【課題】単純な構造を有し、セル単位で、書き込み、消去を行うことができる不揮発性メモリ装置を提供する。
【解決手段】絶縁膜上にマトリクス状（格子状）に配置された複数の強磁性体４_３を備え、この強磁性体のそれぞれの上面および側面を覆うようにトンネル絶縁膜が設けられ、前記強磁性体の各行に対して、前記トンネル絶縁膜を介して、これを直列接続するように、第一の方向に磁化した複数の第一のハーフメタル強磁性体２_３が、強磁性体間、及び、その端部に、設けられ、前記強磁性体の各列の上部に、前記第一の方向に略反平行な方向に磁化した、第二のハーフメタル強磁性体の複数の列８_３が、前記トンネル絶縁膜を介して、列方向に延在して設けらる。前記第二のハーフメタル強磁性体列のそれぞれには、前記第一の方向に磁化した磁区１０_３が設けられ、前記第二のハーフメタル強磁性体に設けられた磁区を移動させるための電極を設ける。 （もっと読む）

【課題】 スピントロニクス素子や磁気読み取りヘッドの素子性能（特にＭＲ比とＲＡ値）を向上させる。
【解決手段】１つまたは複数の活性層（ＡＰ１層１５０、フリー層１７０、ＳＩＬ層など）の各々のほぼ中間に、磁気抵抗効果増加層（ＭＲＥＬ：Magneto-Resistance Enhancing Layer）を挿入する。ＭＲＥＬは、バンドギャップが小さく電子移動度が高い層であり、例えばＺｎＯなどの半導体やＢｉなどの半金属からなる層が該当する。さらに、ＭＲＥＬと、それが挿入される活性層との間の界面全体にわたってオーミック接触を確保するために、ＭＲＥＬと活性層との間の界面の隙間を、銅などの高導電性金属からなる薄い層によって埋めるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 大きなＭＲ変化率を有する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ、及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 磁化固着層５と、磁化自由層７と、磁化固着層５と磁化自由層７との間に設けられた非磁性層６と、磁化自由層７の非磁性層６が設けられた側とは反対の側に設けられたＡｕを含む第１の金属層４と、第１の金属層４の磁化自由層７が設けられた側とは反対の側に設けられたＣｕＮｉ合金を含む第２の金属層３と第２の金属層３の第１の金属層４が設けられた側とは反対の側に設けられた第１の電極２と、磁化固着層５の非磁性層６が設けられた側とは反対の側に設けられた第２の電極８とを備え、磁化固着層５及び磁化自由層７の一方がハーフメタルを含み、第１の電極２から第２の電極８に向かって電流が流れることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板と格子整合し、キュリー温度Ｔｃが室温であるＩＩ−ＩＶ−Ｖ_２族化合物磁性半導体材料で量子井戸層あるいは強磁性電極を構成した磁性半導体素子を提供する。
【解決手段】
磁性半導体素子１０は、ＩｎＰからなる基板１１と、Ｍｎが添加されたＺｎＳｎＡｓ_２からなりかつ基板１１の上に結晶成長された量子井戸層１３と、ＩｎＡｌＡｓ及び／又はＩｎＧａＡｓからなり基板１１の上に結晶成長されかつ量子井戸層１３を挟持する一組の障壁層１２，１４と、を備える。障壁層１２，１４にＩｎＡｌＡｓを採用した場合、Ａｌ組成は０．４３〜０．５３％であることが好ましくは、ＩｎＧａＡｓを採用した場合、Ｇａ組成が０．４２〜０．５２％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】平坦で薄いＡｌＮ薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含む。該ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ以上１０ｗｔ％以下含むＡｌＮ焼結体を真空チャンバ内にセットし、基材１を真空チャンバ内にセットした状態で、ＡｌＮ焼結体にレーザを照射することで発生したプラズマを用いて基材１上に形成可能である。 （もっと読む）

