【課題】磁気抵抗効果の大きい新たな可変抵抗素子を提供する。
【解決手段】本発明による可変抵抗素子は、次の３つの特徴を備えた結晶性化合物を含む。第１の特徴は、トポロジカル誘電体特性を示すことにより、伝導帯と価電子帯がディラックコーンを形成する点である。第２の特徴は、ディラックコーンを構成する伝導帯の谷と価電子帯の山との間に、バンドギャップが形成される点である。第３の特徴は、異なるスピンが入る二つのバンドがΓポイントを中心に時間反転対称を持つことである。これら３つの特徴を全て備えることにより、著しい磁気抵抗効果が発現する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の出力を低下させずに耐環境性の向上を図ること。
【解決手段】半導体に磁界を加えると抵抗が変化する磁気抵抗体１０を備えている磁気抵抗素子で、磁気抵抗体１０が、基板１１上に設けられた薄膜状の半導体層１２ａからなる感磁部１２と、感磁部１２上に配置された複数の短絡電極１３，１３とを備え、半導体層１２ａの厚みが、０．４μｍ以上０．８μｍ以下である。半導体層１２ａの延在方向に対して垂直方向の半導体層の幅をＷ、複数の短絡電極間の一定間隔の距離をＬとしたときに、距離Ｌと幅Ｗの比であるＬ／Ｗが、０．１８以上０．２２以下である。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の出力を低下させずに耐環境性の向上を図る。
【解決手段】ＧａＡｓ単結晶基板（１１）上に、ＳｎドープＩｎＳｂ薄膜（１２ａ）をエピタキシャル成長させ（図２（ａ））、ＩｎＳｂ薄膜（１２ａ）をメサエッチングして感磁部１２を形成し、さらに、感磁部１２の上に、保護膜１６として窒化シリコン薄膜を形成する（図２（ｂ））。短絡電極１３、取り出し電極１４および接続電極１５を形成する部分の窒化シリコン薄膜（１２ａ）を除去し（図２（ｃ））、真空蒸着法により、各電極１３〜１５を蒸着し、リフトオフ法で短絡電極１３、取り出し電極１４および接続電極１５を形成した。これら電極は、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層構造とし、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ＝１００ｎｍ／２０ｎｍ／４５０ｎｍとした。そして、感磁部（１２）および短絡電極１３を含む全面に軟樹脂層１７としてゴム系樹脂を形成した（図２（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】ノイズの影響が低減され、かつ、増幅歪みの少ない半導体磁気センサ及びそれを用いた磁性体検出装置を提供すること。
【解決手段】直列接続された第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２と、第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の接続ノードにゲート電極が接続された電界効果トランジスタ１０とを備えている。電界効果トランジスタ１０のゲート電極の幅を第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の各中心点を結んだ直線に投影した時の長さが、第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の各中心点の直線距離の略偶数倍であるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 大きなＭＲ変化率を有する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ、及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 磁化固着層５と、磁化自由層７と、磁化固着層５と磁化自由層７との間に設けられた非磁性層６と、磁化自由層７の非磁性層６が設けられた側とは反対の側に設けられたＡｕを含む第１の金属層４と、第１の金属層４の磁化自由層７が設けられた側とは反対の側に設けられたＣｕＮｉ合金を含む第２の金属層３と第２の金属層３の第１の金属層４が設けられた側とは反対の側に設けられた第１の電極２と、磁化固着層５の非磁性層６が設けられた側とは反対の側に設けられた第２の電極８とを備え、磁化固着層５及び磁化自由層７の一方がハーフメタルを含み、第１の電極２から第２の電極８に向かって電流が流れることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ａ相／Ｂ相又はＡ相とＺａ相／Ｚｂ相又はＺ相との位相差を小さくし、磁気抵抗効果素子を小型化して回転体の原点検出精度を向上させること。
【解決手段】Ａ相／Ｂ相又はＡ相検出用の磁気抵抗効果素子２１とＺａ相／Ｚｂ相又はＺ相検出用の磁気抵抗効果素子２２とは、同一基板上に同一形状で並設され、かつ運動体に対する配置方向が前記運動体の運動方向に垂直方向である。磁気抵抗効果素子２１ａと磁気抵抗効果素子２１ｂとの中点の端子電極２１ＡからはＡ相の信号が、磁気抵抗効果素子２１ｃと磁気抵抗効果素子２１ｄとの中点の端子電極２１ＢからＢ相の信号が出力される。また、磁気抵抗効果素子２２ａと磁気抵抗効果素子２２ｂとの中点の端子電極２２ＡからＺａ相の信号が、磁気抵抗効果素子２２ｃと磁気抵抗効果素子２２ｄとの中点の端子電極２２ＢからＺｂ相の信号が出力される。 （もっと読む）

