【課題】絶縁性に優れた複合酸化物積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２０と、前記基板２０の上方に形成され、一般式ＡＢＯ₃で表される第１複合酸化物層２４と、前記第１複合酸化物層２４の上方に形成され、一般式ＡＢ_1-xＣ_xＯ₃で表される第２複合酸化物層２６と、を含み、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなる。 （もっと読む）

【課題】圧電特性が良好な圧電材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型複合酸化物からなり、前記ペロブスカイト型複合酸化物の結晶系が少なくとも単斜晶構造を含んでいる圧電材料。前記ペロブスカイト型複合酸化物の結晶系が、単斜晶構造と菱面体晶構造を有する混在系、または単斜晶構造と正方晶構造を有する混在系であることが好ましい。


（式中、ＡはＢｉ元素であり、ＭはＦｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｙ、Ｇａ、Ｙｂのうちの少なくとも１種の元素である。ｘは０．４≦ｘ≦０．６の数値を表す。ｙは０．１７≦ｙ≦０．６０の数値を表す。） （もっと読む）

【課題】下部電極を構成する貴金属電極に変形が発生することを防止し、正常な形状の立体セルを形成する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０の上に形成され、開口部１８０を有する層間絶縁膜１６０と、開口部１８０の少なくとも側壁上に形成された密着層２４０と、開口部１８０の底面上及び少なくとも密着層２４０の側面上に形成された第１の下部電極２６０と、第１の下部電極２６０の上に形成された強誘電体膜又は高誘電体膜３６０と、強誘電体膜又は高誘電体膜３６０の上に形成された上部電極３４０とを備えている。第１の下部電極２６０は、開口部１８０から突出する突出部２６０ａを有し、強誘電体膜又は高誘電体膜３６０は、突出部２６０ａを覆うように形成され、上部電極３４０は、強誘電体膜又は高誘電体膜３６０を覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い誘電率を示すキャパシタ用絶縁膜は、キャパシタに用いられた際にリーク電流が増大する。
【解決手段】２つの電極の間に挟まれて用いられるキャパシタ用絶縁膜を、チタン酸ストロンチウム又はチタン酸バリウムストロンチウムのチタンサイトの一部がハフニウム元素で置換された結晶から形成する。 （もっと読む）

【課題】プログラマブルＭＯＳＦＥＴ（１０５）とロジックＭＯＳＦＥＴ（１１０）とを含むメモリデバイスを同一チップ上に形成する。
【解決手段】半導体基板を被う層状ゲート積層体の成形から始まり、層状ゲート積層体の高ｋゲート電極層上で停止するよう金属ゲート電極層にパターンを形成して、半導体基板上に第１、第２ゲート金属ゲート電極（１６、２１）を形成するメモリデバイスの製法が提供される。次のプロセスで、高ｋゲート誘電体層の一部を被う少なくとも１つのスペーサ（５５）を第１ゲート電極（１６）に形成する。高ｋゲート誘電体層の露出された残存部分をエッチングし、第１金属ゲート電極のサイドウォールを越えて延びる部分を有する第１高ｋゲート誘電体（１７）及び第２金属ゲート電極（２１）のサイドウォールに整合されたエッジを有する第２高ｋゲート誘電体（２２）を形成する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタを有する信頼性の高い半導体装置を高い歩留りで製造し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された第１の絶縁膜２６と、ソース／ドレイン拡散層２２に達する第１のコンタクトホール２８ａ内に埋め込まれた第１の導体プラグ３２と、第１の絶縁膜上に形成されたキャパシタ４４と、第１の絶縁膜上に、キャパシタを覆うように形成された第１の水素拡散防止膜４８と、第１の水素拡散防止膜上に形成され、表面が平坦化された第２の絶縁膜５０と、第２の絶縁膜上に形成された第２の水素拡散防止膜５２と、キャパシタの下部電極３８又は上部電極４２に達する第２のコンタクトホール５６内に埋め込まれた第２の導体プラグ６２と、第１の導体プラグに達する第３のコンタクトホール内に埋め込まれた第３の導体プラグ６２と、第２の導体プラグ又は第３の導体プラグに接続された配線６４とを有している。 （もっと読む）

