【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第１透明電極に積層される第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜の上に配設される第２の信号読み出し部と、第２の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第２の波長の光に感度を有する第２光電変換膜と、第２光電変換膜に積層される第２透明電極と、第２透明電極に積層される第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜の上に配設される第３の信号読み出し部と、第３の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第３の波長の光に感度を有する第３光電変換膜と、第３光電変換膜に積層される第３透明電極と、第１光電変換膜、第２光電変換膜、及び第３光電変換膜を画素毎に隔離する第１隔壁とを備え、前記第１の信号読み出し部、前記第２の信号読み出し部、及び前記第３の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が２次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、白キズの出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記Ｘ線透過性基板の上面には凹部３２を有し、前記Ｘ線透過性基板１７の凹部３２の上方に対応する薄膜状電極１８部分は、前記凹部３２によって左右または前後に分離された構成とした。 （もっと読む）

【課題】回路層に対するＩａ族元素の拡散を防止しながら光電変換効率を向上する。
【解決手段】回路層２０は、基板１０の面上に形成されてトランジスター１２を含む。光電変換素子１４は、第１電極４１および第２電極４２との間に介在するカルコパイライト型半導体の光電変換層４３を含む。供給層３４は、回路層２０と光電変換層４３との間に形成されてＩａ族元素を含む。光電変換層４３に対するＩａ族元素の拡散で光電変換効率が向上する。保護層３２は、供給層３４と回路層２０との間に形成されて回路層２０に対するＩａ族元素の拡散を防止する。 （もっと読む）

【課題】放射線を短時間で精度よく検出することができる放射線検出装置を提供する。
【解決手段】放射線検出素子１０は、予め定めた放射線検出領域に均一に配置され、被写体に照射された放射線を検出し、検出した放射線に応じた画像用電気信号をスイッチング素子を介して信号配線に出力する複数のフォトダイオード１２Ａと、前記画像用放射線検出素子の一部を分割した放射線検出素子であると共に予め定めた繰り返しパターンで配置され、前記被写体に照射された放射線を検出し、検出した放射線に応じたモニタ用電気信号を配線に直接出力する複数のフォトダイオード１２Ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板上の金属配線露出部での水分の関与による腐食反応を防止すると共に、アレイ基板カット面とＦＰＣの擦れによる断線を防止し、高温高湿下や結露状態などの環境負荷が大きい状態においても高い信頼性を確保した放射線検出器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコーン樹脂をアレイ基板１２／ＦＰＣ４７の隙間に塗布形成して絶縁防湿被覆５３とする。また、シリコーン樹脂をアレイ基板１２／ＦＰＣ４７の隙間だけでなく、接着されたＡＬハットからなる防湿層１５の鍔部１５ａ端部まで同時に塗布形成して絶縁防湿被覆５５とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、輝度情報及びカラー情報を十分に取得することができ、高感度と良好な色再現性を両立できる積層型撮像素子を提供することを目的とする。
【解決手段】入力光を受光し、光学像の輝度成分を取得する第１の撮像素子１０と、
該第１の撮像素子の背面側に配置され、該第１の撮像素子を透過した透過光を受光し、前記光学像の色成分を取得する第２の撮像素子７０とを有し、
前記第２の撮像素子のサブピクセル７１の面積は、前記第１の撮像素子のピクセル１１の面積の２倍、３倍又は４倍であることを特徴とする （もっと読む）

【課題】放射線レベルが異なる広範な様々な形式の検査に用いられるアモルファス・シリコン・ディジタルＸ線検出器を提供する。
【解決手段】ディジタルＸ線検出器（２２）の各々のピクセル領域（５４）は、第一の面積（１１６）を有する第一のフォトダイオード（８６）と、第一の面積（１１６）に等しい又はより小さい第二の面積（１２２）を有する第二のフォトダイオード（８８）とを含んでいる。ディジタルＸ線検出器（２２）はまた、各々のピクセル領域（５４）の第一（８６）及び第二（８８）のフォトダイオードの上に位置する遮蔽構造（９４）を含んでおり、遮蔽構造（９４）は、第一のフォトダイオード（８６）に第一の感度を与え、第二のフォトダイオード（８８）に第一の感度よりも低い第二の感度を与えるように、第二のフォトダイオード（８８）よりも比例的に少ない第一のフォトダイオード（８６）を遮蔽している。 （もっと読む）

