半導体放射線検出器デバイスが、第１導電型の導電裏面層（１０２）およびバルク層（１０３）を含む。導電裏面層（１０２）の反対面に、第２導電型の改変内部ゲート層（１０４）、第１導電型のバリア層（１０５）、および第２導電型のピクセル・ドーピング（１１０、１１２、５０６、５１０、５１２）がある。ピクセル・ドーピングは、ピクセル電圧に結合されるように適合され、この電圧は、導電裏面層（１０２）の電位に対する電位差として定義され、信号電荷を捕捉するための検出器材料内部に電位極小点を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高感度である光電変換層を有する撮像装置において、当該光電変換層の劣化を防止し、特に高輝度のスポット光を含む撮像を可能とする。
【解決手段】 Ｓｅを主体とし且つアバランシェ増倍機能を持つ非晶質半導体層と、ＳｅとＴｅを含み且つ入射光の大部分を吸収して電荷に変換し得る機能を持つ非晶質光電変換層とを少なくとも有する光電変換膜と、前記光電変換膜の第１の面に形成された第１のバリア層と、前記第１のバリア層上に形成された透光性電極と、前記光電変換膜の第２の面に形成された第２のバリア層と、前記光電変換膜の第２の面の側に設けられた、前記光電変換膜で生成される信号電荷を読み出す電荷読み出し手段と、を有する撮像装置であって、前記光電変換膜の温度を、前記非晶質光電変換層のガラス転移温度以上であって前記非晶質半導体層のガラス転移温度＋３０℃以下に制御する温度制御手段と、前記光電変換層の電界が０．８×１０⁸〜１．１×１０⁸Ｖ／ｍとなるように、前記透光性電極を介して電圧を印加する電圧印加手段と、を有することを特徴とする撮像装置。 （もっと読む）

第1の電極と、第2の電極と、特性吸収波長λ₁を有する第1の光活性領域と、特性吸収波長λ₂を有する第2の光活性領域とを有するデバイスを提供する。光活性領域は、第1の電極と第2の電極の間に配置されており、さらに、第1の光活性領域の方が第2の光活性領域より反射層に近くなるように、反射層の同じ面に配置されている。光活性領域を含む材料は、λ₁とλ₂が少なくとも約10%異なるように選択することができる。このデバイスは、個々の光活性領域の有機アクセプタ材料に隣接して、有機アクセプタ材料と直接接触して配置された励起子阻止層をさらに含むことができる。ここで、カソードに最も近い励起子阻止層以外の各励起子阻止層のLUMOは、アクセプタ材料のLUMOより最大で約0.3eV大きいだけである。
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【課題】 有機材料層のパターン精度の向上をはかるとともに、有機材料層の劣化を防止し、信頼性の高い有機材料層のパターンを提供する。また、有機材料層のパターン精度の向上をはかり、小型でかつ高感度の電子デバイスを提供する。
【解決手段】 本発明の有機材料層のパターニング方法は、前記有機材料層上に少なくとも２層の異なる無機材料層を形成する工程と、前記無機材料層の上層にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを行い前記無機材料層のパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記無機材料層のパターンをマスクとしてエッチングを行い前記有機材料層のパターンを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

薄膜状に形成でき、電界電子放出体、太陽電池、光センサ等に好適に用いることのできる導電性高分子薄膜複合体を提供する。 本発明に係るめっき導電性高分子薄膜複合体は、導電性高分子にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）が配合された導電性高分子薄膜１８と、導電性高分子薄膜１８の一方の面に形成された透明金属酸化物半導体膜１６とを具備することを特徴とする。透明金属酸化物半導体膜１６に電極を取り付けて、電界電子放出体あるいは帯電防止材などに用いることができる。また、導電性高分子薄膜１８の他方の面にも電極を形成して、太陽電池用セルあるいは光センサなどに用いることができる。 （もっと読む）