【課題】十分な感度が得られ、高速応答を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１、１５と、前記一対の電極間に配置された光電変換層１２とを含む光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換層を形成するための原料の少なくとも１種として、最小径が０．３ｍｍ以上である結晶粒子を含む有機材料を使用し、前記有機材料を所定の安定蒸着速度に到達するまで加熱する工程と、前記安定蒸着速度に到達した後、前記光電変換層の成膜を行わずに前記結晶粒子の全体積の少なくとも１／５を昇華させる工程と、前記有機材料の全体積の少なくとも１／５を昇華させた後、前記光電変換層の製膜を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体層において発生した電荷信号を読み出すための線状電極が多数配列された電極層を備えた放射線画像検出器において、ショート不良や結晶化などによる画像欠陥を生じることなく線状電極の断線不良を修復する。
【解決手段】線状電極５ａの長さ方向に伸びる側端部に沿って隔壁部材６を設け、隔壁部材６に挟まれた線状電極５ａの断線箇所に導電性部材を分散させた溶剤２０を滴下し、硬化させて断線箇所の修復をし、断線箇所の修復の後、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】光導電層及びバイアス電極を封止する封止層上に保護基板を有さない放射線検出器の製造方法において、寸法安定性の良い封止層を形成する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板450、スペーサー442及び蓋部材440で囲まれる空間に、硬化型封止材料を充填し、硬化型封止材料を硬化させて封止層444が形成される。このため、封止層444は、アクティブマトリックス基板450、スペーサー442及び蓋部材440により形作られ、封止層444の厚みは、アクティブマトリックス基板450と蓋部材440の間に配置されることになるスペーサー442の厚みにより決定される。このため、厚みにばらつきの少ない寸法安定性の良い封止層444の形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】高い感度及びＳ／Ｎ比を有する光電変換材料層を備えた新規の光電変換素子を組み込んだ光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、及び、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、第１電極２１と第２電極２２との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層３０に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層３０にて生成する電流が照射時間の経過に従って変化する光電変換素子１１、並びに、（ｂ）該電流変化を検出する電流検出回路４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】光劣化が抑制され、長寿命であり、かつ簡単な構成のＴＦＴ光センサ及びこのＴ
ＦＴ光センサを備えた液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の光センサは、半導体層１４Ｌ１〜１４Ｌｎとしてアモルファスシリ
コン層を用いた薄膜トランジスタからなる光センサＬＳ１〜ＬＳｎであって、前記薄膜ト
ランジスタからなる光センサＬＳ１〜ＬＳｎのチャネル領域の表面は外光の積算光量に応
じて光透過率が上昇する材料からなる層１８が形成されていることを特徴とする。この外
光の積算光量に応じて光透過率が上昇する材料からなる層１８としては、ポジ型感光性樹
脂材料からなるものを使用できる。本発明の光センサは、液晶表示装置のバックライト等
の明るさの制御に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】赤外領域の光を十分に吸収でき、感度が高く、かつ、暗電流を低減することができる光電変換材料、光電変換素子及び撮像素子を提供する。
【解決手段】入射した光に応じた電荷を生成する光電変換膜に含まれる光電変換材料が、下記式（左）で示されるスクアリリウム化合物と、下記式（右）で示されるナフタロシアニン化合物とを含む。


（Ａ，Ｂはそれぞれ独立に、結合位がｓｐ²炭素である置換基で、Ｍは金属原子を表し、Ｒ₄〜Ｒ₂₇はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。） （もっと読む）

【課題】半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜からなる高性能な光検出器、および、それに用いる安定性かつ信頼性のある半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ナノ粒子埋め込み絶縁膜を用いる光検出器１００であって、底部電極１０２と、底部電極１０２の上に重なり、ＮおよびＣからなる群から選択された元素を含む半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜１０４と、半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜１０４の上に重なる上部電極１０６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上に直接固着する透明部材の小型化を図りながら、当該透明部材への付着物を抑え、光学特性の不良を防止できる光学半導体装置を提供する。
【解決手段】一方の面に光学素子12が形成された半導体チップ11と、前記光学素子12を覆うように前記半導体チップ11上に透明接着剤25により固着された透明部材13とを備え、前記透明部材13における前記半導体チップ11への対向面の少なくとも一つの稜線は面取り部14またはＲ部とされる。 （もっと読む）

