【課題】Ｘ線検出用フォトダイオード等においては、初期結晶材料として、裏面側に高濃度の不純物がドープされた単結晶ウエハ等を使用する場合がある。このような場合、裏面側不純物の外方拡散によるクロスコンタミネーション等を防止するために、予め、ウエハの裏面に、酸化シリコン膜等の不純物外方拡散防止膜等を形成しておく等の対策が講じられる。しかし、裏面に不純物外方拡散防止膜を形成する際に、ウエハの表面を損傷する等の問題が有る。
【解決手段】本願発明は、裏面に高濃度の不純物ドープ層を有する半導体ウエハの裏面に、不純物防止膜を形成するに当たり、まず、前記半導体ウエハの表面に酸化シリコン系絶縁膜等の表面保護膜を形成し、その状態で、前記裏面に、前記不純物防止膜を形成し、その後、ウエットエッチングにより、前記不純物防止膜を残した状態で、前記表面保護膜をほぼ全面的に除去するものである。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構造で適切な受光感度を得ることが可能な紫外線センサ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 紫外線センサ素子は、ステム６０に紫外線透過フィルタ７２が形成されたキャップ７０が溶接されて、チップ５０が封止された構造を有する。外部から照射される紫外線は、紫外線透過フィルタ７２を透過して、チップ５０を構成するチップ状酸化亜鉛単結晶３０の受光面であるａ面に到達する。チップ状酸化亜鉛単結晶３０のａ面に紫外線が到達することによって、チップ状酸化亜鉛単結晶３０の抵抗値は変化する。そして、抵抗値の変化に伴って、チップ状酸化亜鉛単結晶３０を流れる信号の電流（光電流）の値も変化する。図示しない外部の装置は、端子６２に接続されており、信号の電流値を検出し、当該電流値に基づいて、紫外線量を算出することができる。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】 光検知素子の検知効率を高めることが望まれている。
【解決手段】 基板の上に、複数の量子ドットを含む量子ドット層が配置されている。量子ドット層の上に、再入射構造物が配置されている。再入射構造物は、量子ドット層を通過した光を反射して量子ドット層に再入射させると共に、第１の方向の偏光成分を、第１の方向とは異なる第２の方向の偏光成分に変換して量子ドット層に再入射させる。 （もっと読む）

【課題】量子ドット型赤外線検知器の感度を向上させること。
【解決手段】量子ドットと、前記量子ドットを覆い、エネルギーギャップが前記量子ドットより広い第１の障壁層と、前記第１の障壁層の上側および前記量子ドットの下側に設けられ、エネルギーギャップが前記量子ドットより広く且つ前記第１の障壁層より狭い中間層と、前記第１の障壁層内に設けられ、エネルギーギャップが前記量子ドットより広く且つ前記第１の障壁層より狭い量子井戸層とを有する光電変換層と、前記光電変換層の両側に設けられた電極層を備えた量子ドット型赤外線検知器。 （もっと読む）

【課題】一層の半導体層から膜厚の異なる半導体層を有する半導体薄膜基板を提供することを目的の一とする。または、半導体薄膜基板を適用した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に半導体層を形成し、半導体層を加工して第１の島状半導体層および第２の島状半導体層を形成し、第１の島状半導体層にレーザー照射を行うことにより第１の島状半導体層を溶融させ、第１の島状半導体層から第２の島状半導体層より膜厚が厚い第３の島状半導体層を形成する、半導体薄膜基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】バルク中の不純物に起因するバルク中の漏れ電流および素子の表面の漏れ電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】改質領域を形成することによる半導体基板の機械強度の低下を抑制すると共に、クロストークの抑制効果を向上させることが可能なフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１は、半導体基板３と、半導体基板３の裏面３ｂ側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合１１によりフォトダイオード１３を構成する複数のｐ型半導体領域５と、を備え、半導体基板３の隣接するｐ型半導体領域５間の領域には、該領域の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、ｐ型半導体領域５の配置方向に離隔し且つｐ型半導体領域５の配置方向に交差する方向に延びる２つの改質領域５０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性及び歩留まりを向上させる。
【解決手段】ｉ層（１）とそのｉ層（１）を取り巻くｐ層（５）とを有する略円柱状の半導体の一方の底面の中央部分にｎ面電極（３）を有し、他方の底面にｐ面電極（７）を有し、ｎ面電極（３）の周囲から半導体の周面までの底面を、ｎ面電極（３）の周囲から半導体の周面へと下がるテーパ面（８）とする。
【効果】ドリフトの際にｉ層（１）が半導体の周面にまで広がってｉ層露出部が生じても、テーパ面（８）を形成するためにｉ層露出部が除去されてしまい、ｉ層（１）の周面全部をｐ層（５）が筒状に取り巻く構造を確保できる。これにより、信頼性および歩留まりを向上させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器の電気特性（暗電流、欠陥）を長期に亘って維持する。
【解決手段】画像情報を担持した記録用の電磁波を透過するバイアス電極８と、バイアス電極８を透過した記録用の電磁波の照射により電荷を発生するａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層５と、発生電荷を蓄積する蓄電部と、複数の基準電極２と、基板１とをこの順に積層してなる放射線画像検出器において、バイアス電極８と記録用光導電層５との間に、硫化アンチモンからなる第一の中間層７と、特定物質として、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、ＳｉＯ_x、ＧｅＯ_x（ｘはともに０．５≦ｘ≦１．５）のうち少なくとも１種を含有するａ−Ｓｅ層からなる第二の中間層６とを、第二の中間層６を記録用光導電層５側に向けて積層して設け、第二の中間層６の特定物質平均濃度を０．０００３モル％以上０．００３モル％以下とする。 （もっと読む）