【課題】摩擦力、剪断力、衝撃力などの機械的な外力が加えられることによって生じる変形によって発光する新規な発光材料を提供する。
【解決手段】本発明の発光材料は、ウルツ鉱型構造の酸化亜鉛と、立方晶又はウルツ鉱型構造の硫化亜鉛と、立方晶の酸化マンガンとの結晶構造の中から少なくとも２種類以上の結晶構造を有するものや、一般式（Ｃａ_１−ｘＡ’_ｘ）_ｙＢａ_１−ｙＴｉＯ_３、（Ｍｇ_１−ｘＡ’_ｘ）_ｙＢａ_１−ｙＴｉＯ_３、及び（Ｓｒ_１−ｘＡ’_ｘ）ｙＢａ_１−ｙＴｉＯ_３（０．０００１≦ｘ≦０．０５，０．００５≦ｙ≦０．９９５，Ａ’はＤｙ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｙ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｅｒからなる群より選ばれる希土類元素）からなるもの等のような、複数の結晶構造が混在した混相を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１上に強誘電体キャパシタ３７を形成する際、下部電極膜２５の上に、アモルファス又は微結晶の酸化導電膜２６を形成する。酸化導電膜２６を熱処理により結晶化した後、強誘電体膜２７の初期層２７Ａの形成時に酸化導電膜２６を還元することにより、結晶粒が小さく且つ配向が整った第２の導電膜２６Ａを形成する。強誘電体膜２７は、ＭＯＣＶＤ法により形成し、その初期層２７Ａは第２の導電膜２６Ａの結晶配向に倣って成長する。これにより、強誘電体膜２７の表面モフォロジが良好になる。 （もっと読む）

【課題】強誘電性能に優れた新規組成のペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物は、下記一般式で表されるものである。（Ａ_ａ，Ｂ_ｂ）（Ｃ_ｃ，Ｄ_ｄ，Ｘ_ｘ）Ｏ_３（Ａ：Ａサイト元素である。Ａ＝Ｂｉ、０＜ａ。Ｂ：１種又は複数種のＡサイト元素である。０≦ｂ＜１．０。Ｃ：Ｂサイト元素である。Ｃ＝Ｆｅ、０＜ｃ＜１．０。Ｄ：１種又は複数種のＢサイト元素である。０≦ｄ＜１．０。０＜ｂ＋ｄ。Ｘ：１種又は複数種のＢサイト元素である。ＣとＤの化学式上の平均価数よりも化学式上の平均価数が大きい元素である。０＜ｘ＜１．０。（Ａサイトの化学式上の平均価数）＋（Ｂサイトの化学式上の平均価数）＞６．０。Ｏ：酸素。Ａサイト元素とＢサイト元素と酸素のモル比は１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】過去の熱履歴等によるキャパシタのインプリント現象をリセットし、また、以降の処理によるインプリント現象の影響を低減することができる強誘電体記憶装置の初期化方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る強誘電体記憶装置の初期化方法は、下部電極(9)と上部電極(13)との間に配置された強誘電体膜(11)を有するメモリセルがアレイ状に配置された強誘電体記憶装置をパッケージする工程と、前記下部電極および上部電極に電位を印加する検査工程と、前記検査工程の後において、前記上部電極に第１の電位［０Ｖ］を、前記下部電極に前記第１の電位より高い第２の電位［Ｖｃｃ］を印加した後、動作保証温度より高い第１温度で熱処理する工程と、を有する。また、前記第１温度を、前記検査工程における検査温度およびパッケージ工程における処理温度より高くする。 （もっと読む）

【課題】絶縁性に優れた複合酸化物積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２０と、前記基板２０の上方に形成され、一般式ＡＢＯ₃で表される第１複合酸化物層２４と、前記第１複合酸化物層２４の上方に形成され、一般式ＡＢ_1-xＣ_xＯ₃で表される第２複合酸化物層２６と、を含み、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなる。 （もっと読む）

【課題】バイポーラ分極−電界曲線が非対称ダブルヒステリシス性を示し、大きな変位が期待される、強誘電性材料又は反強誘電性材料からなる酸化物体を提供する。
【解決手段】酸化物体は、強誘電性材料又は反強誘電性材料からなり、最大印加電界Ｅｍａｘと最小印加電界Ｅｍｉｎの絶対値とを同一に設定して（Ｅｍａｘ＝｜Ｅｍｉｎ｜）測定されるバイポーラ分極−電界曲線が、少なくとも５個の変曲点を有し、かつ、最大分極値Ｐｍａｘと最小分極値Ｐｍｉｎの絶対値とが異なる（Ｐｍａｘ≠｜Ｐｍｉｎ｜）非対称ダブルヒステリシス性を有するものである。１種又は２種以上のペロブスカイト型酸化物からなり、不可避不純物を含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】バイポーラ分極−電界曲線がダブルヒステリシス性を示し、大きな変位が期待される新規な強誘電体膜を提供する。
【解決手段】強誘電体膜は、最大印加電界Ｅｍａｘと最小印加電界Ｅｍｉｎの絶対値とを同一に設定して（Ｅｍａｘ＝｜Ｅｍｉｎ｜）測定されるバイポーラ分極−電界曲線が、少なくとも５個の変曲点を有し、かつ、最大分極値Ｐｍａｘと最小分極値Ｐｍｉｎの絶対値とが略等しい（Ｐｍａｘ≒｜Ｐｍｉｎ｜）ダブルヒステリシス性を有するものである。強誘電体膜は、１種又は２種以上のペロブスカイト型酸化物からなり、不可避不純物を含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】鉛やアルカリ金属を使用せず、広い温度領域で安定した結晶構造を有し、高い絶縁性及び圧電性を備えている圧電材料およびそれを用いた圧電素子を提供する。
【解決手段】正方晶の結晶構造を有する、Ｂａ（Ｓｉ_ｘＧｅ_ｙＴｉ_ｚ）Ｏ_３（ただし０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される酸化物からなる圧電材料。上記の圧電材料が一対の電極によって挟持された圧電素子において、前記一対の電極の少なくとも一つがＳｒＲｕＯ_３またはＮｉである圧電素子。 （もっと読む）