【課題】 より偏光度の高い円偏光の光を発する素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とが活性層を介して接合されており、順方向のバイアスを印加することで発光する半導体発光素子であって、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層がそれぞれ強磁性体である構成である。再結合する正孔および電子の両方がスピン偏極しているため、正孔のみがスピン偏極している場合と比較して発生する光の偏光度が高くなる。したがって、より偏光度の高い円偏光の光を発生する発光素子を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】少ない電力消費で磁気抵抗素子を動作させる方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子（２１）は、磁気異方性を示しかつその磁化を少なくとも第１と第２の配向の間に切り換えることができる強磁性領域（２２）とこの強磁性領域（２２）に容量的に結合するゲート（２３）とを含む。この方法は、電界パルス（２９）を強磁性領域（２２）に与えることにより、磁気異方性の配向を変えて磁化を第１と第２の配向の間に切り換えることを含む。 （もっと読む）

【課題】磁化イオン濃度を高めることができる強磁性半導体材料の提供。
【解決手段】ＩＩ−ＶＩ族、または、ＩＶ族、または、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料を主成分とし、遷移金属（主成分をＩＶ族とした場合Ｍｎを除く）、または、希土類元素の少なくとも一方を添加元素として含み、アモルファスとする。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスの整合性に優れており、基板と磁性半導体薄膜とが格子整合し、Ｔｃが３００Ｋ付近でバラツキが少ないＩＩ−ＩＶ−Ｖ_２族の磁性半導体薄膜及び磁性半導体薄膜の製造方法を提供する
【解決手段】加熱した基板上に緩衝層を形成した後に、該緩衝層上に磁性半導体層として遷移金属元素を添加したＺｎＳｎＡｓ_２をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】希薄強磁性半導体及びそれと同様の構造を有する希薄常磁性絶縁体を含む希薄磁性体を提供する。
【解決手段】本発明の希薄磁性体は、Ga₂O₃を母相とし、該母相のGaのうちの0.5%〜15%がV, Cr, Mn, Fe, Co, Niのうちのいずれか１種又は複数種の原子に置換することにより得られる。この希薄磁性体は、酸化雰囲気中又は還元雰囲気中で熱処理をする／しないことによりOの欠損数を調整することができ、それによりほぼ同じ構造を有する希薄強磁性半導体及び希薄常磁性絶縁体の双方を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】強磁性導電体薄膜とトンネル障壁薄膜を整合性よく接合することができ、それにより、接合の不具合による特性の低下が生じることを防ぐことができる磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、GaNにおいてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)N薄膜１１と、Ga₂O₃においてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)₂O₃薄膜１２の間に、Ga₂O₃から成るトンネル障壁薄膜１３を配置したものである。(Ga, Mn)N薄膜１１と(Ga, Mn)₂O₃薄膜１２は共にp型半導体であって強磁性を示す。(Ga, Mn)N薄膜１１は、トンネル障壁薄膜１３を基板としてエピタキシャル成長させることによりトンネル障壁薄膜１３と整合性よく接合することができる。また、(Ga, Mn)₂O₃薄膜１２は、トンネル障壁薄膜１３と基本的に同じ結晶構造を有するため、トンネル障壁薄膜１３と整合性よく接合することができる。 （もっと読む）

【課題】磁性体と半導体の両方の性質を備えるイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜の伝導性を制御する。
【解決手段】本発明に係る強磁性酸化物半導体薄膜は、パルスレーザー堆積法によって単結晶基板上にｃ軸配向して成長されたイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜であって、組成式が、
｛ｘＦｅＴｉＯ_３・（１−ｘ）Ｆｅ_２Ｏ_３｝（但し、ｘは全体に対するイルメナイトＦｅＴｉＯ_３の構成比を表し、０〜１の間の値をとる。）で表されることを特徴とする。
本発明に係る強磁性酸化物半導体薄膜は、所望の伝導性を有し、かつｃ軸配向したイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜からなる。本発明に係る方法により製造された薄膜はｃ軸方向に高配向しており、単結晶と同程度の品質を具備している。 （もっと読む）

