【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方面側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面の上方側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記電子注入阻止層２１から前記Ｘ線透過性基板１７の上方面に到達する凹部３２を形成し、この凹部３２内の前記Ｘ線透過性基板１７の上方面には電子注入阻止層２１を形成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側の上方に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記正孔注入阻止層１９および薄膜状電極１８を貫通し、前記Ｘ線透過性基板の上面に達する凹部３２を形成。 （もっと読む）

【課題】半導体層において発生した電荷信号を読み出すための線状電極が多数配列された電極層を備えた放射線画像検出器において、ショート不良や結晶化などによる画像欠陥を生じることなく線状電極の断線不良を修復する。
【解決手段】線状電極５ａの長さ方向に伸びる側端部に沿って隔壁部材６を設け、隔壁部材６に挟まれた線状電極５ａの断線箇所に導電性部材を分散させた溶剤２０を滴下し、硬化させて断線箇所の修復をし、断線箇所の修復の後、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】塗布液の主成分と基板との接触角が大きい場合でも、塗布膜を均一に形成する。
【解決手段】被塗布物Ｗの被塗布面ＷＡに対して塗布液を供給する際に、被塗布面ＷＡに対して補助溶媒の供給を開始した後に、既に被塗布物Ｗの被塗布面ＷＡに供給されている補助溶媒の上に重なるように塗布液を供給する。これにより、塗布液及び塗布液の主成分である溶媒を被塗布面ＷＡに供給する構成に比して、被塗布物Ｗの被塗布面ＷＡにおいて塗布液が広がりやすくなり、被塗布物Ｗの表面状態や塗布液の粘度等に関わらず塗布液を被塗布面ＷＡに均一に広げることができる。その結果、被塗布面ＷＡに塗布膜を均一に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を高い電子輸送性を維持したまま、正孔輸送性を大きく向上することができるものとする。
【解決手段】記録用光導電層の両側に電極が設けられ、この電極間に所定のバイアス電圧を印加した状態で、放射線の照射を受けることにより記録用光導電層内部に発生した電荷を電気信号として検出する放射線検出器において、記録用光導電層をアルカリ金属元素を0.0007原子ppm〜0.0035原子ppmの範囲で含有するアモルファスセレンとする。 （もっと読む）

【課題】ビーム入射角を高精度で検出することができる小形軽量のビーム入射角検出センサユニット、ビーム入射角測定ユニット、ビーム入射角検出装置および移動装置を提供する。
【解決手段】ビームを遮蔽する第１のビーム遮蔽層本体に、ビームが入射可能の第１のスリット１１Ｃｂを形成した第１のビーム遮蔽層１１Ｃと、この第１のビーム遮蔽層１１Ｃに所定間隔を置いて対向配置される第２のビーム遮蔽層本体に、その平面方向に沿う横方向へ前記第１のスリット１１Ｃｂに対して相対的にずれた位置にて第２のスリット１２Ｃｂを形成した第２のビーム遮蔽層１２と、前記第１，第２のスリット１１Ｃｂ，１２Ｃｂから入射されたビームを検出するセンサ素子を有するセンサ層１３Ｃと、を具備している。 （もっと読む）