【課題】電荷変換層の劣化を抑制すると共に、放射線検出器の製造最終工程まで、電荷変換層へバイアス電圧を印加するための電線が邪魔にならないようにする。
【解決手段】延長電極部431は、ガラス基板408上の光導電層の無い領域で、高電圧線432と電気的に接続されており、延長電極部431からバイアス電極401を介して光導電層404へバイアス電圧が印加される。このため、光導電層404へ付与される圧力が軽減され、光導電層404の劣化を抑制できる。また、高電圧線432と延長電極部431との接続が、ピン456及びプラグ446により行われるので、放射線検出器400の製造最終工程で、高電圧線432と延長電極部431とを接続することができ、放射線検出器400の製造最終工程まで、光導電層404へバイアス電圧を印加するための高電圧線432が邪魔とならない。 （もっと読む）

【課題】量子井戸型光検知器において、光吸収効率を向上させ、十分な感度が得られるようにする。
【解決手段】量子井戸型光検知器を、多重量子井戸層５，６と、多重量子井戸層を挟むコンタクト層７〜９とを備える複数の光検知素子３を備え、各光検知素子が、一方の表面が多重量子井戸層に対して平行な面になっており、一方の表面に対して多重量子井戸層及びコンタクト層を挟んで反対側の他方の表面が多重量子井戸層に対して傾斜した傾斜面２０になっており、一方の表面及び傾斜面に入射する入射光が屈折する側の側面に反射膜１０を備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも感度、応答性に優れた有機材料から構成された光電変換材料層を備えた光電変換素子を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換素子は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、並びに、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、光電変換材料層３０は、以下の構造式（１）で表されるジオキサアンタントレン系化合物から成る。
（もっと読む）

【課題】放射線の照射領域を狭く設定された場合でも、放射線を確実に検出できる放射線検出素子及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線を検出する検出領域に、放射線画像撮影用の画素２０Ａ及び放射線検出用の画素２０Ｂを含む複数の画素２０をマトリクス状に設け、画素２０Ｂに備えられたスイッチング素子に接続する信号配線３によって画素２０Ｂに発生した電荷を検出することで、放射線検出が可能となり、放射線の照射開始を検知することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続部が腐食することを的確に防止し、入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続を良好に維持することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、複数の走査線１０と複数の信号線１１により区画された各領域Ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子１４とが一面３ａ側に設けられた基板３と、基板３の面３ａ上の端縁部分に設けられ各走査線１０および各信号線１１の端部にそれぞれ設けられた入出力端子１７と、各入出力端子１７に導電性を保った状態で接着されるフレキシブルプリント基板２３とを備え、各入出力端子１７とフレキシブルプリント基板２３との接続部Ｑに、防湿性を有する絶縁塗料２４が塗布されており、絶縁塗料２４により、各入出力端子１７およびフレキシブルプリント基板２３末端の各端子と外気との接触が遮断されている。 （もっと読む）

本発明の例示の実施形態によれば、電磁放射線を検出する検出器ユニット３０１が提供されることができる。検出器ユニット３０１は、衝突する電磁放射線を電荷キャリアに変換するように適応される変換材料３３２を有しうる。更に、検出器ユニット３０１は、変換された電荷キャリアを収集するように適応される電荷収集電極３３１と、収集された電荷キャリアに基づいて電磁放射線を評価するように適応される評価回路３１２、３１３、３１４と、を有する。更に、検出器ユニット３０１は、電荷収集電極３３１と評価回路３１２、３１３、３１４との間に電気的に結合されることができる半導体３７１を有しうる。
（もっと読む）

