【課題】特性ばらつきの少ないホール素子を提供する。
【解決手段】Ｐ型基板７に、平面図で正方形になるＮ型ウェル６を設ける。ホール素子１０の四隅以外には、Ｎ型ウェル６の上部にＰ型拡散層５を設け、ホール素子１０の四隅には、Ｎ型ウェル６の上部にＮ型拡散層１〜４を設ける。そして、Ｐ型拡散層５とＰ型拡散層５の下のＮ型ウェル６との間に空乏層が発生する電圧をＰ型拡散層５に印加する。 （もっと読む）

【課題】磁気センサのホールプレートで発生する寄生抵抗によって発生するオフセット電圧を減少させる、即ち不整合を補償するホールプレートスイッチングシステムを提供する。。
【解決手段】第１ノード及び第３ノードの両端で第１ホール電圧を発生させ、第２ノード及び第４ノードの両端で第２ホール電圧を発生させるホールプレート２０と、第１ノード及び第２ノードに連結され、第１ノード及び第２ノードに流れる電流のオン／オフを制御する第１スイッチ部１０と、第３ノード及び第４ノードに連結され、第３ノード及び第４ノードに流れる電流のオン／オフを制御する第２スイッチ部３０と、第２スイッチ部３０に連結され、第１スイッチ部１０及び第２スイッチ部３０のトランスコンダクタンスを減少させる抵抗部４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、従来技術をさらに改良した装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係るホールセンサの代表的な構成は、第１の接続接点および第２の接続接点および第３の接続接点を備える第１のホール素子と、第４の接続接点および第５の接続接点および第６の接続接点を備える第２のホール素子と、第７の接続接点および第８の接続接点および第９の接続接点を備える第３のホール素子と、第１０の接続接点および第１１の接続接点および第１２の接続接点を備える第４のホール素子とを有しており、第１のホール素子および第２のホール素子および第３のホール素子および第４のホール素子は直列につながれている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ホール電圧に含まれたオフセットを取り除くオフセットキャンセル機能を有するホールセンサ及びこれのオフセットキャンセル方法に関する。
【解決手段】事前に設定された複数の検出方向に応じて磁界を電圧として検出するホール（Ｈａｌｌ）デバイスにより、上記複数の検出方向別に検出された第１及び第２の検出電圧間のレベル差を幅として有するパルスに変換する変換部と、上記第１及び第２の検出電圧を比較し、その比較結果に応じて上記パルスの＋符号又は−符号を決定する符号決定部と、上記変換部からのパルスの幅を事前に設定された基準時間の単位でカウントするカウンター、及び上記符号決定部により決定された符号に応じて、上記カウンターによりカウントされた数のマイナス演算を行い、上記第１及び第２の検出電圧に含まれたオフセット電圧を取り除く演算部を含む。 （もっと読む）

【課題】ホール素子を有する磁気センサにおいて、簡易な回路構成である信号処理回路で、ホール素子の出力電圧に含まれるオフセット電圧及びフリッカノイズを除去することのできる磁気センサを提供する。
【解決手段】ホールプレートＨは、ホールプレートＨを流れる電流のキャリアの種類を、ゲート電極Ｇの電位Ｖｇにより、電子または正孔のいずれか一方にすることが可能な両極性材料から形成される。さらに、入出力端子ＴＡ，ＴＡ’，ＴＢ，ＴＢ’が、ホールプレートＨの面内で対向する電流入力端子対と電圧出力端子対とになり、その際に電流入出力端子対と電圧出力端子対とが互いに直交するような位置に形成される。 （もっと読む）

【課題】コストの増大を抑えつつ、ホール素子のオフセット電圧Ｖｏを低減することができるようにしたホール素子及びその製造方法と、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１に設けられた第１のＮ型拡散領域１０と、半導体基板１に設けられ、第１のＮ型拡散領域１０に電気的に接合された複数の第２のＮ型拡散領域２０と、半導体基板１に設けられ、複数の第２のＮ型拡散領域２０の各々の間を電気的に分離するＳＴＩ領域３０と、を有する。第１のＮ型拡散領域１０は感磁部であり、複数の第２のＮ型拡散領域２０の各々は感磁部に対する入出力端子部である。複数の第２のＮ型拡散領域２０の各々におけるＮ型の不純物濃度は、ＳＴＩ領域３０の底部３０ｂを基点に深さ方向で０μｍ以上、０．２μｍ以下の範囲内で、５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上、３×１０¹⁹個／ｃｍ³以下である。 （もっと読む）