【課題】大きな出力信号強度を得られるEMRデバイスに、既存のスライダ形成技術を利用して磁気ヘッドスライダが形成できるような、デバイス構造とデバイス製造方法を提供すること
【解決手段】磁気抵抗デバイスは、基板（４；６４）と、第一方向（１４）に伸びた細長半導体チャネル（１１）素子と、チャネルへの接点の組（２７）を提供する少なくとも２つの導電性リード（２６）とを含んでいる。デバイスは、チャネルと接続したオプションの半導体シャント（８）を含んでいる。オプションのシャント、チャネル及び接点の組は、第一方向及び基板の表面に対して垂直な第二方向（１５）に向かって、基板に対して積重ねられる。デバイスは、チャネルに沿って伸びる側面（３０）を有している。デバイスは、側面に対して一般的に垂直な方向の磁場（３１）に対して反応する。 （もっと読む）

【課題】グラフェン層を備えた電子デバイスの高性能化を図る。
【解決手段】電子デバイス１００は、結晶性材料からなる下層１０８と、結晶性材料からなる上層１１０と、下層１０８と上層１１０との間に位置するｎ−グラフェン層１０２とを含み、下層１０８及び／又は上層１１０が４以上の比誘電率を有する高比誘電率材料からなる電子デバイスである。ｎ−グラフェン層１０２は、グラフェンの単層構造、又は複数のグラフェン単層の積層構造である。 （もっと読む）

【課題】強磁性半導体膜への効率的なスピン注入を可能とすること。
【解決手段】本発明は、ＩｎＡｓを含む強磁性半導体膜と、強磁性金属膜と、前記強磁性半導体膜と前記強磁性金属膜との間に設けられた絶縁膜と、を具備するトンネル磁気抵抗素子およびスピントランジスタである。本発明によれば、ＩｎＡｓを含む強磁性半導体膜を用いることにより、強磁性金属膜に印加される電圧が小さくとも強磁性半導体膜にキャリアをスピン注入することができる。よって、強磁性金属膜から強磁性半導体膜への効率的なスピン注入が可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数の検出信号を用いて磁気検出を行う場合であってもギャップによる検出精度のバラツキを抑制できる磁気センサおよび磁気検出方法を実現する。
【解決手段】磁気検出部１０は、磁気抵抗素子ＭＲ１と抵抗素子Ｒ１とからなる第１直列回路１０１と、磁気抵抗素子ＭＲ２と抵抗素子Ｒ２とからなる第２直列回路１０２とを備える。第１直列回路１０１は、磁気抵抗素子ＭＲ１による通過磁束密度の変化に応じた第１磁気検出信号Ｖｏｕｔ１を出力し、第２直列回路１０２は、磁気抵抗素子ＭＲ２による通過磁束密度の変化に応じた第２磁気検出信号Ｖｏｕｔ２を出力する。Ａ／Ｄコンバータ２０は、第１、第２磁気検出信号Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２をＡ／Ｄ変換して、演算部３０へ出力する。演算部３０は、第１磁気検出信号Ｖｏｕｔ１を第２磁気検出信号Ｖｏｕｔ２で除算することで、センサ検出信号ＶｏｕｔＳを出力する。 （もっと読む）

