【課題】 従来に比べて小型で、素子機能部間で、高い周波数の信号を高精度に伝送することができる集積型半導体装置を提供する。
【解決手段】 サファイア単結晶基板１０と、サファイア単結晶基板１０の一方主面１０Ａに第１素子機能部２２を備え、他方主面１０Ｂに第２素子機能部３２を備え、第１素子機能部２２が光を発光し、第２素子機能部３２がサファイア単結晶基板１０を透過した光を受光することで、高い周波数の信号を精度良く伝送する。 （もっと読む）

【課題】フォトカプラ等の光半導体のＣＴＲが低下していない場合には、入力電流を必要以上に流さないようにする。
【解決手段】フォトカプラ等をスイッチング動作させてパルス信号の伝達をしている光半導体の駆動回路において、入力抵抗を可変させるためのスイッチと、出力電流を監視して該スイッチをオン、オフさせる出力電流判定部を備え、出力電流の値によりＣＴＲの低下を判定し、適切な入力抵抗値とすることで必要な入力電流のみを流すようにする。フォトカプラのＣＴＲが低下していない場合でも必要以上に入力電流を流さないようにできる。 （もっと読む）

【課題】より細かい故障箇所の特定が可能な半導体パッケージ、半導体装置、及びその検査方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体パッケージ１は、ＬＳＩチップ５と発光素子チップ６Ａとがパッケージ基板４に実装されたものであって、発光素子チップ６Ａから出力される出力光信号が、パッケージ基板４に形成された出力光信号分岐構造によって分岐され、分岐された出力光信号のうち少なくともふたつが半導体パッケージ１の外部に出射される構造を有する。また、ＬＳＩチップ５と受光素子チップ６Ｂとがパッケージ基板４に実装されたものであって、半導体パッケージ１に入力される入力光信号が、パッケージ基板４に形成された入力光信号分岐構造によって分岐され、分岐された入力光信号のうちの少なくともひとつが受光素子チップ６Ｂに入力され、別の少なくともひとつが半導体パッケージ１の外部に出射される構造を有する。 （もっと読む）

【課題】多重チャネルを含む高速光配線素子を提供する。
【解決手段】高速光配線素子が提供される。高速光配線素子は、ＳＯＩ基板上の第１半導体チップと、ＳＯＩ基板上の前記第１半導体チップから電気信号を受信して光信号を出力する光放出器と、ＳＯＩ基板上の前記光信号を感知して電気信号に変換する光検出器と、ＳＯＩ基板上の前記光検出器によって変換された電気信号を受信する第２半導体チップとを含む。 （もっと読む）

【課題】三次元形状の立体配線基体に実装される複数の電子ディバイス又は光ディバイスの配置設計の自由度を拡大する。
【解決手段】中空部１１を有する三次元形状で形成される立体配線基体１と、この立体配線基体１の中空部１１の内側面１２に配設され、光信号で情報の送信及び／又は受信を行う複数の電子ディバイス２１、〜、２７とを備え、前記一の電子ディバイス２１が他の複数の電子ディバイス２２、〜、２７との間で光信号による情報の送信及び／又は受信を行う構成としているので、各電子ディバイス及び光ディバイスとの配設位置に制限されることなく同時に情報の送信及び受信ができることとなり、三次元形状の立体配線基体に実装される複数の電子ディバイス又は光ディバイスの配置設計の自由度を拡大すると共に、設計時間及び労力を極力少なく設計できるという効果を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を確保しつつ小型化が可能な光結合装置を提供する。
【解決手段】開口部を有し絶縁材料からなる支持体と、前記支持体の第１の面に設けられた第１の配線層と、前記支持体の前記第１の面と反対側の第２の面に設けられた第２の配線層と、前記第１の面上に設けられ、前記第１の配線層に接続され、少なくとも一部が前記開口部に対向する発光素子と、前記第２の面上に設けられ、前記第２の配線層に接続され、前記開口部を介して前記発光素子と対向する受光素子と、前記発光素子と、前記受光素子と、を覆うように設けられた遮光性樹脂と、を備えたことを特徴とする光結合装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】LSIの微細化や高速化に伴い、従来の（電気配線）電気信号によるクロックでは配線遅延によるクロックスキューが問題になるが、それを回避するための光クロック信号を分配する光学系が複雑になっており、実装コストがかかる。
【解決手段】コア及びクラッドから構成される光ファイバ形状の導波路を一定の間隔で束ね、板状に成形したファイバオプティックプレートからなる光分配機能素子と、受光素子を搭載したLSIチップとを積層させ、開口角よりも大きい角度（θi＞θa）で前記光分配機能素子へ入射する外部光源を配置することで、FOPの拡散モード伝搬を用いた光分配素子とLSIとを積層する構成により、LSIのチップ構造等は変更せず、クロックスキューの低減を図るための光クロックの分配装置が単純な実装方法により達成するという効果を有する。 （もっと読む）

