【課題】 既存のハードウェア構成を極力変更せず、ＯＮ抵抗の切替後の変動を迅速に収束させることが可能な信号処理回路を提供する。
【解決手段】 本発明の代表的な構成は、波形発生器または波形測定器に適用される信号処理回路１００であって、信号経路の切替を行う半導体リレー１２０ａ〜１２０ｌと、信号経路上の半導体リレー１２０ａ〜１２０ｌに、波形発生時または波形測定時に流れる電流よりも大きな電流をその直前に一時的に流す制御部１４２と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の増大を抑制し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ユニポーラ型の化合物半導体素子（３０ａ）と、この化合物半導体素子（３０ａ）に並列的に外部接続されたバイパス用半導体素子（４０ａ）とを具備し、バイパス用半導体素子（４０ａ）の通電開始電圧が化合物半導体素子（３０ａ）のソース・ドレイン方向の通電開始電圧よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 品質のばらつき等にかかわらず、フォトカプラが出力劣化状態であるか否かを正確に判定でき、かつフォトカプラの使用寿命を延長することができるフォトカプラ装置を提供する。
【解決手段】 劣化検出対象の第１のフォトカプラＰ１と、第１のフォトカプラＰ１の駆動を制御する制御器１Ａと、第１のフォトカプラＰ１の出力信号の電位に応じた値である検出値を生成し出力する出力検出回路３Ａと、出力検出回路３Ａから出力される検出値を制御器１Ａへ伝達する第２のフォトカプラＰ２１，Ｐ２２とを備え、制御器１Ａは、第１のフォトカプラＰ１を駆動したときの検出値に基づいて第１のフォトカプラＰ１が出力劣化状態であるか否かを判定する判定処理を行い、この判定結果がｋ回（ｋは２以上の所定の値）まで出力劣化状態になるたびに、第１のフォトカプラＰ１の駆動電流を増加させる調整処理を行うように構成されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明の根本的な目的は赤外線のレンズとＬＥＤのレンズを一体・共有化させ、フィルター（レンズ）に可視光が入射して、検知部に届いても誤作動を起こさない赤外線近接センサーを提供すること。
【解決手段】
赤外線近接センサー１において、前記赤外線近接センサー１の共振ポイント部と、前記共振ポイント部のピーク値検出する検出部１ｂと、ピーク値に一定の抵抗値をかける抵抗部１ｄと、光の全波長を通過減衰するフィルター８とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】対向型の光結合装置に比べて製造コストの安価な並置型の光結合装置において、光起電力と光電流の値を高くして出力効率を良好にする。
【解決手段】発光素子３４と受光素子３５を、それぞれリードフレーム３２とリードフレーム３３において同じ向きの面に配置する。発光素子３４及び受光素子３５を透光性樹脂３６で覆い、その表面に光反射樹脂層４８を形成する。受光素子３５は、一方向に長い長方形状をした受光セル４６を複数個平行に並べて構成されており、各受光セル４６は互いに直列に接続されている。また、発光素子３４は、発光素子３４の中心と受光素子３５の受光領域の中心とを結ぶ線分が、受光セル４６の長さ方向とほぼ平行となるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】 安価なガラス基板を用い、情報量の増加に対応でき、なおかつ高性能
で高速動作が可能な集積回路を有する半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】 集積回路を構成する種々の回路を複数のガラス基板上に形成し、
各ガラス基板間の信号の伝送は、光信号を用いる所謂光インターコネクションで
行なう。具体的には、あるガラス基板に形成された上段の回路の出力側に発光素
子を設け、別のガラス基板に形成された後段の回路の入力側に、該発光素子と対
向するように受光素子を形成する。そして上段の回路から出力された電気信号か
ら変換された光信号が発光素子から出力され、該光信号を受光素子が電気信号に
変換し、後段の回路に入力される。 （もっと読む）