【課題】メモリキャパシタなどのキャパシタとともに、大容量を有する平滑用キャパシタを備えた半導体装置において、チップサイズの増大及び製造コストの増加が抑制された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１の上方に形成され、第１の下部電極１２Ａと第１の容量絶縁膜１３Ａと第１の上部電極１４Ａとからなるメモリキャパシタと、半導体基板における論理回路領域上に形成された論理回路トランジスタ４と、論理回路トランジスタ４の上方に形成され、第２の下部電極１２Ｂと第２の容量絶縁膜１３Ｂと第２の上部電極１４Ｂとからなる平滑用キャパシタとを備えている。第２の容量絶縁膜１３Ｂは、第１の容量絶縁膜１３Ａと同一組成の材料から構成され、且つ、第１の容量絶縁膜１３Ａの膜厚よりも大きい膜厚を有する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ誘電体膜を薄膜化しても容量を確保できる薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】薄膜キャパシタは、基板と、前記基板上に形成された単結晶金属膜よりなる下部電極と、前記下部電極上にエピタキシャルに形成された、膜厚が１００ｎｍ以下のＡＢＯ₃ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムストロンチウムの単結晶薄膜よりなるキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極とを含み、前記キャパシタ絶縁膜はスカンジウム（Ｓｃ）を含む。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグ上に直接形成される下地層の結晶配向性を良好にし、さらにこの下地層の平坦性をも良好にすることで、下部電極や強誘電体膜の結晶配向性の改善を図った強誘電体メモリ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に導電性の下地層を形成する工程と、下地層の上方に第１電極と強誘電体膜と第２電極とを積層する工程と、を含む強誘電体メモリ装置の製造方法である。下地層の形成工程は、プラグ２０を含む層間絶縁膜２６上に、自己配向性を有する導電材料からなる導電層４１１を形成する工程と、導電層４１１を窒素雰囲気中で熱処理し、窒化導電層４１２とする工程と、窒化導電層４１２を、シリコン酸化膜研磨用のスラリーを用いたＣＭＰ法によって低研磨速度で平坦化処理し、プラグ２０を含む層間絶縁膜２６上を覆った状態の平坦化窒化チタン層４１とする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】良好な強誘電体膜を形成する。
【解決手段】本発明の強誘電体メモリ素子の製造方法は、基板の上方に第１電極３３ａを形成する工程と、第１電極３３ａ上に、チタン膜３４１を形成する工程と、第１有機金属ガス及び第１酸素ガスを反応させることにより生成された生成物をチタン膜３４１上に成膜するとともに、この生成物とチタン膜３４１とを固溶させて、第１電極３３ａ上に第１強誘電体膜３４ａを形成する工程と、第１強誘電体膜３４ａの上方に第２電極３５ａを形成する工程と、を含む （もっと読む）

【課題】良好な強誘電体メモリ素子を製造する。
【解決手段】本発明の強誘電体メモリ素子の製造方法は、白金からなる表層３３２ａを含んだ第１電極３３ａを形成する工程と、第１電極３３ａの上方において、鉛を含有する第１有機金属ガスと、これを化学反応させるのに必要な量よりも少ない酸素ガスと、を供給しかつ化学反応させて、第１有機金属ガスの有機基の少なくとも一部を残した鉛化合物を生成するとともに、これを第１電極３３ａ上に成膜して不活性鉛層３４１ａを形成する工程と、不活性鉛層３４１ａ上において、強誘電体膜の金属成分を含有する第２有機金属ガスと、これを化学反応させるのに必要な量よりも多い酸素ガスと、を供給しかつ化学反応させてその生成物を第１電極３３ａの上方に成膜するとともに、この膜と不活性鉛層３４１ａとを固溶させて強誘電体膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物膜を使った容量可変素子において、効率的に容量を変化させる。
【解決手段】容量可変素子は、ペロブスカイト構造を有する金属酸化膜と、前記金属酸化膜を挟持し、外部電圧源に接続される第１および第２の電極膜と、前記金属酸化膜と前記第１および第２の電極膜とを含むキャパシタに対し電気的に直列に挿入されたバイアス電圧源と、を含み、前記バイアス電圧源は、前記キャパシタに、前記金属酸化膜の比誘電率の電圧依存性を最大化するバイアス電圧を印加する。 （もっと読む）