【課題】簡易且つ確実に精度良く光学部品の実装が可能な光学部品実装用サブマウント、及びこれを用いた光送受信モジュールを提供すること。
【解決手段】 例えば、サブマウント２２は、略直方体状の基板から構成されている。このサブマウント２２には、高分子光導波路フィルム１０を取付けるための凹部２６（光学部品実装用凹部）と、受光素子及び発光素子を嵌め込んでそれぞれ保持（実装）するための凹部２８ａ，２８ｂ（光学部品実装用凹部）とが形成されている。このような構成のサブマウント２２において、光学部品実装用凹部としての凹部２６，２８ａ，２８ｂは、４つ或いは３つの側壁がテーパー状となっており、開口が底面よりも大きくなるように設ける。 （もっと読む）

【課題】発光素子３Ａ（３Ｂ）および受光素子４Ａ（４Ｂ）の対からなるフォトカプラを多数有する光結合装置の製造方法において、隣り合うチャンネル間のクロストークを十分に抑制した構造を簡易かつ低コストで得られるようにする。
【解決手段】単一のシリコン基板２上に多数のフォトカプラを設けた多チャンネル・モノリシックタイプのチップ１を絶縁基板２０上に搭載し、フォトカプラを構成する発光素子３Ａ（３Ｂ）と受光素子４Ａ（４Ｂ）との間にダイシングにより第１切り込み溝２５を形成し、この第１切り込み溝２５に透光性絶縁樹脂３０を充填した後、隣り合うフォトカプラの間にダイシングにより第２切り込み溝２６を形成し、各発光素子３Ａ（３Ｂ）および各受光素子４Ａ（４Ｂ）と外部端子２２とをボンディングワイヤ３１にて電気的に接続して、絶縁基板２０上の全体を遮光性樹脂３２でモールドする。 （もっと読む）

【課題】光信号の伝送が効率よく行われ、低コストで製造可能な光導波路ユニットを提供することにある。
【解決手段】本発明の光導波路ユニット１は、コア層１２と、クラッド層１１、１３とを備えた光導波路基板１０に、信号光の送信側および受信側の光学素子５０が設置される。光導波路基板１０は、前記光学素子５０の設置側からスタンプ部材２０を光導波路基板１０に押圧させることにより、コア層１２に前記信号光を反射させるミラー部３１が形成され、クラッド層１１には光学素子５０の位置決め用の基板ガイド部３２が形成される。 （もっと読む）

