【課題】受光部への集光率が高い固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１において、シリコン基板２を設け、シリコン基板２の表面部の一部にＰ型ウェル３を形成し、その表面部の一部にＮ型領域４を形成する。また、シリコン基板２上に多層配線層５を設け、この多層配線層５内におけるＮ型領域４の直上域に、Ｎ型領域４に接合するようにＰ^＋型Ｓｉ層２２を設ける。そして、Ｐ^＋型Ｓｉ層２２内の不純物濃度を、Ｎ型領域４から離れるにつれて低下させる。 （もっと読む）

【課題】オプトエレクトロニックデバイスを作製する方法及びそのようなデバイスの提供。
【解決手段】基板上に蒸着された第１電極、少なくとも３０ｎｍの二乗平均粗さ及び少なくとも２００ｎｍの高さ変化量を有する第１電極の露出された表面を含み、第１電極は透明であるようなオプトエレクトロニックデバイス及びオプトエレクトロニックデバイスを作製する方法。第１有機半導体材料のコンフォーマル層は有機気相蒸着法により第１電極上部へ蒸着され、第１有機半導体材料は低分子材料である。第２有機半導体材料層は、コンフォーマル相を覆って蒸着される。第２有機半導体材料層の少なくともいくらかは前記コンフォーマル層と直接接触する。第２電極が第２有機半導体材料層を覆って蒸着される。第１有機半導体材料は、反対のタイプの材料である第２有機半導体材料に関連してドナータイプまたはアクセプタータイプである。 （もっと読む）

【課題】所定以上の大きな排気能力による排気を必要とする高真空チャンバを含む複数の真空チャンバを備えた真空装置を低コストに構成する。
【解決手段】高真空チャンバ２を備えた真空装置１において、高真空チャンバ２に開閉自在のバルブ３、４を介してそれぞれ接続された少なくとも２つのバッファチャンバ５、６と、該バッファチャンバ５、６のそれぞれに、開閉自在のバルブ７、８を介して接続された真空チャンバ９、１０と、バッファチャンバ５、６のそれぞれに接続された、該バッファチャンバ５、６内を排気する真空ポンプ１１、１２とを備え、適宜バルブ３、４、７、８を開閉させ、高真空チャンバ２を同時に２つの真空ポンプ１１、１２により排気を可能とするとともに、高真空チャンバを含む複数の真空チャンバを少数の真空ポンプにより適宜排気可能とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン系フォトダイオードを用いた人工網膜用RGBセンサ素子には、応答速度が速すぎたり、カラーフィルタを付加する必要があったり、基板が剛直すぎたり、コストが掛かるといった種々の問題があった。
【解決手段】人工網膜用RGBセンサ素子として色素増感光電変換素子を用いる。色素を適切に選択することにより、R、G、Bの各波長域の光を吸収し、吸収した光の強度に応じた電気信号を出力するセンサを得ることができる。色素増感光電変換素子は、応答速度がミリ秒オーダーであるため、生体にそのまま使用することができる。また、プラスチック等の可撓性を有する基板上に素子を形成することも可能であり、コストも低廉である。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器のデバイス構造をより簡単にし、製作を容易にする。
【解決手段】放射線画像を担持した記録用の電磁波を透過する第１の導電層と、第１の導電層を透過した前記記録用の電磁波および読取用の電磁波の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、画素状導体が２次元状に多数配列されるとともに、画素状導体の列に対応して第１の線状電極が多数配列された第２の導電層と、絶縁層と、第２の線状電極が多数配列された第３の導電層とをこの順に積層した構造とする。 （もっと読む）

【課題】固体光検出器とシンチレータとからなる放射線検出器において、得られる放射線画像の鮮鋭度を向上させる。
【解決手段】照射された放射線を光に変換する２層のシンチレータと、２層のシンチレータの間に配置され、それらの２層のシンチレータにより変換された光を検出して電気信号に変換する固体光検出器とを備えた放射線検出器において、各シンチレータの該シンチレータの面に平行な方向に進む光に対する散乱長を100μｍ以下にする。 （もっと読む）