【課題】ＣｄＴｅと代替可能であって環境負荷の小さい物質を特定し、それを用いた半導体放射線検出器を提供すること。
【解決手段】酸化亜鉛単結晶基板を利用して構成されるダイオードを備えた放射線検出器を用いる。厚さ２ｍｍのｎ型酸化亜鉛で構成される基板２１０上に、膜厚０．１μｍのＰｔ薄膜からなるショットキー電極２２０を形成する。続いて、基板２１０の下面に膜厚０．１μｍのＣｒ薄膜２３１を形成し、更に、Ｃｒ薄膜２３１の下面に膜厚０．１μｍのＡｕ薄膜２３２を形成する。Ｃｒ薄膜２３１及びＡｕ薄膜２３２はオーミック電極２３０として機能する。基板２１０に対して放射線が入射されるとショットキーダイオードに電流が流れるため、放射線を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ、簡単に大量生産が可能なテラヘルツ光伝導基板、並びに、それを用いたテラヘルツ光検出装置、テラヘルツ光発生装置、およびテラヘルツ光測定装置を提供する。
【解決手段】 本発明のテラヘルツ光伝導基板１０は、第１の半導体層１１と、第１の半導体層１２の一方の主面上に形成された、光照射により伝導性を示す第２の半導体層１２とを備え、第２の半導体層１２は、希土類元素を含有する。これにより、光伝導材料に必要な（１）非常に短いキャリア寿命、（２）高い絶縁性、（３）比較的高い移動度という３つの特性を有する光伝導材料を実現可能である。 （もっと読む）

【課題】光導電層に到達するまでの放射線の減衰を低減すると共に、充填材を充填する際に生じる気泡の排出性に優れる。
【解決手段】光導電層404の表面を凸面で形成して、充填材444の厚みを薄くしているので、充填材444を透過する放射線の透過性が向上する。このため、光導電層404に到達するまでの放射線の減衰が低減する。また、光導電層404の表面が凸面で形成されているので、充填材444に気泡が混入した場合でも、光導電層404の表面が凹面や平面で形成されている構成に比べ、気泡は凸面に沿って凸面の頂から外側へ排出されやすいので、気泡の排出性に優れる。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器を電極と記録用光導電層との間に結晶化防止層を設けても皺の発生を抑制することが可能なものとする。
【解決手段】基板１上に、複数の基準電極２と、ａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層５と、Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉからなる群より選ばれる少なくとも一つの元素を含有するａ−Ｓｅからなる結晶化防止層４’と、バイアス電極７をこの順に積層してなる放射線画像検出器１０において、記録用光導電層５と結晶化防止層４’との間に、金属フッ化物、金属酸化物、ＳｉＯ_x、ＧｅＯ_x（ｘはともに０．５≦ｘ≦１．５）からなる群より選ばれる少なくとも一つの特定物質を含有したａ−Ｓｅからなる熱変形防止層６を設ける。
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【課題】 ゲルマニウムは、半導体プロセスを用いて光電気混載ＬＳＩに搭載される長波長帯光デバイスに用いる場合、吸収の長波長化又は長波長帯での吸収が実用化されていない。
【解決手段】 ゲルマニウム原子を主成分とする四面体結合される半導体を光電変換層に用いる光デバイスであり、光電変換層を構成する四面体結合される半導体の格子点サイトのゲルマニウム原子を置換するｎ型ドーパントＤまたはｐ型ドーパントＡと、前記ドーパントに最近接の格子間サイトに挿入される異種原子Ｚを含み、異種原子Ｚはドーパントとの電荷補償により電子配置が閉殻構造となる光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料蒸発装置による複数の蒸着材料からなる化合物の層の成膜において、均一な成分比を有する蒸着膜を形成する。
【解決手段】蒸着材料を加熱して蒸発させる蒸着材料蒸発装置において、異なる蒸着材料14、15をそれぞれ収容する複数の蒸着容器11a、11bと、これらの蒸着容器11a、11bに収容された蒸着材料14、15を加熱する加熱手段16と、この複数の蒸着容器11a、11b内で蒸発した蒸着材料14、15が共に通過して出て行く共通開口13とを備える。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器における、下部層との界面、上部層との界面での結晶化を防止して、電子走行性を改良し、経時による画像欠陥の増加を抑制する。
【解決手段】放射線画像を担持した記録用の電磁波を透過する第１の電極１と、第１の電極１を透過した前記記録用の電磁波の照射により電荷を発生する、アルカリ金属を含むアモルファスセレンを主成分とする記録用光導電層３と、複数の電荷収集電極４と、基板５とをこの順に積層してなる放射線画像検出器において、第１の電極２と記録用光導電層３との間に、結晶化防止層２としてＡｓ、Ｓｂ、Ｂｉからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を５％〜４０％含有するアモルファスセレン層を設ける。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属が特定の濃度分布を有し、感度劣化が少なく、電子走行性特性に優れた記録用光導電層を備えた放射線固体センサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】記録用光導電層の両側に電極が設けられ、この電極間に所定のバイアス電圧を印加して、放射線入射によって記録用光導電層内部に発生する電荷を電気信号として検出する放射線固体センサーにおいて、電極間に所定領域が設けられ、この領域のアルカリ金属平均濃度が、電極間の領域以外の部分の１０倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサにおいて、より高い感度を得る。
【解決手段】ＺｎＯを含む酸化物半導体からなる、ＺｎＯ層２と、ＺｎＯ層２に接するように設けられるものであって、ＺｎＯがＮｉＯに固溶してなる酸化物半導体からなる、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３と、ＺｎＯ層２に電気的に接続される、第１の端子電極５と、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３に電気的に接続される、第２の端子電極６とを備え、ＺｎＯ層２が紫外線７の受光側に位置されるように用いられる。（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３は焼結体からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＣＧＬ塗布溶剤の制約を解消し、デュアルＣＧＬ構造を容易に作製することを可能とし、且つデュアルＣＧＬ構造における電気応答特性の非対称性を抑制し、表示特性や駆動能力を向上させることが可能な光スイッチング素子及びそれを用いた光書き込み型表示媒体を提供することである。
【解決手段】一対の電荷発生層と、該一対の電荷発生層に挟持された電荷輸送層と、を含んで構成される光スイッチング層を有する光スイッチング素子であって、該電荷輸送層が、特定構造の電荷輸送性高分子を含んでなる光スイッチング素子である。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器の、蛍光体の発光スペクトルと光導電層の分光感度とのマッチングが良好なものとする。
【解決手段】照射された放射線をこの放射線の線量に応じた量の可視光に変換するシンチレータ３からなる光変換部、およびこの光変換部からの可視光を電荷に変換してこの電荷を蓄積する光導電層を有し、この光導電層に蓄積した電荷を読み取る固体光検出器２とからなる放射線検出器１において、シンチレータ３がその発光光子の１／２以上が５００ｎｍから７００ｎｍの波長範囲にある蛍光体からなり、光導電層がＴｅをドープされたａ−Ｓｅからなるものとする。 （もっと読む）