スピントロニクスデバイスは、少なくとも１つの超格子と、それに結合された少なくとも１つの電気コンタクトとを有し、前記少なくとも１つの超格子は複数のレイヤー群を含む。各レイヤー群は、結晶格子を有するベース半導体部分を画成する複数の積層されたベース半導体モノレイヤー、隣接し合うベース半導体部分の結晶格子内に拘束された少なくとも１つの非半導体モノレイヤー、及びスピントロニクスドーパントを含み得る。スピントロニクスドーパントは、前記少なくとも１つの非半導体モノレイヤーによって、ベース半導体部分の結晶格子内に拘束され得る。一部の実施形態において、超格子の反復構造は必要とされない。
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非揮発性の複数の磁気メモリデバイスの集積アレイであって、前記磁気メモリデバイスの各々は、一定の磁化方向を有する第１の磁化層（１０）と、可変の磁化方向を有する自由磁化層（２０）と、前記第１の磁化層と前記自由磁化層とを分離する空間層（３０）と、前記磁気メモリデバイスを選択するスイッチとを備え、各層、及び前記スイッチの少なくとも一部は、ナノワイヤなどの柱状構体として形成している。前記スイッチは、好適に柱状ナノ構体で集積して形成している。柱状構体の前記スイッチを前記磁化層に組み入れることによって、前記磁気メモリデバイスを小さくして高集積化を可能にする。これは、外部磁界を用いるか、又は柱状構体で発生した磁界のみを用いる磁気デバイスに適用可能である。書き込み電流は、柱状構体に沿って順方向又は逆方向に結合させて、電流の方向に従う前記自由磁化層の磁化方向を変えることができる。
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【課題】電流直接駆動による磁化反転の際の反転電流を低減させることができる磁気セル及びそれを用いた磁気メモリを提供することを目的とする。
【解決手段】磁化が第１の方向に実質的に固定された第１の強磁性体層と、磁化の方向が可変の第２の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間に設けられた第１の中間層と、を備え、磁気記録媒体から前記第２の強磁性体層に電子電流を流入させて前記第２の強磁性体層の前記磁化を前記電子電流のスピン偏極状態に応じた方向とし、前記第１の強磁性体の前記磁化の方向と前記第２の強磁性体の前記磁化の方向の相対的な関係に応じて決定される前記第１及び第２の強磁性体層の間の抵抗の変化を検出することにより前記磁気記録媒体に記録された情報の読みとりを可能としたことを特徴とする磁気ヘッドを提供する。 （もっと読む）

【課題】種々の用途に使用できる導電制御デバイスを提供すること。
【解決手段】導電制御デバイスは、比較的大きい飽和保磁力を有する第１強磁性領域（６）と、比較的小さい飽和保磁力を有する第２強磁性領域（８）と、第１強磁性領域と第２強磁性領域との間に配置された接合領域（１１）とを備え、このデバイスは、更に接合領域内の電荷キャリア密度を制御するよう接合領域に電界を加えるためのゲート（３）も備える。 （もっと読む）

基板を設けるステップ、この基板の上に強磁性層を成長させるステップ、この強磁性層の上にトンネル障壁層を成長させるステップ、その強磁性層の上に第１非磁性金属接点を設けるステップおよび単一の強磁性層について第２非磁性金属接点を設けるステップを備える方法によって、磁気トンネル接合部のために利用される層構造を示すスピンバルブ構造が設けられている。そのような片面構造に加えて、半絶縁性ＧａＡｓ基板の上面に、例えばＧａ_０．９４Ｍｎ_０．０６Ａｓ／非ドープ型ＧａＡｓ／Ｇａ_０．９４Ｍｎ_０．０６Ａｓ３層構造と非ドープ型ＬＴ−ＧａＡｓ緩衝層とを有する両面構造を設けることができる。内側の正方形接点と周囲の電気バック接点とがある。このサンプル構造によれば、強磁性体およびＧａＡｓトンネル障壁の双方を通して２プローブ式磁気抵抗測定を実行することができる。デバイスの抵抗は、トンネル障壁を介する垂直トンネリングプロセスによって充分優位を占めている。
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