【課題】共役系高分子を活性層とする電子素子であって工業的製造が容易でかつキャリア移動度等の特性の高い電子素子を提供する。
【解決手段】共役系高分子に接して少なくとも２つの電極が設置されてなる電子素子において、少なくとも２つの電極の間隙において該共役系高分子の主鎖が配向してなり、式（１）で表される該電子素子のホッピング確率係数Ｚが１を越え１０未満であることを特徴とする電子素子。
Ｚ＝ｄ_min÷Ｌ_min （１）
〔Ｌ_min：該共役系高分子の数平均分子鎖長、
ｄ_min：該２つの電極の内の１つの電極の１点と他の電極の１点とを結ぶ線分の長さの内で最小である長さ。〕 （もっと読む）

【課題】信号配線の寄生容量の増加を抑制しつつ、薄膜トランジスタからのリーク電流の発生を抑制することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】電磁波に対して遮光性を有する導電性部材により形成され、半導体層６で発生した電荷を収集する下部電極１４を延伸させて、信号配線３のＴＦＴスイッチ４との接続部を含む一部分の電磁波の照射面側に遮光部を形成する。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を長期に亘って電気特性（暗電流、欠陥）を維持することが可能であって、製造上のコスト高を抑制することが可能なものとする。
【解決手段】画像情報を担持した記録用の電磁波を透過するバイアス電極９と、このバイアス電極９を透過した記録用の電磁波の照射により電荷を発生する、ａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層５と、この記録用光導電層５において発生した電荷を蓄積する蓄電部およびこの蓄電部に蓄積された電荷信号を読み出すスイッチ素子を有し、直交する方向に２次元状に多数配列された電荷検出素子２とからなる放射線画像検出器において、バイアス電極９と記録用光導電層５との間に、フッ化物薄層８を設ける。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコンとの密着性を考慮した上で、ソース電極及びドレイン電極の断線を防止する。
【解決手段】本発明に係るフォトセンサーは、薄膜トランジスタ１０１をアレイ状に配置した素子領域１０２を有するＴＦＴアレイ基板を備えたフォトセンサーであって、薄膜トランジスタ１０１の上部に設けられ、コンタクトホールＣＨ１が形成されたパッシベーション膜８と、コンタクトホールＣＨ１を介して薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極７と接続するフォトダイオード１００とを備え、ＴＦＴアレイ基板の素子領域の外側の周辺領域１０３では、パッシベーション膜８及びゲート絶縁膜３が除去され、周辺領域１０３のパッシベーション膜８のエッヂは、基板周辺のゲート絶縁膜３のエッヂと同じ位置、又はゲート絶縁膜３のエッヂより外側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】リセットノイズを正確に除去することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板１上方に積層された一対の電極１４，１６とこれに挟まれる光電変換層１５とを含む光電変換素子Ｐと、光電変換層１５で発生した電荷に応じた信号を出力するＭＯＳトランジスタにより構成される信号出力回路とを有する固体撮像素子であって、基板１内に設けられ、光電変換層１５で発生した電荷が直接蓄積される第一の電荷蓄積部４と、基板１内に設けられ、前記信号出力回路を構成する出力トランジスタのゲートに接続された第二の電荷蓄積部５と、第一の電荷蓄積部４に蓄積された電荷を第二の電荷蓄積部５に転送する電荷転送ゲート８とを備える。 （もっと読む）