【課題】従来の磁気検出装置に比べて、配置による製造精度のばらつきを抑制した磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気検出装置１は、基板１０上に放射状に区分けされた領域のうち少なくとも対向する領域に配置され、第１の方向に長手方向を有する第１の磁気抵抗素子群と、放射状に区分けされた領域のうち、少なくとも対向する領域であって、第１の磁気抵抗素子と隣り合う領域に、第１の方向と直交する第２の方向に長手方向を有する第２の磁気抵抗素子群と、第１の磁気抵抗素子群の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子群の磁気抵抗素子を複数組み合わせて、当該組み合わせた複数の磁気抵抗素子を直列に接続したもので抵抗部分を構成し、複数の当該抵抗部分でブリッジ回路を構成する配線部とを有する。 （もっと読む）

【課題】磁電変換素子やアンプのオフセット電圧をキャンセルし、磁界の高速サンプリングやジッタ改善を実現することが可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ１００は、磁電変換素子１０１と、磁電変換素子１０１の第１バイアス状態φ１と第２バイアス状態φ２を切り替える切替スイッチ回路１０２と、磁電変換素子１０１の出力電圧を増幅して増幅電圧ＶＰ、ＶＮを生成する増幅回路１０３と、第２バイアス状態φ２で得られた増幅電圧から直前の第１バイアス状態φ１で得られた増幅電圧を減算して第１減算電圧ＳＨＡ、ＳＨＣを生成する第１減算処理と、第１バイアス状態φ１で得られた増幅電圧から直前の第２バイアス状態φ２で得られた増幅電圧を減算して第２減算電圧ＳＨＢ、ＳＨＤを生成する第２減算処理と、を並行して行う減算回路１０４と、第１減算電圧と第２減算電圧を選択して選択電圧ＳＨＥ、ＳＨＦを出力する選択回路１０５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの機械的な応力を検出するための応力センサにおいて、単純な方法で感度変動を保証する。
【解決手段】半導体チップ２の動作面３に４つの集積抵抗Ｒ_１〜Ｒ_４を一体化して配置し、該集積抵抗Ｒ_１〜Ｒ_４によりホートストンブリッジを形成し、該ホーイトストンブリッジにおいて、一方の対辺に配置された抵抗Ｒ_１及びＲ_４はｐ型抵抗であり、他方の対辺に配置された抵抗Ｒ_２及びＲ_３はｎ型抵抗であることを特徴とする応力センサを設ける。 （もっと読む）

【課題】モータ制御用半導体装置に対するコンタクト用ピンからの影響を低減する
【解決手段】ホール素子１０２からの出力のオフセット電圧を取り除くオフセットキャンセル回路１０４に含まれるオシレータ回路１２と、オフセットキャンセル回路１０４からの出力信号を受けて、当該出力信号と基準信号とを比較して比較信号を生成して出力するコンパレータ回路１０６と、モータを駆動するための駆動信号を生成して出力する出力回路１１０と、モータの制御に関係しないテスト回路１１２と、を有し、オシレータ回路１２の回路パターン上、コンパレータ回路１０６の回路パターン上、及び、テスト回路１１２の回路パターン上のいずれか１つに重なるようにパルス幅変調信号の入出力パッドＰ１を形成する。 （もっと読む）

【課題】チップサイズの増加がなく、高感度でオフセット電圧の除去が可能なホール素子を提供する。
【解決手段】ホール素子は十字形状のホール素子感受部を有し、４つの凸部先端中央部にホール電圧出力端子を配置し、各凸部側面にはホール電圧出力端子とは独立に制御電流入力端子を配置する。このときホール電圧出力端子幅を小さくし、制御電流入力端子幅を大きくする。 （もっと読む）

【課題】チップサイズの増加がなく、高感度でオフセット電圧の除去が可能なホール素子を提供する。
【解決手段】正方形のホール素子感受部の４つの頂点にホール電圧出力端子と制御電流入力端子をそれぞれ独立に配置する。ホール電圧出力端子はすべて同一形状であり、制御電流入力端子はホール電圧出力端子のそれぞれの両側に、前記ホール電圧出力端子とは導通しないように間隔を置いて配置され、前記４つの頂点において同一形状を有する。 （もっと読む）

【課題】ホール素子を用いて検出された地磁気に基づいて、方位を計測する。
【解決手段】補正値記憶部７には、ｘ軸ホール素子ＨＥｘおよびｙ軸ホール素子ＨＥｙの基準値Ｌｘ、Ｌｙが携帯端末１０の使用状態ごとに記憶され、補正計算部６は、携帯端末１０の使用状態に対応した基準値Ｌｘ、Ｌｙを用いることにより、ｘ軸ホール素子ＨＥｘおよびｙ軸ホール素子ＨＥｙの出力増幅値Ｄｘ、Ｄｙを補正し、地磁気の各軸成分に比例した値α、βだけを取り出す。 （もっと読む）