【課題】 信号の伝送歪み及び伝送ロスを減少することができる光電子集積回路装置を提供することを第一の目的とする。また、信号の伝送遅延時間を短縮することができる光電子集積回路装置を提供することを第二の目的とする。
【解決手段】 電気回路部１１と、光学的出力端子部１２と、光学的入力端子部１０とを含む第一光電子集積回路（１−１）及び第二光電子集積回路（１−２）で構成されており、該第一光電子集積回路（１−１）及び第二光電子集積回路（１−２）が夫々の光学的出力端子部１２と光学的入力端子部１０とが向き合うように配置されることにより、複数の光電子集積回路装置１間の信号伝送を光信号で行うことが可能となり、信号の伝送歪み及び伝送ロスを減少できると共に、信号の伝送遅延時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】 比較的小型であるとともに、光検出精度が比較的高い受発光一体型素子アレイおよびセンサ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る受発光一体型素子アレイ１０は、受光素子３と発光素子２とが基板１の一方の主面に設けられ、基板１の一方の主面には、受光素子３と発光素子２との間に、受光素子３の配置領域と発光素子２の配置領域とを分ける溝９が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】制御用ＩＣと信号パターンとの間の配線による高周波特性への影響を低減することによって、高周波特性を向上させた半導体リレーモジュールを提供する。
【解決手段】半導体リレーモジュールＡは、誘電体基板２０の表面に形成された信号パターン２１ａ，２１ｂの途中に設けられて、信号を通過又は遮断する半導体スイッチ（ＭＯＳＦＥＴ１ａ，１ｂからなる）と、入力信号に応じて光信号を発光する発光ダイオード２と、発光ダイオード２からの光信号を受光し当該光信号に基づいてＭＯＳＦＥＴ１ａ，１ｂをオン／オフする受光素子５とを備え、受光素子５は、信号の伝送方向に沿ってＭＯＳＦＥＴ１ａ，１ｂと一列に並ぶように配置されている。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成でＶＣＳＥＬアレイ上の各発光素子を個別にモニタリングすることのできるモニタリング方法とＶＣＳＥＬアレイを提供する。
【解決手段】 複数の垂直共振器型面発光素子が基板上に配置されたＶＣＳＥＬアレイであって、第１の光素子１１０と、第２の光素子１２０とを備えている。第２の光素子１２０は、バイアス方向切換手段により、第２の光素子１２０に対して印加する電圧を逆方向のバイアスに切り換えたときに、第１の光素子１１０から出射された基板水平方向の光１４０を受光して、電気信号に変換する。また、第２の光素子１２０は、バイアス方向切換手段により、第２の光素子１２０に対して印加する電圧を順方向のバイアスに切り換えたときに、基板水平方向の光１５０を出射する。 （もっと読む）

【課題】製造効率を向上させるとともに薄型化を図ることが可能なフォトカプラを提供すること。
【解決手段】入力信号によって発光する発光素子と、上記発光素子からの光を受光することにより信号を出力するための起電力を生じる受光素子３と、を備えるフォトカプラＡであって、受光素子３が形成された基板１と、受光素子３を覆う透明絶縁膜４と、受光素子３に対して透明絶縁膜４を介して正対する上記発光素子としての有機ＥＬ素子２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】信頼性を確保しつつ小型化が可能な光結合装置を提供する。
【解決手段】開口部を有し絶縁材料からなる支持体と、前記支持体の第１の面に設けられた第１の配線層と、前記支持体の前記第１の面と反対側の第２の面に設けられた第２の配線層と、前記第１の面上に設けられ、前記第１の配線層に接続され、少なくとも一部が前記開口部に対向する発光素子と、前記第２の面上に設けられ、前記第２の配線層に接続され、前記開口部を介して前記発光素子と対向する受光素子と、前記発光素子と、前記受光素子と、を覆うように設けられた遮光性樹脂と、を備えたことを特徴とする光結合装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング時間が改善された光結合装置を提供する。
【解決手段】発光素子と、受光素子と、出力段ＭＯＳＦＥＴと、放電回路と、を備え、前記放電回路は、放電用ＭＯＳＦＥＴ及び第１の整流素子を含み、ターンオン状態では前記第１の端子からの前記電荷が前記出力段ＭＯＳＦＥＴの前記ゲートに蓄積され、前記出力段ＭＯＳＦＥＴを導通状態とし、ターンオフ状態に遷移すると前記出力段ＭＯＳＦＥＴの前記ゲートに蓄積された前記電荷が前記第１の整流素子の順方向接合を通って移動し前記放電用ＭＯＳＦＥＴのゲートに蓄積されて前記放電用ＭＯＳＦＥＴを導通状態とし、導通状態となった前記放電用ＭＯＳＦＥＴを介して前記出力段ＭＯＳＦＥＴの前記ゲートに蓄積された前記電荷が放電され、前記出力段ＭＯＳＦＥＴを非導通とすることを特徴とする光結合装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】
１チップ内に構成されている素子を変更することなく、多品種に適用可能な光半導体リレーを提供することを目的とする。
【解決手段】
電気信号を光信号に変換する発光ダイオード１５と、発光ダイオード１５の光信号を受光して電気信号に変換する複数のフォトダイオードを直列に接続して形成された第１のフォトダイオードアレイ１８ａ並びに第１のフォトダイオードアレイ１８ａに隣接した位置に形成された第２のフォトダイオードアレイ１８ｂと、前記第１及び第２のフォトダイオードアレイに接続された制御回路と、前記第１のフォトダイオードアレイと前記第２のフォトダイオードアレイの接続を切り替え可能に行う切り替え配線１９、２０とから構成される光半導体リレー。 （もっと読む）

