【課題】 基板上の磁気トンネル接合構造体を有するメモリセルを備える磁気ラム素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に磁気トンネル接合構造体４１ａ、４１ｂを有するメモリセルを備える磁気ラム素子を駆動させる方法であって、前記磁気トンネル接合構造体４１ａ、４１ｂを介して書込み電流パルスを印加する段階と、前記磁気トンネル接合構造体に書込み磁界パルスを印加する段階と、を含み、前記書込み磁界パルスの少なくとも一部は前記書込み電流パルスの少なくとも一部と時間的に重複することを特徴とする磁気ラム素子の駆動方法。 （もっと読む）

【課題】 磁気ラム素子を提供する。
【解決手段】 磁気ラム素子は、半導体基板及び前記半導体基板上に配置された磁気トンネル接合構造体を具備する。前記磁気トンネル接合構造体と前記半導体基板との間に下部電極コンタクトプラグが配置される。前記下部電極コンタクトプラグは、前記磁気トンネル接合構造体と前記半導体基板との間に電気的接続を提供する。前記磁気トンネル接合構造体に隣接してデジットラインが配置される。また、前記磁気ラム素子の製造方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】 ビット線及びワード線に対するクロストークを低減しながら上層の信号配線を配置可能とし、かつブロック配置ローテーションの制約がなくチップ上の信号配線方向に適合したレイアウト構造を有することで、デッドスペースの発生や配線乗り換えによる面積ロスを低減する。
【解決手段】 スタティックＲＡＭのメモリセルアレイ領域１０上においてワード線２１，２２…とビット線３１ａ，３１ｂ…との交点を縦横２点ずつ覆うようにダミー配線パターン４１１，４１２…，４２１，４２２…を形成することで、これらダミー配線パターンの間に横方向に走る配線チャネル５ａ１，５ａ２…と、縦方向に走る配線チャネル５ｉ１，５ｉ２…とを格子状に形成する。いずれかの配線チャネル（例えば５ａ２）を通るように信号配線７０を自動配置する。この信号配線７０は、ワード線２１，２２…の上層に位置し、かつダミー配線パターンと同層のメタル配線である。 （もっと読む）

【課題】 シャント部付近のＷＬのオープンを抑制し、安定した歩留りを得ることが可能なＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に形成された複数のゲートが、前記半導体基板に形成されたソース及びドレインを共有して、直列に接続された複数のＮＡＮＤ列を具備し、各前記ＮＡＮＤ列の両端に配置されるセレクトゲート１０と、前記セレクトゲート間に配置された電荷蓄積領域であり、前記セレクトゲートにより制御される制御ゲートを構成する複数のワードライン９と、隣接する前記ＮＡＮＤ列間の、所定位置で分断された前記セレクトゲート１０間に形成され、前記半導体基板と上層配線とのコンタクトとなるシャント部１１を備え、分断された前記セレクトゲートは、夫々隣接する前記セレクトゲートと短絡されている。 （もっと読む）

【構成】この発明は，一例示的実施形態では，基板上に形成され，基板をバイアスし，集積回路構造（たとえば，ＤＲＡＭメモリ・セル）の隣接する動作領域間を絶縁する絶縁ゲートを提供する。ゲート誘電体として，従来のゲート酸化物層ではなく，酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）を用いて，トレンチ（溝）絶縁領域の下および近くに正孔過剰な蓄積領域を形成する。この発明の別の例示的実施形態は，シャロー・トレンチ（溝）絶縁（ＳＴＩ）領域の効果を高めるために絶縁領域内のライナとして利用される酸化アルミニウム層を提供する。これらの実施形態は，絶縁領域において一緒に用いることも可能である。 （もっと読む）

本発明による電子装置（１００）は、第１値と第２値との間で電気的にスイッチ可能な電気抵抗率を有するメモリ材料の層（１０７）を備える。メモリ材料は相変化材料でもよい。電子装置（１００）は電子装置の第１端子（１７２）とメモリ材料の層（１０７）を電気的に接続する一組のナノワイヤ（ＮＷ）をさらに備え、それによって、第１端子からナノワイヤ（ＮＷ）及びメモリ材料の層（１０７）を介して電子装置の第２端子（２７２）への電流の伝導を可能にする。各ナノワイヤ（ＮＷ）は各々のコンタクト領域でメモリ材料の層（１０７）に電気的にコンタクトがとられる。全てのコンタクト領域ほぼ同一である。本発明による方法は、本発明による電子装置（１００）を製造するのに適している。
（もっと読む）

【課題】３次元半導体装置において、信号伝送路の３次元配線容量を減らして消費電力を削減する。
【解決手段】半導体回路チップ３０を複数枚積層し、この半導体回路チップ間の信号伝送のためのチップ間配線５０を複数本備えた３次元半導体装置において、信号伝送時に信号伝送の経路となる１つのチップ間配線５０のみを選択し、それ以外のチップ間配線５０をチップ間配線５０と信号線との間に設けたスイッチによって電気的に切り離す。これによって、配線の充放電に関わるチップ間配線容量を最小限にする。 （もっと読む）