発生する電場を増大させる。
【解決手段】
酸化物強誘電体の表面に、酸素以外の気体元素を十分に低減した雰囲気で、酸素原子、酸素イオン、オゾンなどの活性酸素を低運動エネルギーで照射する。また、酸化物強誘電体薄膜のように、表面が露出していない場合は、該薄膜の形成前に、該薄膜を形成する下地層の表面に、同様の活性酸素を照射する。 （もっと読む）

【課題】配向性の良好な配向性酸化物セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物結晶Ｂを含むスラリーを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂに磁場を印加するとともに前記酸化物結晶Ｂの成形体を得る工程と、前記成形体を酸化処理して、前記酸化物結晶Ｂの一部もしくは全体とは異なる結晶系を有する酸化物結晶Ｃからなる配向性酸化物セラミックスを得る工程を有する配向性酸化物セラミックスの製造方法。（１）原料を反応、（２）酸化物結晶Ａを還元、または（３）酸化物結晶Ａを高温に保持、急冷することで得られた酸化物結晶Ｂを含むスラリーを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ＦｅＲＡＭやＤＲＡＭなどに使用されるＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜などの成膜用のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、不純物量の低減を図った上で、ターゲットの製造歩留りを高めると共に、膜品質の向上などを図る。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Ａｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。このようなＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、ターゲットのＣｕ含有量を１０ｐｐｍ以下およびＡｇ含有量を１ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】ＦｅＲＡＭやＤＲＡＭなどに使用されるＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜などの成膜用のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、不純物量の低減を図った上で、ターゲットの製造歩留りを高めると共に、膜品質の向上などを図る。
【解決手段】スパッタリングターゲットはＡｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。このようなＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、Ｚｒ含有量およびＨｆ含有量をそれぞれ１００ｐｐｂ以下とする。 （もっと読む）

【課題】ペロブスカイト構造を有するアルミン酸希土類から形成された誘電体層を提供する。
【解決手段】アルミン酸希土類（ＲＥ_ｘＡｌ_２−ｘＯ_３、０＜ｘ＜２）を含み、ペロブスカイト結晶構造を有する誘電体層に関し、アルミン酸希土類は、６３以上で７１以下の原子番号を有する希土類元素を含む。また、誘電体スタック、およびアルミン酸希土類誘電体層を含み更に少なくとも上部テンプレート層１０４を含むテンプレートスタックを含む誘電体スタックの作製方法に関し、上部テンプレート層１０４はペロブスカイト構造を有し、上部テンプレート層１０４はアルミン酸希土類誘電体層１０５の下にありこれと接触する。好適な具体例では、誘電体スタックは更に結晶構造を有する下部テンプレート層１０３を含み、下部テンプレート層１０３は上部テンプレート層１０４の下にありこれに接触する。 （もっと読む）