【課題】単チャンネル型の光半導体装置を製造する場合はもちろん、特に多チャンネル型の光半導体装置を製造する場合には、外乱光の影響を受けにくく、内部受発光素子間の光伝達効率を高めることができると共に、誤動作を防止することができ、且つ環境性能を発揮しつつ良好な耐炎性、耐湿信頼性、成形性、硬化物物性をも発揮することができる光半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、シリカ粉末、二酸化チタン及び金属水酸化物を含有する。前記金属水酸化物の表面がアルミニウム化合物、ケイ素化合物、チタン化合物のうち少なくとも一種でコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、出力段ＭＯＳＦＥＴのドレイン・ソース間のリーク電流を低減するためベースの不純物濃度を高くしても、ゲート閾値電圧Ｖｔやオン抵抗Ｒｏｎが増加せず、その結果、スイッチング時間が増加したりオン抵抗が増加したりすることがない半導体リレーを提供することである。
【解決手段】本発明の半導体リレー１０１は、電気信号を光信号に変換するＬＥＤ１７と、光信号に応じた第一の出力電圧を発生する第１のフォトダイオードアレイ１８と、第一の出力電圧がゲート・ソース間に印加されてドレイン・ソース間が導通/非導通状態に切り替えられる出力段ＭＯＳＦＥＴ１０２，１０３とを備え、出力段ＭＯＳＦＥＴ１０２，１０３のゲート閾値電圧を導通/非導通状態で切替える切替手段１０４を備えた。 （もっと読む）

【課題】 インダクタンス成分を抑制したスイッチ回路を有する光結合装置を提供する。
【解決手段】 発光素子１１からの光を受光する受光素子１３、及び、受光素子１３からの信号に基づいてオン・オフ制御されるＭＯＳ素子１６ａ及びＭＯＳ素子１６ａが対向して配置され、ＭＯＳ素子１６ａ及びＭＯＳ素子１６ａの対向面に形成された電極同士が接続されたスイッチ回路１６を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置を設けた第１の基板と光導路波基板とを有する光信号入出力装置を提供するに当たり、半導体装置と光導路波基板との実装位置合わせずれに対し、より大きな許容量を確保して量産性に優れた構造を実現すること。
【解決手段】 半導体集積回路、面発光素子アレイ、面受光素子アレイを設けた半導体装置基板に対して、光導路波を設けた基板を 相対的に位置決めして固定する際、光送信部上ならびに光受信部上にレンズアレイ対を設け、光送信部上のレンズの口径に対する光受信部上のレンズの口径の比が１．１以上３以下とすることにより、位置合わせずれ許容量が大きく、量産性に優れた高密度光信号入出力装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】発光素子３Ａ（３Ｂ）および受光素子４Ａ（４Ｂ）の対からなるフォトカプラを多数有する光結合装置の製造方法において、隣り合うチャンネル間のクロストークを十分に抑制した構造を簡易かつ低コストで得られるようにする。
【解決手段】単一のシリコン基板２上に多数のフォトカプラを設けた多チャンネル・モノリシックタイプのチップ１を絶縁基板２０上に搭載し、フォトカプラを構成する発光素子３Ａ（３Ｂ）と受光素子４Ａ（４Ｂ）との間にダイシングにより第１切り込み溝２５を形成し、この第１切り込み溝２５に透光性絶縁樹脂３０を充填した後、隣り合うフォトカプラの間にダイシングにより第２切り込み溝２６を形成し、各発光素子３Ａ（３Ｂ）および各受光素子４Ａ（４Ｂ）と外部端子２２とをボンディングワイヤ３１にて電気的に接続して、絶縁基板２０上の全体を遮光性樹脂３２でモールドする。 （もっと読む）

集積回路層における垂直方向の構成を含む光電子集積回路装置（102）内において、光信号が、その第１の集積回路層（104）と、その第２の集積回路層（106）との間において結合される。光信号は、前記第１の集積回路層(104)と前記第２の集積回路層(106)との間に配置されたスーパーレンズ素子(110)を介して投射される。完全レンズ、負屈折率レンズ、複合材料レンズ、フラットレンズ、及びメタマテリアルレンズとしても知られた、適切な条件下におけるスーパーレンズ素子は、一般に、正の屈折率の光学レンズに関連した回折制限を受けず、従って、波長よりも細かいある解像度に光をイメージ化することができる。放射アパーチャ(108)と受信アパーチャ(112)との間の垂直方向の距離は、放射された光の１波長よりも短く、各々が、スーパーレンズ素子(110)に対して近接場内にある。スーパーレンズ素子(110)は、銀のような高導電性金属の薄いスラブを含むことができる。
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