【課題】自由層および基準層の磁化配向が非直交である、ＣＰＰ‐ＧＭＲセンサ構造を提供すること。
【解決手段】強磁性自由層７２２は、自由層の蒸着平面およびＡＢＳ平面の交点として画定される長手方向軸に対して角度θ_ｆｂの第１の方向で、その膜の平面内で名目上配向されたバイアスポイント磁化を有する。強磁性の基準層７１６は、前記第１の方向に直交しない前記長手方向に対して角度θ_ｒｂの第２の方向で、その膜の平面内で名目上配向されたバイアスポイント磁化を有する。 （もっと読む）

【課題】電流直接駆動による磁化反転の際の反転電流を低減させることができる磁気セル及びそれを用いた磁気メモリを提供することを目的とする。
【解決手段】磁化が第１の方向に実質的に固定された第１の強磁性体層と、磁化の方向が可変の第２の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間に設けられた第１の中間層と、を備え、磁気記録媒体から前記第２の強磁性体層に電子電流を流入させて前記第２の強磁性体層の前記磁化を前記電子電流のスピン偏極状態に応じた方向とし、前記第１の強磁性体の前記磁化の方向と前記第２の強磁性体の前記磁化の方向の相対的な関係に応じて決定される前記第１及び第２の強磁性体層の間の抵抗の変化を検出することにより前記磁気記録媒体に記録された情報の読みとりを可能としたことを特徴とする磁気ヘッドを提供する。 （もっと読む）

【課題】 データ転送線の複数のＴＭＲを接続した場合にも大きな読み出し信号を得ることができ、高速動作と高密度化を実現する。
【解決手段】 第１の磁性体と第２の磁性体との間に非磁性体絶縁膜が形成された複数のメモリセルと、複数のメモリセルの第１の磁性体に電気的に共通に接続されたデータ転送線１４とを具備した磁気記憶装置において、電流端子の一端がデータ転送線１４に接続され、しきい値がＶthであるトランジスタ２８１と、このトランジスタ２８１の制御入力端子に電圧Ｖcを供給する電圧ノードとを具備し、メモリセルからのデータ読み出し時において、トランジスタ２８１の電流端子の他端の電圧はＶc−Ｖthより高い。 （もっと読む）

【課題】 データ転送線の複数のＴＭＲを接続した場合にも大きな読み出し信号を得ることができ、高速動作と高密度化を実現する。
【解決手段】 第１の磁性体２５１と第２の磁性体２５３との間に非磁性体絶縁膜２５２が形成された複数のメモリセルと、複数のメモリセルの第１の磁性体２５１に電気的に共通に接続されたデータ転送線とを具備した磁気記憶装置において、複数のメモリセルは、データ転送線と複数のデータ選択線とが交差する位置に形成され、非磁性体絶縁膜２５２の平均膜厚よりも、非磁性体絶縁膜２５２の片面に形成された凹凸の曲率半径が小さくなるように形成されている。 （もっと読む）

磁気メモリを提供するための方法及びシステム。本方法及びシステムは、複数の磁気記憶セル、複数のワードライン及び複数のビットラインを設けることを含む。複数の磁気記憶セルの各々は、複数の磁気素子及び少なくとも１つの選択トランジスタを含む。各磁気素子は、該磁気素子を通じて駆動される書込み電流によって、スピン転移誘起スイッチングを用いてプログラム可能である。各磁気素子は、第１端及び第２端を有する。各磁気素子の第１端には、少なくとも１つの選択トランジスタが接続される。複数のワードラインは、複数の選択トランジスタに結合され、複数の選択トランジスタの一部を選択的にイネーブル状態にする。
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機能のコンフィギュレーション可能な論理回路デバイスを有し複数のデータ線（７）を含む構成要素において、データ線（７）の少なくとも１つの部分に相異なる離散的な抵抗を有する２つの状態の間を切換可能な少なくとも１つの要素（１）が対応付けられており、該要素（１）を介して切換えられた状態に応じてデータ線（７）が開通または遮断される。
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誘電領域を覆う記憶素子層を形成する工程を含む磁気エレクトロニクス素子を覆う導電層への接触方法。第１導電層（２６）が記憶素子層（１８）を覆うように成長する。第１誘電層（２８）が第１導電層（２６）を覆うように成長し、第１マスキング層（２８）を形成するためにパターン化およびエッチング処理される。第１マスキング層（２８）を用いて第１導電層（２６）がエッチング処理される。第２誘電層（３６）が第１マスキング層（２８）及び誘電領域を覆うように成長する。第１マスキング層（２８）を露出させるために第２誘電層（３６）の一部が除去される。第１マスキング層（２８）が第２誘電層（３６）に比べて早い速度でエッチング処理されるように、第２誘電層（３６）及び第１マスキング層（２８）が化学エッチング処理される。このエッチング処理により第１導電層（２６）が露出する。
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【解決手段】本発明は磁気/非磁気/磁気多層フィルムに用いられるコア複合膜に関し、自由磁気層、隔離層とピンニングされた磁気層を包含する。当該コア複合膜はただ隔離層がLB膜層であり、当該隔離層が絶縁性、導電的又は有半導体性質の材料からなる有機LB膜である。当該コア複合膜は前記の自由磁気層、隔離層とピンニングされた磁気層がすべてLB膜層であってもよい。その中にピンニングされた磁気層と自由磁気層が磁気のある材料有機膜で構成された。当該コア複合膜が磁気抵抗スピンバルブセンサーに応用され、磁気抵抗スピンバルブセンサーの磁誘導単位を構成でき、磁気抵抗ランダムアクセスメモリに応用され記憶単位とされる。当該コア複合膜が大面積範囲に均一性と一致性を保持し、そのプロセスが簡単で、コスト廉価であり、かつLB有機膜を利用し従来の隔離層と磁気層に代えて、デバイスを更に軽くし、さらに薄くし、更に加工と集積化させることができる。 （もっと読む）