【課題】 変位量の低下を抑制した強誘電体薄膜を形成することができる強誘電体薄膜形
成用組成物、液体噴射ヘッドの製造方法、及びアクチュエーター装置の製造方法を提供す
る。
【解決手段】 ＡＢＯ_３の化学式を有するペロブスカイト構造の強誘電体薄膜をゾル−ゲ
ル法により形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であって、強誘電体薄膜を構成する
有機金属化合物と、水とを少なくとも含むゾルからなり、前記ゾルは、Ｂサイトを構成し
得る金属の総量をＸｍｏｌ／ｋｇとし、未反応水分量をＹｍｏｌ／ｋｇとしたとき、２Ｘ
＜Ｙ＜５Ｘを満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタ等に用いた場合に、高いチューナビリティ及び高い誘電率を発現させ得る誘電体薄膜を形成する方法及び該誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】誘電体薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布し乾燥する工程を繰返し行って所望の厚さの組成物の未焼成膜を得た後、基板上に形成した未焼成膜を焼成することにより誘電体薄膜を形成する方法において、形成する誘電体薄膜がペロブスカイト型酸化物を主成分とする薄膜であるとき、基板上に形成した未焼成膜の焼成が、６０〜６０００℃／分の急速昇温加熱による第一次焼成と、０．５〜３０℃／分の低速昇温加熱による第二次焼成とをこの順番に少なくとも含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電荷蓄積領域として機能する絶縁膜積層体のバンドギャップ構造を長期間維持し、優れたデータ保持特性と、高速でのデータ書換え性能と、低消費電力での動作性能と、高い信頼性と、を同時に兼ね備えたＭＯＳ型半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】 ＭＯＳ型半導体メモリ装置６０１は、大きなバンドギャップを持つ第１の絶縁膜１１１および第５の絶縁膜１１５と、最も小さなバンドギャップを持つ第３の絶縁膜１１３との間に、両者の中間の大きさのバンドギャップを持つ第２の絶縁膜１１２および第４の絶縁膜１１４を備えている。第２の絶縁膜１１２と第３の絶縁膜１１３との間には、第１のブロック層１１２Ｂが設けられ、第３の絶縁膜１１３と第４の絶縁膜１１４との間には、第２のブロック層１１３Ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた強誘電体キャパシタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｉｒ膜１１７と、ＩｒＯ_２膜１２２と、Ｉｒ膜１１７とＩｒＯ_２膜１２２との間に設けられたＰＺＴ膜１２０，１２１と、を含む強誘電体キャパシタを有する、半導体装置を製造する方法であって、
Ｉｒ膜１１７の上に導電膜１１８を形成し、導電膜１１８の上にＳＲＯ膜１１９を形成し、ＳＲＯ膜１１９を結晶化する第１の熱処理を行い、スパッタ法により、ＳＲＯ膜１１９の上にシードＰＺＴ膜１２０を形成し、シードＰＺＴ膜１２０を結晶化する第２の熱処理を行い、ＣＶＤ法により、シードＰＺＴ膜１２０の上にバルクＰＺＴ膜１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された強誘電体薄膜の薄膜全体において残留分極量を向上させた強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたペロブスカイト型金属酸化物を含有する強誘電体薄膜であって、前記強誘電体薄膜はスピネル型金属酸化物からなる複数の柱状構造体から形成される柱状構造体群を含有し、前記柱状構造体群が前記基板表面に対して垂直方向に立位している、または前記垂直方向を中心として−１０°以上＋１０°以下の範囲で傾斜している強誘電体薄膜。 （もっと読む）

塩素、臭素又はヨウ素と反応しやすい誘電体材料にフッ素を含むパッシベーション層を堆積する方法が本明細書に開示される。パッシベーション層は、反応しやすい誘電体層を保護することができ、それにより、パッシベーション層に塩素、臭素又はヨウ素を含む前駆体を用いて堆積が可能となる。 （もっと読む）

【課題】所望の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）及びリーク電流特性を有するキャパシタを備えた半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】第１の電極と容量絶縁膜と第２の電極からなるキャパシタを備えた半導体記憶装置において、この容量絶縁膜は、金属酸化物結晶化膜からなる第１の誘電体膜と、第１の誘電体膜上の窒素含有アモルファス金属酸化物からなる第２の誘電体膜と、第２の誘電体膜上の金属酸化物結晶化膜からなる第３の誘電体膜を含む。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタの上部電極上にコンタクトプラグを容易に形成することができ、かつ、強誘電体キャパシタ上方の水素バリア膜の破損を抑制した半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板１０上に設けられた複数のトランジスタと、複数のトランジスタ上に設けられた第1の層間絶縁膜ＩＬＤ１と、第１の層間絶縁膜ＩＬＤ１上に設けられた複数の強誘電体キャパシタＣと、複数の強誘電体キャパシタＣの上面および側面を被覆する第１の水素バリア膜ＨＢ１と、強誘電体キャパシタＣの上方に設けられ、並びに、隣接する２つの強誘電体キャパシタＣ間に間隙または空孔Ｈを有する状態で埋め込まれた第２の層間絶縁膜ＩＬＤ２と、間隙または空孔Ｈの開口部を閉じるように第２の層間絶縁膜ＩＬＤ２上を被覆するカバー絶縁膜ＣＩと、カバー絶縁膜ＣＩ上を被覆する第２の水素バリア膜ＨＢ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】効率的にぺロブスカイト構造酸化物薄膜の結晶方位制御ができ、容易に高品位の正方晶系ぺロブスカイト構造酸化物薄膜を提供し得る方法を提供する。
【解決手段】蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板の（１１１）面上または（１００）面上に、正方晶系の結晶構造を有し、かつ（００１）、（１０１）または（１１１）の単一結晶配向を有するぺロブスカイト構造酸化物薄膜を作製する（ただし、（１００）面上に、（００１）の単一結晶配向を有する場合を除く）。蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板は、金属サイトまたはＦサイトの一部を他の元素で置換して格子定数を制御されていてもよい。 （もっと読む）