【課題】光導電性有機半導体を用いながら微弱光を検出する能力が優れた有機薄膜受光素子を提供する。
【解決手段】基板上に、形成された第１の電極１と、前記第１の電極１上に、形成された第２の電極２と、前記第１の電極１と前記第２の電極２との間の挟持された領域に光導電性有機半導体材料から成る光導電性有機半導体層４と、を備え、前記第１の電極１または前記第２の電極２のうち少なくとも一方の電極は、近紫外線領域から近赤外線領域までの任意の波長の光に対して光透過性を有し、前記光導電性有機半導体層４内には、さらに第３の電極３を配する。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器本体の放電破壊を招くことなく、周囲の雰囲気からの水分吸収を阻止する。
【解決手段】密閉空間内に放射線画像検出器本体２０を配置するとともに、放射線画像検出器本体２０および放射線画像検出器本体に電圧を供給する電線２１と放電が起きない程度の距離を空けて乾燥剤５０を配置する。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器を電極と記録用光導電層との間に結晶化防止層を設けても皺の発生を抑制することが可能なものとする。
【解決手段】基板１上に、複数の基準電極２と、ａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層５と、Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉからなる群より選ばれる少なくとも一つの元素を含有するａ−Ｓｅからなる結晶化防止層４’と、バイアス電極７をこの順に積層してなる放射線画像検出器１０において、記録用光導電層５と結晶化防止層４’との間に、金属フッ化物、金属酸化物、ＳｉＯ_x、ＧｅＯ_x（ｘはともに０．５≦ｘ≦１．５）からなる群より選ばれる少なくとも一つの特定物質を含有したａ−Ｓｅからなる熱変形防止層６を設ける。
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【課題】放射線検出器を長期に亘って電気特性（暗電流、欠陥）を維持することが可能なものとする。
【解決手段】画像情報を担持した記録用の電磁波を透過するバイアス電極７と、バイアス電極７を透過した記録用の電磁波の照射により電荷を発生するａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層５と、前記発生電荷を蓄積する蓄電部と、複数の基準電極２と、基板１とをこの順に積層してなる放射線画像検出器において、バイアス電極７と記録用光導電層５との間に、特定物質として、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、ＳｉＯ_x、ＧｅＯ_x（ｘはともに０．５≦ｘ≦１．５）のうち少なくとも１種を含有するａ−Ｓｅ層であって、かつ前記特定物質の濃度が０．００３〜０．０３モル％である中間層６を設ける。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線撮像表示装置等に用いられるフォトセンサーに備えられるＴＦＴアレイ基板において、フォトダイオード上の透明電極をパターニング加工する際に、エッチング残渣が生じていた。このエッチング残渣により配線やフォトダオード間に短絡が生じ、歩留まりの低下や表示欠陥を引き起こしていた。
【解決手段】 この発明にかかるフラットパネルのフォトセンサーにおいては、フォトダイオード上に形成される透明電極をＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＩＳＯのいずれかで形成したので、エッチング残渣の生成を抑制でき、欠陥の少ないフォトセンサーを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を、放射線光電変換膜と電極との間の剥がれを抑制することが可能であって、暗電流、残像等の電気特性に優れたものとする。
【解決手段】放射線光電変換膜１２と、この放射線光電変換膜１２の一方の面側に設けられた第１の電極１１と、放射線光電変換膜１２の他方の面側に設けられた第２の電極１４と、放射線光電変換膜１２と第２の電極１４との間に位置する電荷ブロック層１３とを有する放射線検出器において、電荷ブロック層１３の微小な領域において表面粗さＲａを０．８ｎｍ以上１．８ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】アモルファスセレンを用いた放射線電荷変換膜を有する放射線平面検出器における感度低下現象を改善する。
【解決手段】基体１１と、基体１１上に配置される電荷収集電極１２と、電荷収集電極１２上に配置されるセレンを主成分とする放射線電荷変換膜１３と、放射線電荷変換膜１３の上に配置される放射線を透過する上部電極１４とを少なくとも有する放射線平面検出器１０において、放射線電荷変換膜１３を、残存酸素濃度３５ｐｐｍ以下のアモルファスセレンあるいはアモルファスセレン合金からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】シンチレータの発光取り出し効率、鮮鋭性が高く、平面受光素子面間での鮮鋭性の劣化が少ないシンチレータパネルを提供する。
【解決手段】基板１上に反射層３及び蒸着により形成されたシンチレータ層２を有するシンチレータパネル１０であって、該反射層が白色顔料及びバインダー樹脂からなることを特徴とする。反射層の表面はカレンダー処理により平滑化されていることが好ましく、白色顔料はアルミナ、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムおよび酸化チタンから選ばれる少なくとも一種の白色顔料であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器において、画像濃度ムラを抑制して画質の向上を図る。
【解決手段】放射線画像検出器１０は、負電圧が印加されるとともに、放射線画像を担持した記録用の電磁波を透過する第１の電極層１と、第１の電極層１を透過した記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生する記録用光導電層２と、記録用光導電層２において発生した電荷に応じた信号を検出するための複数の電極を有する第２の電極層６とがこの順に積層されている。記録用光導電層２と第２の電極層６との間に、絶縁体に電子輸送性分子をドープしてなる電子輸送層を第２の電極層６の全面を覆うように設ける。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料蒸発装置による複数の蒸着材料からなる化合物の層の成膜において、均一な成分比を有する蒸着膜を形成する。
【解決手段】蒸着材料を加熱して蒸発させる蒸着材料蒸発装置において、異なる蒸着材料14、15をそれぞれ収容する複数の蒸着容器11a、11bと、これらの蒸着容器11a、11bに収容された蒸着材料14、15を加熱する加熱手段16と、この複数の蒸着容器11a、11b内で蒸発した蒸着材料14、15が共に通過して出て行く共通開口13とを備える。 （もっと読む）