【課題】タルボ干渉計を利用した放射線位相画像撮影装置において、より製造を容易化するとともに、装置を簡略化してコストの削減を図る。
【解決手段】放射線源１１と、回折格子３０と、放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層とその電荷を収集する電荷収集電極とを備えた放射線画像検出器あって、電荷収集電極が、一定の周期で配列された線状電極を互いに電気的に接続した線状電極群が互いに位相が異なるように配置されたものである放射線画像検出器４０とから放射線位相画像撮影装置を構成し、従来の振幅型回折格子を設けないようにする。 （もっと読む）

【課題】動作の信頼性の高いＸ線検出器を提供する。
【解決手段】保護膜42に有機材料を用いる。保護膜42の厚みを厚く形成してフォトダイオード素子18間の段差を覆って表面を平坦化する。保護膜42上の平坦面にバイアス電極43を形成し、バイアス電極43の断線などの不具合を防止する。回路基板17のゲート電極27とバイアス電極43との距離を離し、これらの間での配線間容量を小さくし、ノイズを低減する。 （もっと読む）

【課題】光導電層に到達するまでの放射線の減衰を低減すると共に、充填材を充填する際に生じる気泡の排出性に優れる。
【解決手段】光導電層404の表面を凸面で形成して、充填材444の厚みを薄くしているので、充填材444を透過する放射線の透過性が向上する。このため、光導電層404に到達するまでの放射線の減衰が低減する。また、光導電層404の表面が凸面で形成されているので、充填材444に気泡が混入した場合でも、光導電層404の表面が凹面や平面で形成されている構成に比べ、気泡は凸面に沿って凸面の頂から外側へ排出されやすいので、気泡の排出性に優れる。 （もっと読む）

【課題】電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層とが積層された放射線画像検出器において、画像領域を狭くすることなく、電圧印加電極から半導体層への電荷の注入を抑制するとともに、電圧印加電極の端部における放電破壊を防止する。
【解決手段】電圧印加電極１の少なくとも端部を覆うように電荷注入阻止層１１を設け、電荷注入阻止層１１の上面に、電圧印加電極１の端部１ａの側端面１ｂよりも外側に一方の側端面１２ａが位置するとともに、他方の側端面１２ｂが電圧印加電極１の端部１ａの側端面１ｂの位置またはその側端面１ｂの位置よりも内側に位置するように張出電極１２を設ける。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの下部電極と、データとの間の寄生容量を低減する。
【解決手段】本発明に係るフォトセンサーは、ガラス基板１と、ガラス基板１上に設けられ、ガラス基板１よりも低い誘電率を有する下地絶縁膜１９と、下地絶縁膜１９上にゲート電極２、ゲート絶縁膜３、半導体層４を積層してなり、半導体層４に接続されたドレイン電極７を有するスイッチング素子とを備える。ドレイン電極７は、下地絶縁膜１９表面に直に接する延設部分を有する。そして、ドレイン電極７の延設部分上に設けられたフォトダイオード２０をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】真空プロセスおよび溶液プロセスのいずれによっても成膜可能で、キャリア輸送性が高く、赤外領域において光吸収および高い光電変換特性を示す有機半導体材料、およびこれを用いた電子デバイス（特に有機トランジスタ、有機光電変換素子）を提供する。
【解決手段】下記に示す特定の構造を有するナフタロシアニン誘導体からなる有機半導体材料、およびこれを用いた膜、電子デバイス、有機トランジスタ、有機光電変換素子。
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【課題】保護膜を接着する構成であっても、保護膜の変動を防止又は抑制する。
【解決手段】外部の気圧低下や温度上昇により粘着シート１２０と保護フィルム１０８との間の空間１２８の気体が膨張しても、膨張した気体が、バッファ空間１１０に移動し、柔軟な保護フィルム１０８Ａの作用によってバッファ空間１１０の体積が大きくなる。つまり、粘着シート１２０と保護フィルム１０８との間の空間１２８の体積変動がバッファ空間１１０によって吸収される。したがって、保護フィルム１０８の変動が防止又は抑制される。これにより保護フィルム１０８の剥離が防止される。 （もっと読む）