【課題】 光電変換素子と、レンズ部とのアライメント精度を向上することができ、小型化及び薄型化が可能な光電変換装置及びその製造方法、並びに光導波モジュール及び光情報処理装置を提供すること。
【解決手段】 光出射面又は光入斜面５が露出するように素子基体１に設けられた光電変換素子（例えば発光素子又は受光素子）２と、光電変換素子２に対応したレンズ部６が設けられた単一のレンズ基体７とからなり、光出射面又は光入斜面５の側において素子基体１にレンズ基体７が直接接合されている光電変換装置１０、及びその製造方法。本発明の光電変換装置と、光導波部（例えば光導波路）とからなる、光導波モジュール。本発明の光電変換装置と、光導波部と、前記光電変換素子を駆動する駆動素子とからなる、光情報処理装置。 （もっと読む）

【課題】上面入射による基板内の光信号伝送を容易に行い得るようにする。
【解決手段】ＳＯＩ基板１０１のシリコン酸化膜１０１ｂは、第１の深さ部分１０１b1、この第１の深さ部分より深い第２の深さ部分１０１b2およびこれら第１、第２の深さ部分を接続する傾斜部分１０１b3からなっている。傾斜部分１０１b3を光信号の通過路を構成する反射ミラーとして用いる。面発光レーザチップ１０５からの光信号はＳｉＯ₂貫通孔１０４ａを介して傾斜部分１０１b3に導かれる。そして、この光信号は、傾斜部分１０１b3の内表面で反射され、その後、シリコン酸化膜１０１ｂの第２の深さ部分１０１b2を光導波路として導波されていく。この光信号は、再びシリコン酸化膜１０１ｂの傾斜部分１０１b3の内表面で反射され、ＳｉＯ₂貫通孔１０４ｂを介してＰＤチップ１０８の光信号入力部１０８ｂに入力される。 （もっと読む）

【課題】光導波路アレイを構成するリッジ型の光導波路の延伸方向と直交する方向の強度を高める。
【解決手段】光導波路アレイ１０３は、複数本のリッジ型の光導波路１３５，１３６が、その延伸方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に、所定間隔をもって並べて配置されている。Ｘ方向に間隔ｄ1をもって、各光導波路１３５，１３６と隣接する他の光導波路を接続する補強梁部１３８を設ける。補強梁部１３８は、Ｙ方向に延びるものであり、かつ光導波路１３５，１３６と同一材質のものとされている。補強梁部１３８ａを設けることで、光導波路１３５，１３６のＹ方向の強度が高まり、物理的外乱に強いものとなる。補強梁部１３８を光導波路１３５，１３６と同一材質のものとすることで、当該補強梁部１３８を光導波路１３５，１３６と同一のプロセスで同時に形成でき、製造が容易となる。 （もっと読む）

【課題】光素子の実装占有面積を小さくして実装の高密度化を図る。
【解決手段】インターポーザ１０５ａの裏面には発光素子アレイ１０６が実装されている。インターポーザ１０５ａの裏面の電極パッド１５３ａと発光素子アレイ１０６の上面の電極１６１ａとの間にはんだ１５５ａが介在されている。発光素子アレイ１０６を構成する各発光素子１６１は、それぞれ、表面（上面）側に、発光部１６１ｂと同軸上に電極１６１ａが配置されており、発光部１６１ｂから裏面（下面）側に光信号としてのレーザ光を出射する。光素子アレイ１０６をインターポーザ１０５ａに実装する際に、例えばインターポーザ１０５ａの電極パッド１５３ａにプリコーティングされたはんだ１５５ａのみを利用し、フラットニング処理などで、発光部１６１ｂに余分な負荷を与えないようにする。 （もっと読む）

【課題】クロックスキューを容易に低減し、また消費電力の増大を招くことなくクロック信号の周波数を上げて半導体装置の動作速度の高速化を図る。
【解決手段】ＳＯＩウェーハ１０１上に複数の機能ブロックが形成されている。複数の機能ブロックは夫々フォトダイオード（ＰＤ）１０２を有している。複数の機能ブロックの全てが導光板１０７で覆われる。光信号発生部１０８からはクロック信号に対応した光信号が発生され、この光信号が導光板１０７に入射される。この光信号は導光板１０７を介して、複数の機能ブロックのＰＤ１０２に入射される。複数の機能ブロックでは、夫々、ＰＤ１０２により光信号が電気信号に変換され、クロック信号を取得できる。ＰＤ１０２に対応して波長分波フィルタ１０５を配設することで、各機能ブロックのＰＤ１０２には、所定の波長の光信号のみを選択的に入射できる。 （もっと読む）