【課題】オフセット電圧の補正を使用時の状況に応じて設定する必要が無く、且つ十分な電圧レベルの検出信号を得ることができる磁気センサを実現する。
【解決手段】磁界変化検出部１０は、磁気抵抗素子ＭＲ１と抵抗素子Ｒ１との直列回路からなり、被検出体の搬送による磁気抵抗素子ＭＲ１の通過磁束密度の変化に応じた磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψを出力する。積分部２０は、磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψを積分処理してなる積分信号ＶｏｕｔＩを生成する。ここで、磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψは定電圧となるオフセット成分と磁界の変化に応じた有効変動成分とからなり、有効変動成分は極短い期間で発生するので、積分信号ＶｏｕｔＩは、磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψのオフセット成分に相当する。差動増幅部３０は、磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψと積分信号ＶｏｕｔＩとを差増増幅することで、オフセット成分の除去されたセンサ検出信号Ｖｏｕｔを出力する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造および製造方法を用いて、中点電圧偏差を小さくするとともに中点電圧の温度特性を良好にすることができる磁気検出回路素子を実現する。
【解決手段】半絶縁性基板１１上には、半導体膜１３Ａを有する磁気抵抗素子ＭＲ１と半導体膜１３Ｂを有する磁気抵抗素子ＭＲ２とが長尺状に形成されるとともに、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６が形成されている。隣接する入力電圧用電極１４とグランド接続用電極１５との間には、補正用電極１６’が形成されている。補正用電極１６’は、半絶縁性基板１１の磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２形成面上とは異なる領域で出力電圧用電極１６に接続する。この際、補正用電極１６’を、当該補正用電極１６’が形成されていない時に発生するリーク電流を、補正用電極１６’の形成により新たに発生するリーク電流で相殺するような設置位置および大きさに設定する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造および製造方法を用いて、中点電圧偏差を小さくするとともに中点電圧の温度特性を良好にできる磁気検出回路素子を実現する。
【解決手段】半絶縁性基板１１上には、半導体膜１３Ａを有する磁気抵抗素子ＭＲ１と半導体膜１３Ｂを有する磁気抵抗素子ＭＲ２とが長尺状に形成されるとともに、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６が形成される。グランド接続用電極１５は半導体膜１３Ｂと接続電極１７Ｂを介して接続され、出力電圧用電極１６は半導体膜１３Ａ，１３Ｂと接続電極１７Ｃを介して接続される。接続電極１７Ｂには補正用電極１８１が接続され、接続電極１７Ｃには補正用電極１８２が接続される。補正用電極１８１，１８２は、互いの先端間に生じるリーク抵抗Ｒｃ１が、グランド接続用電極１５と出力電圧用電極１６との間のリーク抵抗による中点電圧偏差を抑制する抵抗値となるように形成される。 （もっと読む）

【課題】光センサと磁気センサの両方を用いる場合の省スペース化。
【解決手段】集積回路内に、磁気検出素子と、印加された磁界に応じて前記磁気検出素子で得られる電圧信号を取り出して磁気検出信号を得る磁気検出信号処理部と、を備える磁気センサ部と、光検出素子と、照射された光量に応じて該光検出素子で得られる電流信号を取り出して光検出信号を得る光検出信号処理部と、を備える光センサ部と、を設け、磁気検出素子と、光検出素子とは、共通の半導体基板に形成し、光磁気一体型センサとする。半導体基板のｐ導電型領域の上にｎ導電型領域を形成し、ｎ導電型領域を磁気検出素子として用い、かつｐ導電型領域とｎ導電型領域とのｐｎ接合を光検出素子として用いれば、単一のセンサ素子を光検出素子、磁気検出素子として利用することもできる。 （もっと読む）

【課題】基板と格子整合し、キュリー温度Ｔｃが室温であるＩＩ−ＩＶ−Ｖ_２族化合物磁性半導体材料で量子井戸層あるいは強磁性電極を構成した磁性半導体素子を提供する。
【解決手段】
磁性半導体素子１０は、ＩｎＰからなる基板１１と、Ｍｎが添加されたＺｎＳｎＡｓ_２からなりかつ基板１１の上に結晶成長された量子井戸層１３と、ＩｎＡｌＡｓ及び／又はＩｎＧａＡｓからなり基板１１の上に結晶成長されかつ量子井戸層１３を挟持する一組の障壁層１２，１４と、を備える。障壁層１２，１４にＩｎＡｌＡｓを採用した場合、Ａｌ組成は０．４３〜０．５３％であることが好ましくは、ＩｎＧａＡｓを採用した場合、Ｇａ組成が０．４２〜０．５２％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】スピン流を利用した磁化反転機構を利用したメモリセル等を提供する。
【解決手段】メモリセル３１は、平面状の非磁性体層１６と、非磁性体層１６の表面に設置され、磁化の向きが固定された強磁性体からなる強磁性体層１２と、非磁性体層１６の表面に設置され、磁化の向きが可変である強磁性体からなるフリー層１５と、を備え、非磁性体層１６と、強磁性体層１２と、の間を流れる電流の向きを変化させて、非磁性体層１６を流れるスピン流のスピン量子化軸を変えることでフリー層１５の磁化の向きを変化させ、強磁性体層１２の磁化の方向と、フリー層１５の磁化の方向と、が、略平行であるか略反平行であるかにより、情報を記憶する。 （もっと読む）