【課題】高温ポストアニールのステップを必要とせず、従来の低温ポリシリコン薄膜トランジスタと集積可能な、高効率の発光素子とその製造プロセスを提供する。
【解決手段】太陽電池素子の光起電素子層、又は光検出器の感光層を構成するシリコンナノドットを含むシリコンリッチ誘電体層を備える多層構造体の製造に低温下で高効率のレーザーアニールプロセスを用い、シリコンリッチ誘電体層内にレーザー誘起凝集シリコンナノドットを形成する。この、レーザー誘起凝集シリコンナノドットは、高密度で均一に分布しており、直径のバラツキも小さい。このプロセスを採用すれば、従来の低温ポリシリコン薄膜トランジスタを集積した構造で製造することができる。 （もっと読む）

【課題】並列配置された複数のスキャン配線と、スキャン配線と交差して設けられた複数のデータ配線と、スキャン配線とデータ配線とに接続されマトリクス状に設けられた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続されマトリクス状に設けられたセンサ部と、マトリクス状に設けられたセンサ部に対して共通にバイアス電圧を印加するために配置された複数の共通配線と、を備えた画像検出器において、電子ノイズを低減させて検出画像の画質を向上させる。
【解決手段】スキャン配線１０１、データ配線３および共通配線１０２のそれぞれを絶縁膜を介して設けられた互いに異なる金属層により形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出器の歩留まりや性能の低下を防止し、信頼性の高い安価なＸ線検出器を提供する。
【解決手段】回路基板17上に酸化インジウムを主成分とするアモルファス状態の導電性物質にてエッチングストッパ層35を形成する。エッチングストッパ層35上でフォトダイオード素子18のアモルファスシリコン層をエッチングする際、エッチングストッパ層35で回路基板17を保護する。エッチング後には、余分なエッチングストッパ層35を回路基板17に影響のない蓚酸を用いて容易に除去できる。 （もっと読む）

【課題】放射線撮像パネルを構成する光導電体を、感度低下に起因するゴーストやコントラスト変化が実質上ないものとする。
【解決手段】放射線検出器を構成する放射線により電荷を発生する光導電体において、光導電体をＢｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、Ｍ はＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）からなり、波長４５０ｎｍの拡散反射率が波長６００ｎｍの拡散反射率の７５％以上であるもの、あるいは、Ｂｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、Ｍ はＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）からなり、波長４５０ｎｍにおける線吸収係数が１０ｃｍ^-1以下であるものとする。 （もっと読む）

