【課題】 熱マグノンによるスピントルク発振素子を提供する。
【解決手段】 「熱マグノンによる」スピントルク発振素子（ＳＴＯ）は、熱流のみを用いて、スピントルク（ＳＴ）効果を惹起しかつ自由層磁化の持続的な振動を発生させる。熱マグノンによるＳＴＯは、従来型の自由層および基準層に加えて、さらに、固定された面内磁化を有する磁性酸化物層と、その磁性酸化物層の１つの表面上の強磁性金属層と、自由層および金属層間の非磁性導電層と、磁性酸化物層のもう一方の表面上の電気抵抗性ヒータとを含む。熱マグノン効果のために、金属層と伝導層と自由層とを通る磁性酸化物層からの熱流によって、最終的に、自由層に対するスピン移行トルク（ＳＴＴ）が生じる。熱流と反対方向に流れるセンス電流が、自由層磁化の振動周波数を監視するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】記録層における磁化容易軸が垂直方向を向いている垂直磁化型の不揮発性磁気メモリ装置において、記録層の磁化容易軸をより確実に垂直方向に向かせることを目的とする。
【解決手段】不揮発性磁気メモリ装置は、磁化容易軸が垂直方向を向いている記録層を有する積層構造体５０、第１の配線４１、及び、第２の配線４２から成る磁気抵抗効果素子を備えており、積層構造体５０の上、又は、積層構造体５０の下、又は、積層構造体５０の上及び下には、記録層５３を構成する材料のヤング率よりも低い値のヤング率を有する低ヤング率領域４８１が配置されており、積層構造体５０は磁化参照層５１を更に有し、低ヤング率領域４８１を配置することによって記録層５３及び磁化参照層５１において内部応力が発生し、記録層５３及び磁化参照層５１の垂直磁気異方性が増大される。 （もっと読む）

【課題】 室温付近かつ弱磁場の条件下で電気磁気効果を有する電気磁気効果材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電気磁気効果材料は、一般式（Ｓｒ_1-αＢａ_α）₃（Ｃｏ_1-βＢ_β）₂Ｆｅ₂₄Ｏ_41+δ（但し、式中、ＢはＮｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｍｇ及びＣｕからなる群から選ばれる一種以上の元素であり、α、β、δはそれぞれ０≦α≦０．３、０≦β≦０．３、−１≦δ≦１である。）で示される酸化物セラミックスを主要成分として構成され、２５０〜３５０Ｋの温度範囲かつ０．０５テスラ以下の磁場範囲において電気磁気効果を有する。本発明の電気磁気効果材料の製造方法は、焼成を酸素又は空気雰囲気中で１１００〜１３００℃の温度範囲で行い、焼成後、酸素雰囲気中で温度を２〜１００時間で室温まで冷却する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】従来のセンサとは別の動作原理に基づくMEMS技術を応用した新たな高感度センサを提供する。
【解決手段】磁性膜センサは、磁気歪を発生する矩形状の磁性膜を有し、磁性膜に磁気歪を発生させる磁気歪構造を有している。磁気歪構造は、例えば磁性膜を湾曲させて磁気歪を発生させるように構成されている。また、磁気歪構造は、例えば表面に凹部が形成された凹部付絶縁層を設け、その凹部を跨ぐようにして磁性膜を形成することによって得られる。磁性膜は、ＧＭＲ膜等に永久磁石バイアス層が積層され、その永久磁石バイアス層によって磁性膜の短手辺に沿った方向の磁界がＧＭＲ膜に加えられている。 （もっと読む）

【課題】 磁気トンネル接合を使用する不揮発性論理装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、レジスタセルであって、不平衡フリップフロップ回路を形成するような、第２のインバータに結合された第１のインバータを含む差動増幅部分と、第１および第２のインバータのそれぞれの一端部に接続された第１および第２のビット線と、第１および第２のインバータのそれぞれの他端部に接続された第１および第２のソース線とを備え、前記第１および第２のインバータのそれぞれの前記他端部に電気的に接続される第１および第２の磁気トンネル接合をさらに備えることを特徴とする、レジスタセルに関する。本明細書に開示するシフトレジスタは、従来のシフトレジスタよりも小さく製造することができ、シフトレジスタの読み書き動作中の消費電力を低くすることができる。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流を可及的に低減させるとともに高速に書き込むことができ、かつ大容量化を実現することのできる磁気抵抗効果素子及び磁気メモリを提供することを可能にする。
【解決手段】磁化が膜面に対して略垂直で不変の第１の強磁性層２と、磁化が膜面に対して略垂直でかつ可変の第２の強磁性層６と、第１の強磁性層と第２の強磁性層との間に設けられる第１の非磁性層４と、第２の強磁性層に対して第１の非磁性層と反対側に設けられ、磁化が膜面に略平行でかつ可変の第３の強磁性層１０と、第２の強磁性層と第３の強磁性層との間に設けられる第２の非磁性層８と、を備え、第１の強磁性層と第３の強磁性層との間で膜面に略垂直な方向に電流を流すことにより、スピン偏極した電子を前記第２の強磁性層に作用させるとともに、第２の強磁性層から第２の非磁性層を通って第３の強磁性層に作用させて第３の強磁性層の磁化に歳差運動を誘起し、この歳差運動に応じた周波数のマイクロ波磁場が第２の強磁性層に印加される。 （もっと読む）