【課題】特性劣化が小さい半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子は、基板上に形成されたメサ構造を有する化合物半導体膜１と、化合物半導体膜１上に形成された短絡電極２と、外部との電気的接続を行うための取り出し電極３とを備える。短絡電極２および取り出し電極３は、化合物半導体膜１のメサ部分に接合する。取り出し電極３と化合物半導体膜１のメサ構造の長辺端部との接合面は、（１１１）面、（１−１−１）面、（−１１−１）面、および（−１−１１）面に平行な面のうち、少なくとも１つの面に対して−１５°〜＋１５°の範囲であり、（１１−１）面、（１−１１）面、（−１１１）面、および（−１−１−１）面に平行な面に対して−１５°〜＋１５°の範囲では、接合部が無いように形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果に基づくハードディスクドライブのための読み取り／書き込みヘッドにおける現行の読み取り要素におけるスピントルクおよび熱誘導磁気ノイズに起因する問題を解消すること。
【解決手段】電界を検出するためのデバイスは、第１、第２および第３のリード線と、これらリード線の間に接合部とを備え、接合部とリード線とは１つの平面内に配置されており、接合部は平面に垂直な方向に量子閉じ込めを行うようになっており、第１のリード線は接合部の一方の側に配置され、第２および第３のリード線は接合部の反対側に配置されており、第１のリード線は接合部に進入する電荷キャリアの回転角方向の分布を制限するようになっており、よって電荷キャリアが第１のリード線から接合部に流入するときに、電荷キャリアは実質的に非発散ビームとして前記第１のリード線から現れる。 （もっと読む）

【課題】複数の磁気抵抗素子の温度を均一にできる構造の磁気センサを実現する。
【解決手段】基板１１上には、磁気抵抗素子ＭＲ１を構成する感磁部１２１〜１２４と、磁気抵抗素子ＭＲ２を構成する感磁部１３１〜１３４とが形成されている。感磁部１２１〜１２４，１３１〜１３４は長尺状の半導体膜により形成されており、さらに感磁部１２１〜１２４の半導体膜上には導電性材料からなる短絡電極が長尺方向に沿って所定間隔で形成されている。感磁部１２１〜１２４，１３１〜１３４は、それぞれの長尺方向が平行に並び且つ近接するように形成される。この際、感磁部１２１〜１２４，１３１〜１３４は、磁気抵抗素子ＭＲ２の感磁部１３１，１３２、磁気抵抗素子ＭＲ１の感磁部１２１，１２２、磁気抵抗素子ＭＲ２の感磁部１３３，１３４、磁気抵抗素子ＭＲ１の感磁部１２３，１２４の順に配列されるように、形成される。 （もっと読む）

【課題】被検出体に複数の帯磁部が配列して備えられても、それぞれの帯磁部に応じて単純な波形が出力されるようにし、各帯磁部を正確に検出できる磁気センサ装置を実現する。
【解決手段】磁気センサ装置１は、磁気検出部１０と差動増幅回路１００とを備える。磁気検出部１０は、磁気抵抗素子ＭＲ１，Ｒ１の直列回路と磁気抵抗素子Ｒ２，ＭＲ２の直列回路とが、並列接続されてなり、磁気抵抗素子ＭＲ１，Ｒ１によって出力電圧信号Ｖｏｕｔ−Ａを生成し、磁気抵抗素子Ｒ２，ＭＲ２によって出力電圧信号Ｖｏｕｔ−Ｂを生成する。出力電圧信号Ｖｏｕｔ−Ａと出力電圧信号Ｖｏｕｔ−Ｂとが差動増幅回路１００により差動増幅されることで、帯磁部の検出信号である出力電圧信号Ｖｏｕｔ−Ｃが得られる。ここで、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２，Ｒ１，Ｒ２を構成する複数の感磁部は、帯磁部を備える被検出体の搬送方向に垂直な方向へ配列して設置される。 （もっと読む）