【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第１透明電極に積層される第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜の上に配設される第２の信号読み出し部と、第２の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第２の波長の光に感度を有する第２光電変換膜と、第２光電変換膜に積層される第２透明電極と、第２透明電極に積層される第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜の上に配設される第３の信号読み出し部と、第３の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第３の波長の光に感度を有する第３光電変換膜と、第３光電変換膜に積層される第３透明電極と、第１光電変換膜、第２光電変換膜、及び第３光電変換膜を画素毎に隔離する第１隔壁とを備え、前記第１の信号読み出し部、前記第２の信号読み出し部、及び前記第３の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が２次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 （もっと読む）

【課題】光の受光により高効率に電子を発光する受光層を備える受光素子、かかる受光素子を備える受発光素子、受発光装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】 本発明の受発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、受光により電子を発生する光導電体層とを有し、該光導電体層は、下記式（１Ａ）で表されるテトラフェニルポルフィリン骨格を有する化合物を主材料として含有する。


［式（１Ａ）中、Ｂは、白金、パラジウム、マグネシウム、ニッケルまたは亜鉛を表す。
Ｒは置換基を意味し、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基を表す。］ （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方面側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面の上方側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記電子注入阻止層２１から前記Ｘ線透過性基板１７の上方面に到達する凹部３２を形成し、この凹部３２内の前記Ｘ線透過性基板１７の上方面には電子注入阻止層２１を形成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、白キズの出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記Ｘ線透過性基板の上面には凹部３２を有し、前記Ｘ線透過性基板１７の凹部３２の上方に対応する薄膜状電極１８部分は、前記凹部３２によって左右または前後に分離された構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側の上方に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記正孔注入阻止層１９および薄膜状電極１８を貫通し、前記Ｘ線透過性基板の上面に達する凹部３２を形成。 （もっと読む）

【課題】光学系の部品を削減でき、小型化と低コスト化を図ることを可能とすると共に、モニタ検出精度を向上させることができる光検出用モニタ装置を提供する。
【解決手段】面発光型のレーザアレイ３２から出射され走査される光３７を受光して電気信号に変換する光モニタ３８を具備し、光モニタ３８は、光３７の走査方向に平行なスリット状からなり、このスリット状の光モニタ３８を、レーザアレイ３２から出射され走査光の周辺光を検出する位置に、複数、副走査方向に並べて配置する。さらに、レーザアレイ３２が出射する光を反射する反射部材３４上に、光モニタ３８を設ける。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子が備える薄膜の平坦性を高くする。
【解決手段】基板２０と、該基板上に設けられた一対の電極３２、３４と、該一対の電極の間に設けられた少なくとも１層の機能層４４、７０とを有する光電変換素子１０の製造方法であって、光電変換素子の部材を形成する材料を含む液滴を該基板、該電極又は該機能層上に噴霧して電極又は機能層を形成する工程を有し、該工程において、第１のキャリアガスと第２のキャリアガスとを用いる光電変換素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
単板式の積層型の撮像素子に含まれる有機光電変換膜の劣化を抑制することにより、量子効率の改善を図った撮像素子の製造方法、及び、撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
撮像素子の製造方法は、基板の上に第１波長の光に感度を有する第１受光部を形成する工程と、前記第１受光部の上に紫外線を吸収する第１紫外線吸収部を形成する工程と、前記第１紫外線吸収部の上に第２波長の光に感度を有する第２受光部を形成する工程と、前記第２受光部の上に紫外線を吸収する第２紫外線吸収部を形成する工程と、前記第２紫外線吸収部の上に第３波長の光に感度を有する第３受光部を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】白傷欠陥の発生を抑制することができ、数画素に亘る感度低下を抑えることができる撮像素子を提供する。
【解決手段】基板上方で二次元状に配列された複数の下部電極１０４と、各下部電極１０４と対向して配置された上部電極１０８と、複数の下部電極１０４と上部電極１０８との間に配された光電変換層と、上部電極１０８の上方に配置され、該上部電極を覆う封止膜１１０と、上部電極１０８と封止膜１１０との間に配置された封止補助層１０９と、を備える撮像素子であって、封止膜１１０が複数の層で構成され、該封止膜全体の膜応力を緩和する応力緩和層を含み、封止補助層１０９は、真空蒸着法又はＣＶＤで形成された膜であり、厚さが５ｎｍ以上で、内部応力が１００ＭＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】ＣＺＴＳ等の硫化物系化合物半導体を光吸収層に用いた光電素子において、Ｃｄを含む材料を必要とすることなく、更に高い発電効率を得ること。
【解決手段】ｐ型半導体層である光吸収層１６と、バッファ層１８と、窓層２０と、を備える光電素子１０。光吸収層１６が、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体の膜であり、バッファ層１８が、Ｉｎ_２Ｓ_３及びＩｎ（ＯＨ）_３を含む。 （もっと読む）

【課題】高い曲線因子、開放電圧、および光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機光電変換素子、それを用いた太陽電池、及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、およびｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、前記陰極と陽極の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物を含有する層を有する。


（式中、Ｘは酸素原子もしくは硫黄原子もしくはセレン原子を表し、ＹはＣ−Ｒ_２または窒素原子を表す。Ｒ_１、Ｒ_２は水素原子もしくは置換基を表す。Ｚ_１、Ｚ_２は炭素原子もしくは窒素原子を表す。） （もっと読む）