【課題】磁気記録装置における多層記録・多値記録を実現する解決手段を提供する。
【解決手段】複数層の記録層からなる媒体を異なる磁気共鳴周波数になるように設定し、高周波発振素子を具備する記録ヘッドの高周波発振周波数を変えることによって、記録を行う記録層を選択し、情報を記録する。また、再生時には、複数層からなる媒体層の磁化状態によって、媒体層外部に漏れ出る磁界が異なるようにし、多値状態によって異なる外部磁界を磁気抵抗効果素子で異なる抵抗値として検知することで、多値状態の識別を行う。 （もっと読む）

【課題】比較的簡素な構成で一対の電流配線を要することなく効率良く確実な磁化反転を可能とし、装置の更なる微小化を可能とする信頼性の高い磁気記憶装置を実現する。
【解決手段】少なくとも磁化反転層４の両側面、ここでは絶縁層３、磁化反転層４及びキャリア注入層５からなる積層体の両側面に、絶縁層６及び非磁性金属層、ここではＲｕ層７を介して、一対の磁化制御層８を設ける。キャリア注入層５は、ＳｒＴｉＯ₃から、磁化制御層８はＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＮｄＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金から形成する。 （もっと読む）

【課題】微弱磁場、低磁場に対する高い感度と早い応答性を備えた磁場応答性の分子性素子と、それを利用した磁場測定技術を提供する。
【解決手段】光励起により伝導性を示し、電荷再結合蛍光や電気抵抗が磁場の印加によっても変化する素子であって、任意に設定した強度の照射光の下で印加磁場の強さ:Ｂを下げていくとゼロでない有限の強さの磁場Ｂａで次式で表わされる対磁場蛍光強度変化率：Ｒが極小値あるいは極大値Ｒｍとなり、さらに下げると逆にＲが上昇あるいは減少してゼロ磁場でゼロとなる性質を有することを特徴とする磁場応答性の分子性素子。
Ｒ＝〔Φ（Ｂ）−Φ（０）〕／Φ（０）
〔Φ（Ｂ）は、予め設定した強度の照射光の下で、磁場の強さ：Ｂの時の蛍光発光強度あるいは抵抗を示し、Φ（０）は、同じ照射光の下で、ゼロ磁場の時の蛍光発光強度あるいは抵抗を示す。〕 （もっと読む）

【課題】負のＭＲ比を有し、常温での使用が可能な、磁気メモリ等の実用品への利用を可能にするトンネル磁気抵抗効果膜を提供する。
【解決手段】トンネルバリア層１３を挟む配置に磁性層１２、１４ａが形成されたトンネル磁気抵抗効果膜３０であって、前記トンネルバリア層１３の一方の側の磁性層１２がFeN層であることを特徴とする。前記トンネルバリア層１３を挟む他方の側の磁性層１４ａは、磁化の向きが固定された固定磁性層として設けられている。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流の低減と読み出し時のＭＲ比の向上を同時に実現する。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、磁化方向が互いに逆向きに固定される第１及び第２強磁性層11A, 11Bと、第１及び第２強磁性層11A, 11Bの間に配置され、磁化方向が変化する第３強磁性層12と、第１強磁性層11A及び第３強磁性層12の間に配置される第１非磁性層13Aと、第２強磁性層11B及び前記第３強磁性層12の間に配置される第２非磁性層13Bとを備える。読み出し電圧Irをバイアスしたときに、第１ユニットU1のＭＲ比は、インバース状態にあり、第２ユニットU2のＭＲ比は、ノーマル状態にある。書き込み電圧Iw”0”, Iw”1”をバイアスしたときに、第１及び第２ユニットU1, U2のＭＲ比は、共に、ノーマル状態にある。 （もっと読む）

【課題】 データ転送線の複数のＴＭＲを接続した場合にも大きな読み出し信号を得ることができ、高速動作と高密度化を実現する。
【解決手段】 第１の磁性体２５１と第２の磁性体２５３との間に非磁性体絶縁膜２５２が形成された複数のメモリセルと、複数のメモリセルの第１の磁性体２５１に電気的に共通に接続されたデータ転送線とを具備した磁気記憶装置において、複数のメモリセルは、データ転送線と複数のデータ選択線とが交差する位置に形成され、非磁性体絶縁膜２５２の平均膜厚よりも、非磁性体絶縁膜２５２の片面に形成された凹凸の曲率半径が小さくなるように形成されている。 （もっと読む）