【課題】効率よく光電変換ができる光吸収体を有する半導体基板、半導体基板の製造方法、および当該半導体基板を含む光センサを提供する。
【解決手段】シリコンを含むベース基板と、ベース基板上方に設けられたシード体と、シード体に格子整合または擬格子整合し、光または熱を吸収してキャリアを生成する３−５族化合物半導体からなる光熱吸収体とを備え、光熱吸収体が、光熱吸収体に入射する入射光または光熱吸収体に加わる熱に応じて電気信号を出力するセンサを提供する。また、シリコンを含むベース基板と、ベース基板の上方に形成され、ベース基板の表面を露出する開口を有し、結晶成長を阻害する阻害体と、開口の内部に設けられたシード体と、シード体に格子整合または擬格子整合し、光または熱を吸収してキャリアを生成する３−５族化合物半導体からなる光熱吸収体とを備える半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生の少ない光電変換素子及び固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】 導電性膜と、光電変換膜と、透明導電性膜とを含む光電変換素子であって、前記光電変換膜が、結晶化したフラーレン又はフラーレン誘導体を含み、前記結晶化したフラーレン又はフラーレン誘導体が、前記導電性膜の膜面に対して垂直に（１１１）方向に配向している、電変換素子。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置外部と電気的に接続される領域となる端子部は、その製造工程中に、フォトダイオードのドライエッチング雰囲気、パッシベーション層のフッ酸系ウェットエッチング雰囲気に等に晒される。また、各工程におけるレジスト剥離に伴うプラズマアッシング雰囲気にも晒される。そのため、エッチング工程による端子部の表面でダメージが蓄積され、接触抵抗の増加、密着性の低下等の不良が発生する。
【解決手段】製造工程中でのエッチング工程による端子部１０Ｂの表面でのダメージ蓄積を防ぐため、無機平坦化層２０２を、最終のエッチング工程（端子部１０Ｂとコンタクトを取る工程前）まで残した。エッチング工程によるダメージは無機平坦化層２０２により吸収されるため、端子部１０Ｂへの不必要なダメージ蓄積を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置、エックス線撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、光電変換素子及び読出回路が形成された素子層と、素子層表層に設けられた外部接続端子２２１とを備える。素子層は、読出回路の一部を構成する配線２４４の下地となる配線下地層２０と、表層２９４と配線下地層２０との間に配置された中間層２９１〜２９３と、を有する。表層２９４を貫通して配線２４４に至るコンタクトホールＨ３が形成されている。コンタクトホールＨ３の内壁面は、中間層２９１〜２９３又は表層２９４の面方向の一部が保持されてなりコンタクトホールＨ３の外側の表層２９４上と段差Ｄ３を構成する段差面Ｈ３２を含む。外部接続端子２２１は、コンタクトホールＨ３の内壁面と表層２９４上とコンタクトホールＨ３内に露出した部分の配線２４４とにわたって形成された導電膜を含んでいる （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の層２０、２４４、２９１〜２９４からなる素子層と、素子層内に設けられた光電変換素子と、素子層内に設けられて光電変換素子から信号を読出す読出回路と、素子層の表層２９４に設けられて読出回路を外部に接続する外部接続端子２１１と、を備える。素子層は、読出回路の一部を構成する配線２１２の下地となる配線下地層２０と、表層２９４と配線下地層２０との間に配置された中間層２９１〜２９３と、を含む。中間層２９１〜２９３上に接続導電部２８２〜２８４が設けられている。配線２１２が接続導電部２８２〜２８４と導通接続されているとともに外部接続端子２１１が接続導電部２８２〜２８４と導通接続されている。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の層からなる素子層と、素子層内に設けられた光電変換素子と、前記素子層内に設けられた読出回路と、素子層の表層２９４に設けられて読出回路を外部に接続する外部接続端子２１１と、を備える。素子層には、読出回路の一部を構成する配線２１２上に、表層２９４を貫通して配線２１２の一部に通じるコンタクトホールＨ２が形成されている。外部接続端子２１１は、コンタクトホール内Ｈ２と表層２９４上とにわたって設けられて配線２１２と導通接続された導電膜を含む。導電膜において外部４１に導通接続される接続領域Ａ３が、コンタクトホールＨ２の開口と重ならない領域になっている。 （もっと読む）

【課題】容量結合が低減された光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、第１電極２５１と第２電極２５２との間に配置された光電変換層を有する光電変換素子２５と、第１電極２５１と導通するソース領域２４３を有するＴＦＴ２４と、ＴＦＴ２４のドレイン領域２４２と導通する第１配線２２２と、ＴＦＴ２４のゲート電極２４１と導通する第２配線２１２と、第２電極２５２と導通し、第１配線２２２と第２配線２１２とのうちの一方の配線２２２と略平行に延設された第３配線２３とを備える。第２電極２５２が、透明導電材料からなり、光電変換層に対する光入射側に配置されている。第３配線２３が、透明電極材料よりも導電性が高いメタル材料からなり、面方向における第３配線２３と一方の配線２２２との間隔ｄ１、ｄ２が、面方向に垂直な厚み方向における第３配線２３と一方の配線２２２との間の間隔よりも長い。 （もっと読む）