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Fターム[5F088HA09]の内容

受光素子−共通事項、放射線検出 (20,668) | その他の素子構成要素 (664) | 反射膜(電極は除く) (47)

Fターム[5F088HA09]に分類される特許

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【課題】平面型の光導波路と、この光導波路の導波面から外れて設置された光学素子とを結合させることができ、容易でかつ安価なコストで製造できる光結合器を提供する。
【解決手段】光導波路30と、光導波路を伝播する光の等価屈折率よりも屈折率が高い高屈折率層40とを具える。光導波路は、支持基板20の第1主表面にクラッド31及びコア33が順次積層されて構成されている。高屈折率層は、コアの上面33a上に設けられ、かつコアの上面からの離間距離が光の伝播方向100に沿って連続的に狭まる反射面40aを有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は上記問題点を解決するために成されたものであり、光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、導電体を任意の電圧に設定することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】基板1上に形成されたTFTスイッチ4及びセンサ部103の上面が平坦化層18により平坦化されており、当該平坦化層18の略全面に帯電防止機能を有する導電膜30が形成されている。導電膜30は、接続配線52と一体的に形成されており、切替部54に接続されている。また、切替部54は、制御装置106から入力される制御信号に応じて、接続配線52の接続先を、バイアス電源110、内部電源56、及びグランドのいずれかに切り替える。光電変換基板60の上には、シンチレータ70が形成されており、シンチレータ70は、光電変換基板60に近い方から非柱状部71及び柱状部72を備えている。 (もっと読む)


【課題】2波長赤外線イメージセンサにおいて、同じ画素ピッチにおける画素面積を広くする。
【解決手段】共通コンタクト層の一方の面に積層形成された第1の赤外光吸収層及び第1のコンタクト層と、前記共通コンタクト層の他方の面に積層形成された第2の赤外光吸収層及び第2のコンタクト層と、前記第2の赤外光吸収層及び前記第2のコンタクト層を分離する上側画素分離溝と、前記共通コンタクト層を介し、前記上側画素分離溝に対応する位置に形成された前記第1の赤外光吸収層及び前記第1のコンタクト層を分離する下側画素分離溝と、前記上側画素分離溝及び前記下側画素分離溝により分離された各々の画素ごとに、前記第2のコンタクト層、前記第2の赤外光吸収層、前記共通コンタクト層、前記第1の赤外光吸収層を除去することにより形成されたコンタクト穴と、を有することを特徴とする赤外線検知器により上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】取り扱いが容易なミラー部材を備えるとともに部品点数が少なく、組み立てが容易でありながら、高い信頼性を有する光モジュールを安価にて提供する。
【解決手段】光トランシーバ(10)は、可撓性及び透光性を有するとともに、少なくとも表面の一部にアンダークラッド層(58)を有する基板と、アンダークラッド層(58)に沿って延びるコア(60)と、アンダークラッド層(58)と協働してコア(60)を囲むオーバークラッド層(62)と、基板に対し、コア(60)とは反対側に固定された光電変換素子(38)と、基板に対しコア(60)と同じ側に固定されるミラー部材(48)とを備える。ミラー部材(48)は、オーバークラッド層(62)の少なくとも一部を覆う張り出し部(52)を有する。 (もっと読む)


【課題】ミラー部材を用いながら、コアと光電変換素子との間での光の損失が低減された光モジュールを提供する。
【解決手段】光トランシーバ(10)は、透光性を有するとともに、少なくとも表面の一部にアンダークラッド層(58)を有する基板と、アンダークラッド層(58)に沿って延びるコア(60)と、アンダークラッド層(58)と協働してコア(60)を囲むオーバークラッド層(62)と、基板に設けられた導体パターンと、基板に対し、コア(60)とは反対側に固定された光電変換素子(38)と、コア(60)の端面と光電変換素子(38)との間を延びる光路に配置されるミラー面(56)を有し、アンダークラッド層(58)に固定されるミラー部材(48)と、コア(60)の端面とミラー面(56)との間に設けられ、アンダークラッド層(58)よりも高い屈折率を有する光導波部材(64)とを備える。 (もっと読む)


【課題】積層された2つの光吸収層を有し、光吸収層の面積が大きい光センサを提供する。
【解決手段】光センサ10は、支持層11と第1電極層12aと第1光吸収層13aと第2電極層12bと第2光吸収層13bとが順番に積層されており、第1光吸収層13a及び第2電極層12b及び第2光吸収層13bを第1領域R1及び第2領域R2に分離する分離層14と、第1領域R1の第2電極層12bと接続する第1電極20aと、第2領域R2の第2電極層12bと接続する第2電極20bと、第1領域R1及び第2領域R2の第2光吸収層13bそれぞれと接続する第3電極20cと、を備える。 (もっと読む)