略平坦な基板の上面と称される一表面上に蒸着される複数の多層磁気抵抗センサを備える集積磁力計であって、基板の前記上面は複数の傾斜面を備えた少なくとも１つの空洞または隆起を有することと、４つの前記傾斜面上には異なる、かつ対で互いに反対の方向性を有する少なくとも４つの前記磁気抵抗センサが配置され、各センサはそのセンサが配置される面に対して平行な外部磁場の一成分に感応することを特徴とする集積磁力計。このような磁力計の製造プロセス。 （もっと読む）

【課題】オフセット電圧の変動の小さいＧａＡｓホール素子を提供すること。
【解決手段】ｎ−ＧａＡｓ層からなる感磁部２２を、ｎ−ＧａＡｓ層２２よりもバンドギャップの大きいＡｌＧａＡｓからなる第１及び第２の絶縁層２３ａ，２３ｂで挟み、かつ、ｎ−ＧａＡｓ層２２のキャリア濃度を５×１０¹⁶／ｃｍ³以上、１×１０¹⁸／ｃｍ³以下とすることにより、ｎ−ＧａＡｓ層２２の下部から側面への電子の移動、及び側面での電子のトラップの影響を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気検出センサのオフセット電圧とアナログ回路のアナログ素子のオフセット電圧とを高精度に除去し、磁気検出センサの磁気を高精度に検出することのできる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気検出装置のホールセンサ１１およびスイッチ１２と、積分器１３、リファレンス電圧出力回路１４およびＡ／Ｄコンバータ１５とを１つの回路にまとめて一つの回路として構成し、ホールセンサ１１の検出信号にリファレンス電圧Ｖｒｅｆを加算または減算することで、高ゲインで増幅したホールセンサ１１の検出信号をＡ／Ｄ変換する。これにより、Ａ／Ｄコンバータ１５までのオフセット電圧やノイズも高精度に除去し、ホールセンサ１１の磁気を高精度に検出する。 （もっと読む）

【課題】磁気センサ装置における磁電変換素子、増幅器、比較器の各オフセット電圧の影響を抑制し、かつ任意の検出磁界強度を設定し、正確な磁気読み取りを可能にする。
【解決手段】
磁電変換素子の電源電圧が印加される端子対と磁界強度の検出電圧を出力する端子対とを切り替え制御するスイッチ切替回路と、検出電圧を差動増幅する差動増幅器と、差動増幅器の第一出力端子に接続された第一容量と、差動増幅器の第二出力端子に接続された第二スイッチと、第一容量と第一入力端子が接続され第二スイッチと第二入力端子が接続された比較器と、比較器の第一入力端子と出力端子との間に接続された第一スイッチと、比較器の第二入力端子に接続された第二容量と、第二容量に接続された検出電圧設定回路を備える。 （もっと読む）

【課題】ホール素子の出力電圧のオフセット値を正しくキャンセルすることができるオフセットキャンセル回路を提供する。
【解決手段】ホール素子１０のオフセットキャンセル回路１００において、ホール素子１０に流れる電流が９０°ずつ切り替わるように４方向から外部から電圧を印加して第１から第４の状態とし、第１から第４の状態におけるホール素子１０の出力電圧を平均化する。 （もっと読む）

【課題】オフセット電圧の補正を使用時の状況に応じて設定する必要が無く、且つ十分な電圧レベルの検出信号を得ることができる磁気センサを実現する。
【解決手段】磁界変化検出部１０は、磁気抵抗素子ＭＲ１と抵抗素子Ｒ１との直列回路からなり、被検出体の搬送による磁気抵抗素子ＭＲ１の通過磁束密度の変化に応じた磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψを出力する。積分部２０は、磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψを積分処理してなる積分信号ＶｏｕｔＩを生成する。ここで、磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψは定電圧となるオフセット成分と磁界の変化に応じた有効変動成分とからなり、有効変動成分は極短い期間で発生するので、積分信号ＶｏｕｔＩは、磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψのオフセット成分に相当する。差動増幅部３０は、磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψと積分信号ＶｏｕｔＩとを差増増幅することで、オフセット成分の除去されたセンサ検出信号Ｖｏｕｔを出力する。 （もっと読む）

【課題】 磁気センサの素子面上に保護金属カバーを備えた磁気センサ組立体において、
磁気センサの磁気抵抗効果素子を形成する抵抗ブリッジの中点電位差が環境温度の影響を
受けて大きく変化し、設計値に対してオフセットを生じる。
【解決手段】 保護金属カバーのうち磁気抵抗効果素子と対向する面の一部を薄肉化して
凹部を形成する。磁気抵抗効果素子と保護金属カバーとの間隔が局部的に広くなることで
、環境温度の影響を受けて保護金属カバーと磁気センサの素子面との対向状態が変化して
も、磁気抵抗効果素子内の温度分布が不均一になり難く、中点電位差が変化しにくい磁気
センサ組立体となる。 （もっと読む）