【課題】 従来に比べて小型で、素子機能部間で、高い周波数の信号を高精度に伝送することができる集積型半導体装置を提供する。
【解決手段】 サファイア単結晶基板１０と、サファイア単結晶基板１０の一方主面１０Ａに第１素子機能部２２を備え、他方主面１０Ｂに第２素子機能部３２を備え、第１素子機能部２２が光を発光し、第２素子機能部３２がサファイア単結晶基板１０を透過した光を受光することで、高い周波数の信号を精度良く伝送する。 （もっと読む）

【課題】製品毎に、受光精度を高めて、光学特性の安定化を向上できると共に、光結合装置にプリズム体を含める場合、プリズム体の小型化を図ることができる光結合装置を提供する。
【解決手段】第１の受光領域群を受光領域２８，２９，３１によって定義し、第２の受光領域群を受光領域２８，２９，３０によって定義し、第３の受光領域群を受光領域２８，３１，３２によって定義する。上記第１〜上記第３の受光領域群のうちから上記第２の受光領域群の出力を選択して、有効な受光領域２８，２９，３０の位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】センサの検出可能距離が大きくかつ調整の容易な反射型光電センサを提供する。
【解決手段】発光素子３と、発光素子３前方に設けられた投光レンズ１と、発光素子３からの光を受光する受光素子４と、受光素子４前方に設けられた受光レンズ２と、受光素子４からの出力信号に基づき、信号処理を行う主回路部５とを具備した、反射型光電センサであって、投光レンズ１及び受光レンズ２の少なくとも一方を、投光レンズ１及び受光レンズ２の重心を結ぶ基線長方向に移動する移動部とを備える。この移動部としては、たとえば投光レンズ１及び受光レンズ２の重心を押圧するネジ部９およびばね部１０を用いる。 （もっと読む）

【課題】 低回転抵抗で、低コストで、組み立てが容易で、構成自由度が高く、高感度かつ高安定性のロータリージョイントを提供すること。
【解決手段】 ロータリージョイント５は、固定ユニット２と、回転中心軸ＣＬ１周りに回転する回転ユニット３と、前記回転ユニット３から前記固定ユニット２に信号光を伝送する第１信号伝送部５３と、前記固定ユニット２から前記回転ユニット３に信号光を伝送する第２信号伝送部５５とを備えている。前記第１信号伝送部５３が、第１回転側発光部３４と、第１回転側反射部３６と、第１固定側受光部３２と、第１遮光部材２９とを有している。前記第２信号伝送部５５が、第２固定側発光部３１と、第２固定側反射部３３と、前記第２回転側受光部３５と、第２遮光部材２８とを有している。 （もっと読む）

【課題】フォトカプラの寿命を、単一の発光素子の寿命、或いは、単一の発光素子が偶発故障するまでの期間よりも、長くする。
【解決手段】フォトカプラは、第１発光素子（第１ＬＥＤ１）と、第１発光素子へ電源供給する第１電源端子２１と、第２発光素子（第２ＬＥＤ２）と、第２発光素子へ電源供給する第２電源端子２２と、第１及び第２発光素子と対向して配置された受光素子６を有する。フォトカプラは、更に、第２電源端子２２と第２発光素子との間に挿入され、第１発光素子の発光強度が所定値以下となった場合に、第２電源端子２２から第２発光素子へ電源供給するスイッチ３０を有する。 （もっと読む）

【課題】１チップ化された光結合装置において、発光光の利用効率を高くする。
【解決手段】受光素子領域Ｂ１中において受光素子１０が形成され、発光素子領域Ｂ２中におけるＳｉ基板（半導体基板）１１の一方の主面上に発光素子２０が形成される。Ｓｉ基板１１の他方の主面には、絶縁性基板４０が、絶縁性接着剤４１によって接合されている。また、受光素子１０と発光素子２０とは、Ｓｉ基板１１中に形成された溝５０で電気的に分離されている。受光素子１０は、コレクタ領域（Ｓｉ基板１１）、ベース領域１２、エミッタ領域１３からなるフォトトランジスタである。発光素子２０は、ｎ型ＧａＮ層２１、ＭＱＷ層２２、ｐ型ＧａＮ層２３からなる。受光素子１０における受光面はＳｉ基板１１中に形成され、発光素子２０における発光面はＳｉ基板１１上に形成された半導体層中に形成されるため、受光面と発光面とは異なる高さとなる。 （もっと読む）