【課題】 直接位置決めしたい光素子を配置予定位置に位置させて、半導体体回路の位置決め精度を向上させる。
【解決手段】 ＩＣチップ４２を予め定められた配置予定位置に位置させ（（Ａ））、かつ、この場合に該ＩＣチップ４２の実装の光素子２０と光通信可能な光通信位置に光検出素子２０を配置する。光素子２０と光検出素子２２との間の光通信状態に基づいて、ＩＣチップ４２を位置決めする（（Ｂ））。 （もっと読む）

【課題】 信号遮断時の出力端子間容量Ｃｏｆｆを低減し、且つオン抵抗Ｒｏｎを低減化
したＳＯＩ構造の半導体装置及びそれを用いた光半導体リレー装置を実現する。
【解決手段】 パワーＭＩＳＦＥＴ２０は、第１のシリコン基板１の表面上にＢＯＸ層（
酸化膜層）２が形成され、このＢＯＸ層２の表面上にＮ^＋ソース層７、Ｐ層６、低不純物
濃度オフセット層５、Ｎ^＋ドレイン層８が設けられている。このＰ層６上には、ゲート絶
縁膜９を介して第１のゲート電極１０が設けられている。そして、第１のシリコン基板１
の裏面には、Ｐ層６に対向してＢＯＸ層２をゲート絶縁膜とする第２のゲート電極１５が
設けられている。 （もっと読む）

【課題】その目的は、全体の低背化を達成しやすくて、光部品と他部品とを高い精度で光結合でき、しかも比較的簡単に製造できる光電変換モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明の光電変換モジュール４１は、積層基板接合体４０、光素子１７、光結合部材３１等を備える。積層基板接合体４０は、複数の絶縁層５２を積層してなる第１積層基板５１と、複数の絶縁層６２を積層してなる第２積層基板６１とを備える。第１積層基板５１及び第２積層基板６１は、絶縁層５２，６２の積層方向を直交させた状態で接合され、かつ電気的に接続される。光素子１７は第１積層基板５１に搭載されている。光結合部材３１は、第１積層基板５１に設けられる。光結合部材３１は、光素子１７と光素子１７に光結合されるべき他部品２１との光軸合わせの際の位置基準となる。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成に伴う半導体基板の金属汚染を抑制することができる半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】一方表面に機能素子３が形成されたウエハＷの当該一方表面に、ウエハＷの厚さよりも浅い所定の深さの表面側凹所９を形成する。続いて、表面側凹所９内に非金属材料を供給して、当該非金属材料からなるダミープラグ８を形成する。次に、ウエハＷにおいて上記一方表面とは反対の面である裏面Ｗｒを機械的に研削して、ウエハＷを表面側凹所９の深さより小さな厚さに薄型化して、表面側凹所９をウエハＷを貫通する貫通孔にする。その後、この貫通孔内のダミープラグ８を除去し、さらに、この貫通孔内に金属材料を供給して貫通電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 光結合ロスを低減することができる光導波モジュール及びその実装構造を提供すること。
【解決手段】 第１の半導体層７、絶縁層８及び第２の半導体層９とがこの順に積層され、第１の半導体層７と第２の半導体層９との間に光導波層１０が形成されている光導波装置２と、光電変換素子（発光素子等の光入射手段３、受光素子等の受光手段４）とが、セラミクス等のインターポーザー５に配されている、光導波モジュール１。本発明の光導波モジュール１が、インターポーザー５を介して実装基板６に実装されている、光導波モジュールの実装構造。 （もっと読む）