【課題】半導体チップの機械的な応力を検出するための応力センサにおいて、単純な方法で感度変動を保証する。
【解決手段】半導体チップ２の動作面３に４つの集積抵抗Ｒ_１〜Ｒ_４を一体化して配置し、該集積抵抗Ｒ_１〜Ｒ_４によりホートストンブリッジを形成し、該ホーイトストンブリッジにおいて、一方の対辺に配置された抵抗Ｒ_１及びＲ_４はｐ型抵抗であり、他方の対辺に配置された抵抗Ｒ_２及びＲ_３はｎ型抵抗であることを特徴とする応力センサを設ける。 （もっと読む）

【課題】高い空間分解能で検出できる磁気センサー素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気センサー素子１０００では、電界効果トランジスター１００は、ゲート電極１４と、ゲート電極１４の一方側に、ゲート幅方向に並んで形成された、第１不純物領域２２および第２不純物領域２４と、ゲート電極１４の他方側に、ゲート幅方向に並んで形成された、第３不純物領域３２および第４不純物領域３４と、を有し、制御部２００は、第１制御および第２制御を行い、第１制御では、第１不純物領域２２および第２不純物領域２４を第１端子（ＶＤＤ端子）に接続し、第３不純物領域３２を第２端子（ＶＳＳ端子）に接続し、第２制御では、第３不純物領域３２および第４不純物領域３４を第１端子（ＶＤＤ端子）に接続し、第２不純物領域２４を第２端子（ＶＳＳ端子）に接続し、第１端子（ＶＤＤ端子）の電位は、第２端子（ＶＳＳ端子）の電位より大きい。 （もっと読む）

【課題】磁束密度のＺ軸方向成分の位置分布を高い空間分解能で検出できる磁気センサー素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気センサー素子１０００は、電界効果トランジスター１００と、電界効果トランジスター１００を制御する制御部２００と、を含み、電界効果トランジスター１００は、ゲート電極１４と、ゲート電極１４の一方側に、ゲート幅方向に並んで形成された、第１ソース領域３２および第２ソース領域３４と、ゲート電極１４の他方側に、ゲート幅方向に並んで形成された、第１ドレイン領域２２、第２ドレイン領域２４、および第３ドレイン領域２６と、を有し、制御部２００は、第１制御および第２制御を行い、第１制御では、第１ソース領域３２と、第１ドレイン領域２２および第２ドレイン領域２４と、の間に電圧を印加し、第２制御では、第２ソース領域３４と、第２ドレイン領域２４および第３ドレイン領域２６と、の間に電圧を印加する。 （もっと読む）

集積回路及びその集積回路を製造する方法は、ゲルマニウム・ホール・プレートを有するホール効果素子を提供する。このゲルマニウム・ホール・プレートは、シリコンと比較して増大した電子移動度を提供し、それ故、より高感度なホール効果素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 調整可能なグラフェンを用いた磁界センサを提供する。
【解決手段】 グラフェンセンス層を採用する磁界センサであって、センス層内を移動する電荷キャリアに作用するローレンツ力が、グラフェン層内を移動する電荷キャリアの経路に変化をもたらす。磁界の存在を示すこの経路の変化を検出することができる。センサは、非磁性の電気的絶縁材料によってグラフェン層から分離される１つまたは複数のゲート電極を含む。ゲート電極へのゲート電圧の印加により、グラフェン層の電気抵抗が変化し、このゲート電圧の印加を用いて、センサの感度および速度を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】従来、外付け抵抗の電圧降下から検出していたパワーＮ型ＭＯＳＦＥＴに流れる電流を、ホール素子に発生するホール電圧Ｖ_Ｈにより検出する。
【解決手段】アースラインに向かって配線されたソース配線層８の直下の絶縁膜７ａを数１０ｎｍ程度の厚さとする。これにより、ソース電流Ｉにより、ソース配線層８の直下領域または該ソース配線層８の両側面部のＮ型層１に発生する磁束密度Ｂを高くする。この高い磁束密度Ｂの発生領域にホール素子Ｈを配置することにより、パワーＮ型ＭＯＳＦＥＴのソース電流Ｉが数Ａ程度でも大きなホール電圧Ｖ_Ｈを発生する。 （もっと読む）

【課題】オフセットが可能な限り小さい垂直ホールセンサを提供する。
【解決手段】半導体チップ内に集積化される垂直ホールセンサが、半導体チップの表面上の直線に沿って配置される少なくとも６個の電気接点９を有する。電気接点９は、所定のルールに従って、接点９が２個の最外側の接点のうち１個９．１から始まる参照番号１、２、３および４によって連続的にかつ繰り返し番号をつけられるときに、同じ参照番号が割り当てられる接点９が、互いに電気的に接続されるように、配線される。 （もっと読む）

【課題】巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果に基づくハードディスクドライブのための読み取り／書き込みヘッドにおける現行の読み取り要素におけるスピントルクおよび熱誘導磁気ノイズに起因する問題を解消すること。
【解決手段】電界を検出するためのデバイスは、第１、第２および第３のリード線と、これらリード線の間に接合部とを備え、接合部とリード線とは１つの平面内に配置されており、接合部は平面に垂直な方向に量子閉じ込めを行うようになっており、第１のリード線は接合部の一方の側に配置され、第２および第３のリード線は接合部の反対側に配置されており、第１のリード線は接合部に進入する電荷キャリアの回転角方向の分布を制限するようになっており、よって電荷キャリアが第１のリード線から接合部に流入するときに、電荷キャリアは実質的に非発散ビームとして前記第１のリード線から現れる。 （もっと読む）

この磁性多層膜は、連続する交互の磁性金属層Ｍ、及び、酸化物層、水素化物層または窒化物層Ｏを基板上に備える。前記層Ｍの数が、少なくとも２に等しい。前記層Ｍが、連続である。前記Ｍ／Ｏ界面のレベルにおける前記層の平面に垂直な界面の磁気異方性がある。
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