【課題】放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層を、感度劣化が少なく、かつ光伝導の残像特性の向上したものとする。
【解決手段】光導電層を、一価金属が０．１〜１０００モルｐｐｍおよびＳｅ以外のカルコゲナイド元素が０．１〜１０００モルｐｐｍ含有するセレン合金を用いて形成されたものとする。 （もっと読む）

【課題】紫外光のみの強度を電気信号に変換する光電変換デバイス、およびこれを用いた携帯に適した安価な紫外光強度測定装置を提供すること。
【解決手段】本発明の光電変換デバイスは、基本的に酸化モリブデンを成分とする材料層から構成され、典型的には、基板と、この基板上に形成される高純度の酸化モリブデンの結晶薄膜とから成る。本発明の光電変換デバイスに所定の周辺回路を追加することにより、紫外光用の光強度測定装置が製作できる。これにより、紫外光のみの強度を定量的に測定できる小型で、かつ安価な紫外光強度測定装置の実現が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線検出特性を劣化させることなく、安定して確実に製造することができる、半球体の半導体検出器および半導体検出器製造方法を実現する。
【解決手段】 半球体をなす半導体検出器１０の半球断面に掘削部１８を設け、半球面をなすＰ型半導体領域１１の辺縁部に突起部１４を設けることとしているので、製造工程で必要とされる半導体検出器１０の支持を突起部１４で行い、簡易な構造の半導体検出器１０のＸ線検出特性に影響を与えることなく、安定して確実に製造を行うことを実現させる。 （もっと読む）