【課題】低コストであり、かつ狭スペースであっても搭載可能な光伝送モジュールを実現する。
【解決手段】本発明の光伝送モジュール１は、光配線４によって伝送される光信号を電気信号に変換する光受信処理部３と、電気信号を伝送する電気配線５を備えた受信側基板部３５と、光受信処理部３および受信側基板部３５に電気信号を供給する受信側コネクタ部３６とを備えている。そして、光受信処理部３及び受信側コネクタ部３６が、受信側基板部３５における同一の基板面に搭載されており、受信側基板部３５は、その法線方向において基板面が互いに背向するように折り曲げられた折り曲げ部３５Ｘを有している。 （もっと読む）

【課題】 インサーションロスの低減が可能な半導体リレーを提供する。
【解決手段】 入力端子部５１間に所定の電力が入力されて発光素子２が点灯すると、発光素子２の光を受けた受光駆動素子４が各ＭＯＳＦＥＴ３ｂをそれぞれオン駆動することで、出力端子部６１間の電気的接続がオンされる。出力端子部６１が設けられた各出力導電板６において、それぞれ、ＭＯＳＦＥＴ３ｂが実装された実装部６２の厚さ方向を、各端子部５１，６１がそれぞれ実装されるプリント配線板Ｐの厚さ方向に直交させた。各実装部６２の厚さ方向がプリント配線板Ｐの厚さ方向に平行とされる場合に比べ、プリント配線板Ｐに設けられた導電パターンＰ３と各実装部６２との間の寄生容量が低下することで、インサーションロスが低減される。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内での応力の問題がなくなるか、もしくは減じられ、オーバーモールド工程とオーバーモールド工程に関する工程を削減し、金型が不要な、小型の光結合素子パッケージを提供する。
【解決手段】光結合素子パッケージ３０は、キャリア基板３２と、キャリア基板上の複数の導電領域４６から成り、光結合デバイス３８、４０、光透過性媒体４８、および複数の導電構造３４をキャリア基板上に配置する。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を向上させるとともに、発光素子と制御素子を封止する透光性樹脂の形状を所望の形状に保持しやすい半導体リレーモジュールを提供する。
【解決手段】半導体リレーモジュールＡは、ソース電極同士が接続されたＭＯＳＦＥＴ１１，１２からなり、高周波信号用の信号伝送線路１１０の途中に設けられた半導体スイッチ１と、入力信号に応じて光信号を発光する発光ダイオード３１と、発光ダイオード３１からの光信号を受光する受光素子を有し当該受光素子の出力に応じてＭＯＳＦＥＴ１１，１２のオン／オフを制御する制御ＩＣ３２と、制御ＩＣ３２が備える受光素子および発光ダイオード３１を光学的に結合させた状態で樹脂封止する透光性樹脂８を備える。制御ＩＣ３２は、信号伝送線路１１０を構成する導体パターン１１３から分岐させたランド１３２上に配置され、導体パターン１１３とランド１３２との間にはＬＰＦ４が挿入される。 （もっと読む）

【課題】対向型の光結合装置に比べて製造コストの安価な並置型の光結合装置において、光起電力と光電流の値を高くして出力効率を良好にする。
【解決手段】発光素子３４と受光素子３５を、それぞれリードフレーム３２とリードフレーム３３において同じ向きの面に配置する。発光素子３４及び受光素子３５を透光性樹脂３６で覆い、その表面に光反射樹脂層４８を形成する。受光素子３５は、一方向に長い長方形状をした受光セル４６を複数個平行に並べて構成されており、各受光セル４６は互いに直列に接続されている。また、発光素子３４は、発光素子３４の中心と受光素子３５の受光領域の中心とを結ぶ線分が、受光セル４６の長さ方向とほぼ平行となるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】 安価なガラス基板を用い、情報量の増加に対応でき、なおかつ高性能
で高速動作が可能な集積回路を有する半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】 集積回路を構成する種々の回路を複数のガラス基板上に形成し、
各ガラス基板間の信号の伝送は、光信号を用いる所謂光インターコネクションで
行なう。具体的には、あるガラス基板に形成された上段の回路の出力側に発光素
子を設け、別のガラス基板に形成された後段の回路の入力側に、該発光素子と対
向するように受光素子を形成する。そして上段の回路から出力された電気信号か
ら変換された光信号が発光素子から出力され、該光信号を受光素子が電気信号に
変換し、後段の回路に入力される。 （もっと読む）