【課題】広い波長帯域の光に対して感度を有する半導体光電陰極を提供すること。
【解決手段】半導体光電陰極１は、透明基板１１と、透明基板１１上に形成され、透明基板１１を透過した光が通過可能な第１の電極１３と、第１の電極１３上に形成され、厚さが１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の半導体材料から構成される窓層１４と、窓層１４上に形成され、窓層１４と格子整合する半導体材料で構成されると共に、窓層１４よりもエネルギーバンドギャップが狭く、光の入射に応答して光電子を励起する光吸収層１５と、光吸収層１５上に形成され、光吸収層１５と格子整合する半導体材料で構成されると共に、光吸収層１５で励起された光電子を表面から外部へ放出する電子放出層１６と、電子放出層上に形成された第２の電極１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 透明保護板を有する光電変換膜積層型固体撮像素子において、透明保護板表面への汚れの付着を防止するとともに、入射光の反射を抑制し、入射光の損失を防止することのできる光電変換膜積層型固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】 透明保護板１００を有する光電変換膜積層型固体撮像素子において、前記透明保護板１００の少なくとも受光面側に機能性膜２０２，２０１を設けたことを特徴とする光電変換膜積層型固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】光電変換率が高い光電変換素子、放射線画像検出器及び放射線画像撮影システムを提供すること。
【解決手段】
光電変換素子１０ａは、入射した電磁波により励起されて電荷を発生する有機化合物を含有する電荷発生層３０ａと、電荷発生層３０ａで発生した電荷のうち、一方のキャリアを集める透明電極２０と、他方のキャリアを集める対電極４０とを備え、有機化合物に、ハロゲン化ペンタセンを含有させるとともに、この光電変換素子１０ａを適用した放射線画像検出器５０及び、放射線画像撮影システム９０とする。 （もっと読む）

【課題】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層を、感度が高く、環境負荷の小さい光導電性材料からなるものとする。
【解決手段】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層であって、この光導電層をＺｎＯ焼結体からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】 光導電性焼結体の記録用光導電層と読取層とを別個に作成し、導電性接着剤により接着して形成する放射線画像検出器において、良好な解像度の放射線画像を取得する。
【解決手段】 平板上のＢｉ₁₂ＭＯ₂₀焼結体を形成後、線状のマスクを形成し、その後強酸によりエッチングを行い、終了後にマスクを除去する。エッチングにより記録用光導電層１２に多数の線状の溝１２ａが形成され、マスクが設けられた部分は、多数の線状の凸部１２ｂとなる。その後記録用光導電層１２と読取層１９とを導電性接着剤１７により接着する。記録用光導電層１２の読取層１９と相対する面に、線状の溝１２ａが、第２の電極層１５の読出線状電極１５ｂと略平行にかつ１対１に対応して配置されているため、放射線画像の記録あるいは読出の際に、接着面内における電荷の移動が抑制され、各読出線状電極１5ｂにより読み出される信号間のクロストークが抑制される。 （もっと読む）

【課題】 簡易な製膜プロセスで作成できる信頼性の高い放射線画像検出器を提供する。
【解決手段】 放射線画像検出器１０は、放射線を透過する第１の電極層１１、ブロッキング用光導電層１２、第１の電極層１１を透過した放射線の照射を受けることにより該放射線の照射量に応じた電荷を発生する記録用光導電層１３、記録用光導電層１３において発生した潜像電荷に対しては絶縁体として作用し、且つその潜像電荷と逆極性の輸送電荷に対しては導電体として作用し、かつ読取光Ｌ２の照射により電荷を発生する読取用電荷輸送性光導電層１４、ブロッキング用光導電層１５、および読取光Ｌ２を透過する第２の電極層１６をこの順に積層してなるものである。蓄電部１７には、記録用光導電層１３内で発生した潜像電荷が蓄積され、読取光Ｌ２の照射により読み出される。従来必要であった、電荷輸送層の上に記録用光導電層を積層する製膜プロセスが不要になる。 （もっと読む）