【課題】共通電極の高抵抗化を抑制することができる放射線検出器を提供する
【解決手段】放射線検出器１は、結晶性中間層３０の結晶粒径が光導電層１７の結晶粒径よりも小さいため、結晶性中間層３０の前面３０ａにおける凹凸の度合いが、光導電層１７の前面１７ａにおける凹凸の度合いに対して緩和される。よって、光導電層１７の前面１７ａに結晶性中間層３０を形成して当該結晶性中間層３０の前面３０ａに共通電極１８を形成することにより、共通電極１８が不連続に形成されるのを防止する。 （もっと読む）

向上した電子遷移を有する材料１３４（図１ｃ）を含む、光電子デバイス。該電子遷移は、界面における電子状態を混合することによって向上される。界面は、ナノウェル、ナノドット、またはナノワイヤによって形成され得る。該材料は、フェルミエネルギレベルと、複数のキャリアポケットと、界面における混合された電子状態とを有し、混合された電子状態は、フェルミエネルギレベルのｋＴ以下である初期の状態と、フェルミエネルギレベルのｋＴ以上である第２の状態とを備え、ｋはボルツマン定数であり、Ｔはケルビン温度であり、該材料は、界面における所定の対称性の崩壊を有する。
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本発明の態様は、赤外線（IR）検出のための方法および装置に関する。IR放射線を検出するためのフォトトランジスタを生産するために、有機層を利用することができる。IR検出器の波長範囲を、異なる波長の光子に対して感受性がある材料を組み込むことによって改変することができる。量子ドットの材料に関連する波長を有する光子の吸収を増強するために、フォトトランジスタの吸収層のホスト有機材料とは異なる波長の光子に対して感受性の材料の量子ドットを、吸収層に組み込むことができる。光伝導体構造をフォトトランジスタの代わりに用いることができる。光伝導体には、PbSe量子ドットまたはPbS量子ドットを組み込むことができる。光伝導体には有機材料およびOLED構造の一部を組み込むことができる。検出されたIR像をユーザーに表示することができる。有機材料を有機発光デバイスを作製するために用いることができる。

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【課題】信頼性が高い長尺の光電変換デバイスを低コストの下に得易い光電変換デバイスの製造方法、及び長尺化しても信頼性の高いものを得易い光電変換デバイスを提供すること。
【解決手段】透明基板５と、透明基板上５に形成された複数の光電変換素子ＰＥと、透明基板５に実装されて複数の光電変換素子ＰＦの各々に生じた電荷を基にデータ信号を生成する信号生成手段３０と、透明基板上に形成されて複数の光電変換素子の各々と信号生成手段とを接続する複数の第１配線２５と、複数の第１配線２５それぞれの一端に１つずつ接続されて前記一端と信号生成手段との間に介在するパッド２７と、透明基板上に形成されて信号生成手段３０と外部回路とを接続する複数の第２配線３７とを備えた光電変換デバイス１Ａを製造するにあたり、少なくとも１層からなる導電層をパターニングしてパッドと第２配線３５とを形成する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易な光電変換装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板２と、この透明基板２上に配置された複数の有機光電変換素子７とを有する光電変換装置２０を作製するにあたって、複数の有機光電変換素子それぞれの構成を、透明基板２上に配置された透明電極３と、この透明電極上にインクジェット方式により形成された有機光電変換部４と、この該有機光電変換部４上に配置された背面電極６とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】高精細な画像データを高い動作速度の下に得易い光電変換デバイスおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】有機光電変換素子により光電変換を行う光電変換デバイス３０を構成するにあたり、長板状の基板１上に該基板の長手方向に沿って複数の有機光電変換素子を整列配置し、これら複数の有機光電変換素子を上記の長手方向に沿って複数の群に分け、群毎に有機光電変換素子の各々から信号電荷を読み出す読出し回路部５ａ〜５ｄを基板１上に実装する。 （もっと読む）