【課題】絶縁性を重視し、光の透過性が悪い材料を使用しても、入出力間など、の端子間耐圧を上昇させることの可能な半導体リレーを提供する。
【解決手段】本発明の半導体リレーは、入力信号によって点灯・消灯する発光素子１００と、前記発光素子と光結合せしめられ、起電力を発生する光電変換素子２００と、前記光電変換素子で生起された電力によってスイッチングするスイッチング用半導体素子からなる出力素子３００とを具備した半導体リレーであって、前記スイッチング用半導体素子は絶縁性部材（絶縁性樹脂）４で被覆され、少なくとも前記光電変換素子が前記発光素子と対向する領域に開口７を有する絶縁性部材を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 薄型化を図ることができる反射型フォトインタラプタを提供すること。
【解決手段】 基板材料１１および配線パターン１２を含む基板１と、基板１上に配置された発光素子２と、基板１上に配置されているとともに、発光素子２から出射され反射対象により反射された光を受光する受光素子３と、を備えている、反射型フォトインタラプタＡ１であって、基板１の表面１５側において一対の凹部１ａ，１ｂが形成され、発光素子２および受光素子３は、一対の凹部１ａ，１ｂに各別に配置されている。 （もっと読む）

本発明は、ランダムに分布された及び／又は配向されたマイクロリフレクタによって生成された特徴的な反射パターンを検出するための光センサに関する。本発明は、さらに、目的物を識別及び／又は認証するためのセンサの使用方法に関する。
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【課題】 信号の伝送歪み及び伝送ロスを減少することができる光電子集積回路装置を提供することを第一の目的とする。また、信号の伝送遅延時間を短縮することができる光電子集積回路装置を提供することを第二の目的とする。
【解決手段】 電気回路部１１と、光学的出力端子部１２と、光学的入力端子部１０とを含む第一光電子集積回路（１−１）及び第二光電子集積回路（１−２）で構成されており、該第一光電子集積回路（１−１）及び第二光電子集積回路（１−２）が夫々の光学的出力端子部１２と光学的入力端子部１０とが向き合うように配置されることにより、複数の光電子集積回路装置１間の信号伝送を光信号で行うことが可能となり、信号の伝送歪み及び伝送ロスを減少できると共に、信号の伝送遅延時間を短縮することができる。 （もっと読む）

ヒートポンプにおいて熱を伝達するための方法および機器であって、熱エネルギーは、光または他の電磁放射を用いて、熱力学の第2法則により規定される方向と反対の方向に、放射を放出する素子（1）から放射を吸収する素子（2）に伝達され、この場合、吸収された放射のエネルギーの一部は、電気エネルギーまたは機械的エネルギーのような活用可能なエネルギー形態に再び変換される。 （もっと読む）

【課題】発光領域が備えられた半導体光源および受光領域が備えられた光検出素子が単一チップ上に集積された反射型光学センサ装置を提供する。
【解決手段】基板上の一定領域に発光領域を備えて形成された半導体光源；および前記半導体光源が形成された基板と同一の基板上に集積されて前記半導体光源の外周面を囲む構造で形成され、受光領域を備える光検出素子；を含み、前記半導体光源から発光された光が外部のオブジェクトによって反射して戻ってくれば、前記光検出素子は、前記反射した光を検出して前記オブジェクトを感知する反射型光学センサ装置を含むことによって費用の節減および小型化が可能であり、光検出素子が半導体光源の外周面を囲むように構成されているため、より正確に光検出を行うことができる効果がある。 （もっと読む）

【課題】キャリアの走行時間の増大を最低限に抑制しつつ、容量を低減することの可能な半導体受光素子を提供する。
【解決手段】半導体積層構造２０は、第１導電型層１１と、光吸収層１２と、光入射面１３Ａを有する第２導電型層１３とを半導体基板１０側から順に含んで構成されている。半導体積層構造２０のうち第１導電型層１１の一部と、光吸収層１２とにより柱状のメサ部１４が構成されており、光吸収層１２の内部に、または第１導電型層１１と光吸収層１２との間に酸化層１９が設けられている。酸化層１９は、光入射面１３Ａとの対向領域内に設けられた非酸化領域１９Ａと、非酸化領域１９Ａの周囲に設けられた環形状の酸化領域１９Ｂとを積層面内に有しており、酸化領域１９Ｂの比誘電率が、他の層（第１導電型層１１、光吸収層１２、第２導電型層１３）の比誘電率よりも小さくなっている。 （もっと読む）