【課題】量子井戸型光検知器において、光吸収効率を向上させ、十分な感度が得られるようにする。
【解決手段】量子井戸型光検知器を、多重量子井戸層5,6と、多重量子井戸層を挟むコンタクト層7〜9とを備える複数の光検知素子3を備え、各光検知素子が、一方の表面が多重量子井戸層に対して平行な面になっており、一方の表面に対して多重量子井戸層及びコンタクト層を挟んで反対側の他方の表面が多重量子井戸層に対して傾斜した傾斜面20になっており、一方の表面及び傾斜面に入射する入射光が屈折する側の側面に反射膜10を備えるものとする。 (もっと読む)


【課題】周波数特性を安定的に改善するためにキャパシタを集積したミラーを用いたフォトダイオードモジュールを提供する。
【解決手段】光源と、所定の角度を有するミラーと,該ミラーに固定された裏面入射型フォトダイオードと,キャパシタを備え、
前記光源からの光を前記ミラーに反射させて前記裏面入射型フォトダイオードの受光面に入射させるように構成した裏面入射型フォトダイオードモジュールにおいて、前記キャパシタを前記ミラーに形成した。 (もっと読む)


【課題】検出または発生する電磁波を有効に増倍(増強)させる電磁波検出装置、電磁波発生装置およびこれらを用いた時間領域分光装置を提供する。
【解決手段】屈折率の異なる2つの光学層を、電磁波が入射する入射軸方向に1組以上積層した第1電磁波増幅部2と、屈折率の異なる2つの光学層を、入射軸方向に1組以上積層した第2電磁波増幅部3と、入射軸方向において、第1電磁波増幅部2と第2電磁波増幅部3との間に介設した電磁波検出部4と、を備え、第1電磁波増幅部2における2つの光学層間の屈折率比と、第2電磁波増幅部3おける2つの光学層間の屈折率比と、が異なることを特徴とする。 (もっと読む)


被覆光ファイバ及び関連装置、リンク並びに光ファイバに差し向けられ又は光ファイバから差し向けられた光を光学的に減衰させる方法が開示される。一実施形態では、光ファイバは、光ファイバ端部を有する。光ファイバ端部は、ソーズ側端部及び/又は検出器側端部であるのが良く、角度劈開されるのが良い。コーティング材料が光ファイバ端部の少なくとも一部分に被着され、このコーティング材料は、光ファイバ端部に差し向けられる光の一部分を光学的に減衰させるよう構成されている。コーティング材料の材料形式及び/又はコーティング材料の厚さは、光学的減衰量を制御するよう選択的に調節可能である。また、コーティング材料の厚さは、光ファイバ端部の少なくとも一部分に被着されるコーティング材料の所望の厚さを提供するよう調節可能である。コーティング材料は又、マルチモード光リンクの帯域幅を向上させるよう選択的にパターニング可能である。
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【課題】光受光素子の感度の改善を図ることができ、画素間の光クロストークの抑制が可能となる反射構造を備えた光受光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】反射構造を備えた光受光素子を、
前記反射構造が、光電変換層を構成するSi結晶の一部をa−Si層に変質させて形成されたa−Si/c−Siによる多層膜によって構成する。
また、反射構造を備えた光受光素子の製造方法を、
基板上にSi結晶による光電変換層を形成する工程と、
前記光電変換層を形成するSi結晶の一部を、短パルスレーザによるレーザ照射によってa−Si層に変質させ、a−Si/c−Siによる多層膜で形成された反射構造を形成する工程と、
を有する構成とする。 (もっと読む)


【課題】防湿層と基板との密着力を改善し、信頼性の高いX線検出器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板16上に、蛍光を電気信号に変換する光電変換部17を形成し、光電変換部17上に、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層13を配置し、シンチレータ層13を覆うように防湿層31を形成し、防湿層31とアレイ基板12とを接着層35で封止して、シンチレータ層13を外部の湿気から保護する防湿構造15を形成する。ここで、防湿層31の接合層35と接触する部分に、予めシランカップリング剤又は金属キレート剤による表面処理層34を形成する。 (もっと読む)


【課題】発光素子及び光結合モジュールを提供する。
【解決手段】前記素子は、基板と、前記基板に備えられた発光部と、前記基板の下部面に備えられた反射部とを含む。前記発光部は、前記基板上に配置されたアクティブパターンと、前記アクティブパターンの上部に備えられた上部鏡と、前記アクティブパターンの下部に備えられた下部鏡とを含む。前記発光部は、基板に垂直な光を放射することができ、前記反射部は、前記放射光を前記基板の側面に反射することができる。 (もっと読む)