感光性層を持つ光応答性装置を製造する方法が提案されている。この方法は、ａ）真空蒸着室の内部にきれいな基板を設けるステップ、ｂ）第１のるつぼから酸化鉛（ＰｂＯ）を蒸着させ、前記基板の表面上にシード層を形成するステップ、ｃ）正方晶の酸化鉛だけが前記シード層を形成する及び／又はシード層を形成する最初に成長した斜方晶の酸化鉛が正方晶の酸化鉛に変形されるように、前記シード層に影響を及ぼすステップ、及びｄ）感光性層の最終的な厚さが前記基板上に堆積するまで酸化鉛の蒸着をし続けるステップを有する。結果として、前記方法は、酸化鉛からなる感光性層を有する光応答性装置を生じさせ、この感光性層は全て正方晶の酸化鉛から構成される。
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【課題】別途に回路を設けずに２期間の受光光量の差分に相当する受光出力を得る。
【解決手段】シリコン層からなる主機能層１１に絶縁層１４を介して集積電極１２と保持電極１３とが設けられる。主機能層１１は受光光量に応じた個数の電子とホールとを生成する。集積電極１２に負極性の集積電圧を印加し保持電極１３に正極性の保持電圧を印加すると、主機能層１１で生成されたホールが集積領域１１ｂに集積される。次に、集積電圧を正極性とし保持電圧を負極性にすると、集積領域１１ｂに電子が集積され、集積領域１１ｂのホールは保持領域１１ｃに移送される。さらに、集積電圧を負極性とし保持電圧を正極性の保持電圧を与えると、集積領域１１ｂの電子が保持領域に移動し、保持領域１１ｃのホールと主機能層１１で生成されたホールとが集積領域１１ｂに集積され、電子とホールとが再結合される。再結合後に残留する電子が受光出力として取り出される。 （もっと読む）

【課題】 シンチレータによって発生するクロストークを抑制し解像度を向上させることを可能とした放射線検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 画素を構成するフォトダイオード６上部領域の平坦化層３の表面状態の平坦性を高くするとともに、隣接画素との境界領域上部の平坦化層３の表面状態の平坦性を低下させることで、平坦化層３上部に結晶成長させるシンチレータ４の結晶性がフォトダイオード６上部領域と比較して画素境界領域上部が低下し、これによって隣接画素に入射する光量を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】非晶質酸化物を用いたセンサおよＸ線非平面イメージャ。
【解決手段】センサは透明基板上に下部電極、非晶質酸化物半導体層、上部電極で構成される。イメージャは前期センサとＴＦＴを組み合わせて構成する。Ｘ線検出にはシンチレータと組み合わせてもよい。上記膜によりＴＦＴを作製することもできる。非晶質酸化物層の作製にはパルスレーザ蒸着法を用いた。上記膜の電子キャリア濃度は１０＾１８／ｃｍ３未満であることを特徴とする。上記膜は伝導電子数の増加に伴い電子移動度が増大することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層を、感度が高く、環境負荷の小さい光導電性材料からなるものとする。
【解決手段】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネル１０を構成する光導電層４であって、この光導電層をＢｉＭＯ₄（ただし、ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ中の少なくとも１種である。）からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）を提供し、さらに、光電変換効率が高く耐久性にも優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子を提供する。
【解決手段】１対の電極間にｐ型半導体の層とｎ型半導体の層が積層構造を持つ光電変換膜を有する撮像素子において、ｐ型半導体及びｎ型半導体のうちの少なくとも１方に配向制御された有機化合物を含む撮像素子、又は、少なくとも一つの有機色素化合物を有する光電変換膜において、該有機色素化合物がＪ会合体を形成しているか、該有機色素化合物の分光吸収遷移双極子モーメントと光電変換素子の電極平面とのなす角が４０°以下である光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。 （もっと読む）

【課題】合焦ずれ量を所定値に設定することができ、かつ、ジッタ及びビットエラーレートの悪化を防止でき、さらに、光ピックアップ装置の部品コスト及び組立調整コストが高くなるのを防止できる光半導体装置を提供する。
【解決手段】受光素子６は光電変換するための光入射面を有する。受光素子６上には屈折率可変部７が配置され、受光素子６の光入射面に屈折率可変部７が接している。屈折率可変部７の屈折率を可変することにより、受光素子６の光入射面に入射する光の屈折率可変部７の光路長を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】機能膜の機能特性を劣化させることなく有機材料を含む機能膜と透光性電極とを積層した機能素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機材料を含む光電変換膜１４、１９、２４と、光電変換膜１４、１９、２
４に積層される透光性電極１５、２０、２５とを含む光電変換素子の製造方法であって、透光性電極１５、２０、２５のパターニング工程に含まれる透光性電極１５、２０、２５のエッチング工程において、少なくともエッチング工程開始からエッチング工程完了直前までの所定時間、１０ｎｍ／ｍｉｎ以上のエッチング速度で透光性電極１５、２０、２５をエッチングする。 （もっと読む）