磁気ランダムアクセスメモリ（「ＭＲＡＭ」）装置（２００）は、スピントランスファ反射モード手法を用いて選択的に書込が行われる。ＭＲＡＭアレイにおいて指定されたＭＲＡＭセルの選択性は、スピントランスファ切替電流の、ＭＲＡＭセルの偏極素子（２０４）の磁化と自由磁気素子（２０８）の磁化間の相対角度への依存により達成される。偏極素子は、電流、たとえば、ディジット線電流（２２６）の印加に応じて変更可能な変動磁化を有する。偏極素子の磁化が自然なデフォルト方位の場合、ＭＲＡＭセル内のデータが保持される。偏極素子の磁化が切り替えられる場合、比較的低い書込電流（２２４）に応じてＭＲＡＭセル内のデータを書き込むことができる。
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磁気メモリで使用することができる磁気素子を提供するための方法およびシステム。この磁気素子は、第１のピン止め層と、スペーサ層と、自由層と、スピン・バリア層と、第２のピン止め層とを含む。スペーサ層は非磁気性であり、ピン止め層と自由層との間に位置する。書き込み電流が磁気素子を通過する場合には、自由層をスピン・トランスファにより切り替えることができる。自由層は、スペーサ層とスピン・バリア層との間に位置する。スピン・バリア層は、自由層と第２のピン止め層との間に位置する。スピン・バリア層は、自由層の減衰定数への外面による寄与を低減するように構成される。ある態様においては、スピン・バリア層は、高い面積抵抗を有し、スピン・ポンピング誘起減衰をほぼ除去することができる。他の態様においては、この磁気素子は、また、スピン・バリア層と自由層との間にスピン蓄積層を含む。スピン蓄積層は、高い導電性を有し、長いスピン拡散長さを有することができる。
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対平面垂直電流磁気抵抗ヘッドからなる読み取り素子は、そこに隣接させた安定化器を有し、渦効果と電荷蓄積とに起因するセンサエッジでの磁化分布を殆ど防止するセンサ付きスピンバルブを含む。少なくとも一つのフリー層が、スペーサにより少なくとも一つのピン層から離間させてある。フリー層上には、キャップ層が配設してある。安定化器は、フリー層に隣接するピン強磁性層と、その上に配置した反強磁性層とを含む。異なる磁気モーメントと膜厚を有する様々な材料を用い、効果的なバイアスを提供することは容易となる。小寸法用のセンサエッジに関連する問題もまた、克服される。読み取り素子の製造方法もまた、提供される。
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磁気メモリデバイスは、基板上に形成された複数のトランジスタ３１６、３１７と、トランジスタ上に形成された、多数の有効磁気抵抗素子３１８、３１９、強磁性記録層３２１、非磁性空間層３２３及び自由磁気読出し層３２２を含む共通磁気メモリブロック３１２とを備える。延長共通デジタル線３１５は共通磁気メモリブロック上に配置される。共通磁気メモリブロックは、それぞれの活性領域の各コンタクトを通してトランジスタの対応のソース／ドレイン電極と電気的に接続される。活性領域の強磁性記録層の特定の磁化状態は、加熱プロセスを実行し、かつ共通デジタル線及びビット線３０９、３１１又はワード線３０７から誘導される外部磁界を印加することにより変化させ得る。有効磁気抵抗素子の抵抗変化は、読出し中に磁気反応層の磁化状態を変化させることにより検出でき、小さいスイッチング磁界が必要である。 （もっと読む）

磁気メモリデバイス（３００）のメモリセル（３１０）は、自由層（３１１）と、キャップ層と、反強磁性層と、非磁気空間層を介して反強磁性結合された２つ以上の強磁性層を備える合成反強磁性層とを含む。該合成反強磁性層は反強磁性層によってピン止めされる。該反強磁性層および該合成反強磁性層は合成反強磁性ピン（ＳＡＦＰ）記録層を形成する。該ＳＡＦＰ記録層の磁化は、加熱プロセスと、ビットライン（３２０）およびワードライン（３３０）に沿って流れる電流から誘導された外部電界とを組み合わせることによって変更可能である。従って、該ＳＡＦＰ記録層の高い容積および異方性エネルギーゆえに、該ＳＡＦＰ記録層を導入した後に、高密度で、熱的安定性が高く、電力損失が少なく、かつ熱耐性が高いＭＲＡＭが達成可能である。 （もっと読む）

本発明の装置は、第１の電極（１２）と、磁性基準層（１）と、トンネルバリア（３）と、磁性記憶層（４）と、第２の電極（１３）とを連続的に備えている。記憶層（４）と第２の電極（１３）との間には少なくとも１つの第１の断熱層が配置され、この第１の断熱層は、その熱伝導率が５Ｗ／ｍ／℃未満である材料から形成されている。第１の電極（１２）と基準層（１）との間に配置された層によって第２の断熱層を構成することができる。書込み段階は、記憶層（４）のトンネル接合部を通じて基準層（１）へと向かう電流（ｌ１）の循環を含んでおり、一方、読出し段階は逆方向の電流循環を含んでいる。
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