【課題】反射層14の形成によるシンチレータ層13の膜剥がれや基板の反りの発生を低減し、高輝度、高解像度のX線検出器を提供する。
【解決手段】ディスペンサにより、バインダ材中に光散乱性粒子を含有したペースト材料をシンチレータ層13上に塗布し、反射層14を形成する。ディスペンサが、塗布ラインに沿った方向への移動と、この塗布ラインに沿った方向の端部で塗布ラインを1ライン分ずらして塗布ラインに沿った反対方向への移動とを繰り返すことで、反射層14の形成領域の端部形状が波状形状となる。反射層14の形成領域の端部形状が波状形状とすることで、ペースト材料の乾燥時における体積収縮による応力を分散させる。 (もっと読む)


【課題】光電変換基板12で欠陥が発生した場合でも欠陥に関して規格内に収まる放射線画像を取得できる放射線検出器11を提供する。
【解決手段】光電変換基板12の規格よりも大きい欠陥信号を出力する欠陥画素Paの薄膜トランジスタ22と信号配線26との接続箇所を切断する。光電変換基板12で欠陥が発生した場合でも、欠陥信号を発生させる原因となっている箇所を切断することで、欠陥に関して規格内に収まる放射線画像を取得できる。 (もっと読む)


【課題】波長多重光伝送や1芯双方向光伝送の端末機として用いられる光機能集積素子に関して、低損失な光学特性及び高信頼性を保ちつつ、小型化且つ高い歩留まりを実現可能な光機能集積素子を提供する。
【解決手段】複数の発光素子または受光素子22、23、24、25が、基板表面の水平方向直線上にそれぞれ載置された光素子搭載基板4と、基板の一方の面内に基板平行に対して角度を有し、基板厚み方向を伝播する光を屈折するための第一の傾斜面20が設けられた第一の光機能集積基板1と、伝播光の波長に対して透明な材料でできた基板の一方の面内に伝播光の波長透過率がそれぞれ異なる波長選択フィルタ8、9、10、11と、他方の面に伝播光を反射するミラー21が載置された第二の光機能集積基板と、第二の傾斜面12、13、14、15が設けられた第三の光機能集積基板3がそれぞれ設けられ、基板厚み方向に積層している光機能集積素子。 (もっと読む)


【課題】外部から浸入する水分を抑え、耐湿性、接着性、貯蔵安定性、低温硬化性にすぐれたシール剤を提供し、X線検出用シンチレータ膜の劣化を防止して長期安定性の高いX線検出器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるエポキシ樹脂シール剤は、液状ビスフェノール型エポキシ樹脂と、下記化学式で示されるジシクロペンタジエンエポキシ樹脂と、からなる混合物と、
【化1】


(上記化学式中、R1はそれぞれ水素原子又は炭素原子数1〜12のアルキル基を示し、nはそれぞれ0〜10の整数を示す。)
カチオン重合触媒と、無機質充填剤と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


オプトエレクトロニック・デバイス(20)は、表面(16)と、その表面の一方の側の光子活性領域(12)とを有する間接遷移半導体材料の本体(14)を含む。光誘導機構(22)が表面の反対側に本体と一体化して形成される。
(もっと読む)


【課題】高解像度、高輝度のX線検出器11を提供する。
【解決手段】アレイ基板12上にX線を蛍光に変換するシンチレータ層13を形成し、シンチレータ層13上にシンチレータ層13の蛍光を反射させる反射膜14を形成する。反射膜は、蛍光を反射させる光散乱性粒子及びこの光散乱性粒子間を結合するバインダ材を含有し、光散乱性粒子の周辺部にバインダ材が充填されていない空乏部を形成する。光散乱性粒子と空乏部との界面での屈折角が大きくなり、シンチレータ層13により変換された蛍光の反射が小領域内で生じ、反射光の遠方拡散による解像度低下や輝度の低下を抑える。 (もっと読む)


【課題】高速且つ高密度の光配線を低コストで構築するため、簡易な光結合系でも大きな実装余裕と動作余裕が得られる半導体受光素子およびその製造方法の提供。
【解決手段】基板上に設けられた半導体からなる受光部と、基板上に設けられた樹脂層と、樹脂層に周囲を囲まれて受光部の上に位置し、開口径が、受光部近傍で受光部より小さく、基板から離れるに従って連続的に広くなり、樹脂層の表面側で受光部より大きい逆錐体型開口と、逆錐体型開口の斜面に設けられ、且つ受光部の電極とは電気絶縁された金属からなる光反射膜とを備え、基板上の受光部以外の部分が遮光されている。 (もっと読む)


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