【課題】保護膜を接着する構成であっても、保護膜の変動を防止又は抑制する。
【解決手段】外部の気圧低下や温度上昇により粘着シート１２０と保護フィルム１０８との間の空間１２８の気体が膨張しても、膨張した気体が、バッファ空間１１０に移動し、柔軟な保護フィルム１０８Ａの作用によってバッファ空間１１０の体積が大きくなる。つまり、粘着シート１２０と保護フィルム１０８との間の空間１２８の体積変動がバッファ空間１１０によって吸収される。したがって、保護フィルム１０８の変動が防止又は抑制される。これにより保護フィルム１０８の剥離が防止される。 （もっと読む）

【課題】電荷変換層が周囲から受ける圧力を低減し、電荷変換層の劣化を抑制する。
【解決手段】カバーガラス440と保護部材442との接合部分が、光導電層404の外側に配置されているため、カバーガラス440と保護部材442との接合部分で発生するストレスが硬化性樹脂444を介して光導電層404に伝わるのを抑制する。これにより、光導電層404が受ける圧力を低減し、光導電層404の劣化を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法により作成する放射線検出器において、放射線吸収層とするｐ型CdTe厚膜層のイオン化不純物密度を低減することを提供する。
【解決手段】放射線検出部とするｐ型厚膜CdTe層（100〜500mm）の形成を、成長温度400℃以上で微量のn型不純物を導入しながら成長する。 （もっと読む）

【課題】センサのリーク電流を減らし、信号強度を上げるためのバリア層の膜厚に関して、信号出力強度への影響と、より最適な範囲を明らかにし、従来よりも出力信号が大きい赤外線センサ構造を提供すること。
【解決手段】GaAs基板１０上に形成された、ｎ型ドーピングされたInSb層１１と、該InSb層１１上に形成された、ｐ型ドーピングされたInSb層（π層）１２と、該InSb層１２上に形成された、InSb層１２よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつInSb層１１、及びInSb層１２よりも大きなバンドギャップを有する材料であるAl_xIn_1-xSb層１３（０＜ｘ＜１）とを備え、Al_xIn_1-xSb層１３の膜厚が、２ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】光エネルギー変換装置における窒化物半導体を用いた半導体光電極の劣化防止を図る。
【解決手段】互いに電気的に接続された半導体光電極１５と対向電極１６を有し、半導体光電極１５が表面に酸化チタン膜１９を成膜した窒化物半導体１８で形成され、対向電極１６及び半導体光電極１５が溶液１３中に配置されて成る。 （もっと読む）

【課題】
従来、フォトダイオード又はフォトダイオードの樹脂封止体には空乏層に集光する為に反射面やレンズが備えられたが、反射面で反射した光の全てが空乏層に入射するわけでない。また、光を反射する性質を持たないフィラーをフォトダイオードの樹脂封止体に混合しており、フォトダイオードに入射する光が空乏層に到達できるとは限らない。
本願発明は上記課題を解決する為になされたもので、フォトダイオードに入射する光の一部をフォトダイオードの空乏層へ集光又は到達させることを目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成する為に、本発明は、フォトダイオードの基板又は半導体層に反射面を備えた。また、フォトダイオードを収容する筐体に拡散体を充填した。 （もっと読む）

【課題】従来のダイヤモンド半導体を受光部に用いた紫外光センサー素子は、整流性およ
びオーム性電極いずれに対しても、Au基電極材を使用していた。しかしながら、Au基電極
材はダイヤモンドとの密着性が悪いこと、機械的強度が弱いこと、更に熱安定性が悪いこ
との致命的な欠点があった。
【解決手段】素子構造の複雑化を回避しながら光伝導型センサー素子の特徴を生かしつつ
、機械的強度が強い高融点金属のカーバイド化合物（TiC、ZrC、HfC、VC、NbC、TaC、CrC
、MoC、およびWC）を整流性電極及び／又はオーム性電極に用いることによって、波長２
６０ｎｍ以下の紫外光に対する受光感度を持つ、極めて熱安定なダイヤモンド紫外光セン
サーを提供する。
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本発明は、電離放射線を検出する検出器において、前記検出器からの信号の読出しと評価とを行う読出し装置に接続するように配置された少なくも１つの検出器を含み、前記少なくも１つの検出器はキャリア材料とキャリア材料に適用される活性検出器材料を含む１つの層（４）とを含み、前記活性検出器材料は、前記層（４）に入射する電離放射線（３）を受信する場合、前記層（４）内の前記活性検出器材料に電離を引起すように配置され、前記層（４）に電界を印加し、それにより前記電離は電流を生じ、前記読出し装置は、前記入射電離放射線（３）をこの方式で検出することができるように配置される検出器である。本発明の検出器は、前記層内の前記活性検出器材料には電離放射線が検出可能な電流を生ずる程度までＺｎＯを含むことを特徴とする。 （もっと読む）