【課題】正孔注入阻止層などにキズや膜厚ムラが発生した場合でも、それによる白キズの出現を抑えることができるＸ線センサを提供する。
【解決手段】本発明にかかるＸ線センサは、透光性基板１７と、前記透光性基板１７の一方の面上に形成された透光性電極２１と、前記透光性基板１７の前記透光性電極２１が形成された一方の面上に順次設けられた正孔注入阻止層２２と、電界緩和層２３と、正孔トラップ層２４と、電荷増倍機能を持つ光導電性の感度層２５と、電子注入阻止層２６とを含む光導電性膜１８と、を備え、前記電界緩和層２３の厚みが、前記透光性電極２１と前記正孔注入阻止層２２とからなる層の厚みよりも厚いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光導電膜の厚膜化や光導電膜への印加電圧の過度な増大を伴わず、大幅に感度を向上させるとともに、高い光電変換効率と安定したアバランシェ増倍を両立できるアバランシェ増倍方式の撮像デバイスを提供する。
【解決手段】
光入射側に配設される第１透光性電極と、第１透光性電極に積層され、第１透光性電極を介して入射する入射光を光電変換する第１光電変換部と、第１光電変換部に積層され、第１光電変換部で生成される電荷が注入されて発光する第１電界発光薄膜部と、第１電界発光薄膜部に積層される第２透光性電極と、第２透光性電極に積層され、第１電界発光薄膜部で発光され第２透光性電極を透過した光を光電変換する第２光電変換部と、第２光電変換部で生成される信号電荷を２次元の画像信号として読み出す信号読み出し部とを含み、第１光電変換部又は第２光電変換部は光電変換部内で電荷のアバランシェ増倍を行う。 （もっと読む）

【課題】従来よりも感度、応答性に優れた有機材料から構成された光電変換材料層を備えた光電変換素子を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換素子は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、並びに、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、光電変換材料層３０は、以下の構造式（１）で表されるジオキサアンタントレン系化合物から成る。
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【課題】光電変換素子として機能し、低い暗電流を示し、かつ素子を加熱処理した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜、光電変換膜、及び導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、前記光電変換膜は、光電変換層、及び電子ブロッキング層を含み、前記電子ブロッキング層が下記一般式（Ｙ１）で表される化合物を含有する、光電変換素子。一般式（Ｙ１）


（式中、Ｒ_１〜Ｒ_８、Ｒ’_１〜Ｒ’_８、及びＲ’’_１〜Ｒ’’_８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。） （もっと読む）

【課題】ａ−Ｓｅを主成分とする読取用光導電層を有する静電記録体において、電極との界面での界面結晶化の問題を解消する。
【解決手段】読取光に対して透過性を有する支持体８上に、読取光に対して透過性を有する電極層５、ａ−Ｓｅを主成分とする、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層４、記録用光導電層２で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部２３を形成するための電荷輸送層３、ａ−Ｓｅを主成分とする、記録光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層２、および記録光に対し透過性を有する電極層１とがこの順に積層された静電記録体１０において、読取用光導電層４と電極層５の電極との界面に、界面結晶化を抑制する物質として、Ａｓを０．５〜４０ａｔｏｍ％ドープして、読取光の最も入射側に、界面結晶化を抑制する薄層を設けたのと実質的に等価な状態にする。 （もっと読む）

感光デバイスは、それぞれが仕事関数を有する第１のコンタクトおよび第２のコンタクトと、第１のコンタクトと第２のコンタクトとの間の感光物質とを備えるデバイスを含む。感光物質はｐ型半導体またはｎ型半導体を含み、感光物質は仕事関数を有する。回路が第１のコンタクトと第２のコンタクトとの間にバイアス電圧を印加する。バイアスが第１のコンタクトと第２のコンタクトとの間に印加されたとき、感光物質は、第１のコンタクトから第２のコンタクトまでの電子走行時間より長い電子寿命を有する。第１のコンタクトは電子の注入を提供し、正孔の抽出を阻止する。第１のコンタクトと感光物質間の界面は、１ｃｍ／ｓ未満の表面再結合速度を提供する。
（もっと読む）

【課題】半導体層において発生した電荷信号を読み出すための線状電極が多数配列された電極層を備えた放射線画像検出器において、断線箇所を直接修復することによる画像欠陥を生じることなく、断線による画像への影響を抑制する。
【解決手段】電極層の所定の線状電極に断線箇所Ｃ１がある場合、その断線箇所Ｃ１が存在する線状電極５ａの端部と断線箇所が存在する線状電極５ａに隣接する線状電極５ｂとを接続部材２０を介して接続し、その接続後、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】多接合型光起電力発生装置においては、積層数が増加するので、光の結合損失からエネルギー変換効率が小さく、製造コストが高く、かつ製造が困難であった。
【解決手段】サファイア基板１上に横方向に異なるバンドギャップを有する複数のセル２−１、２−２、…、２−７が形成される。各セルは、各バンドギャップに対応する傾斜角の山型傾斜の凹凸面を有するｎ型GaN層２１、ｎ型GaNバッファ層２１上に形成されたｎ型InAlGaN層２２及びｐ型InAlGaN層２３よりなる。InAlGaN層２２、２３の組成はその傾斜角に応じたバンドギャップを有するように決定される。各セル２−１、２−２、…、２−７は出力端子OUT₁、OUT₂間にボンディングワイヤ３−０、３−１、…、３−７によって直列に接続されて太陽電池として作用する。 （もっと読む）

【課題】高い感度及びＳ／Ｎ比を有する光電変換材料層を備えた新規の光電変換素子を組み込んだ光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、及び、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、第１電極２１と第２電極２２との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層３０に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層３０にて生成する電流が照射時間の経過に従って変化する光電変換素子１１、並びに、（ｂ）該電流変化を検出する電流検出回路４０を備えている。 （もっと読む）