【課題】小さい磁気ヒステリシス、高い線形性、及び高い検出感度を併せ持つ電流センサを提供すること。
【解決手段】磁化方向が略固定された強磁性固定層及び外部磁界に対して磁化方向が変動するフリー磁性層を含んで構成された複数の磁気検出部（３２）と、前記フリー磁性層にバイアス磁界を印加するハードバイアス層を含んで構成された複数の永久磁石部（３３）と、が交互に接して配置された磁気抵抗効果素子（１２ａ、１２ｂ）を備え、隣接する前記永久磁石部（３３）の間隔が２０μｍ〜１００μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】改善された硬質磁性体バイアス構造を備える面垂直電流（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサを提供する。
【解決手段】磁気記録ディスクドライブ用ＣＰＰ−ＧＭＲ又はＣＰＰ−ＴＭＲ読み出しヘッドのための硬質磁性体バイアス構造が、２つのセンサシールドＳ１、Ｓ２間に位置し、センサの自由層１１０の側縁に隣接している。絶縁層１１６は、バイアス構造と下部シールドとの間、及び自由層１１０の側縁の間に位置する。バイアス構造１５０は、Ｉｒ又はＲｕのシード層１１４と、そのシード層１１４上の強磁性で化学的配列が規則付けられたＦｅＰｔ合金ハードバイアス層１１５と、そのＦｅＰｔ合金ハードバイアス層１１５上のＲｕ又はＲｕ／Ｉｒキャッピング層１１８とを含む。ＦｅＰｔ合金は、そのｃ軸が全般的に層の平面内にある面心正方構造を有する。 （もっと読む）

【課題】ハードバイアス層用の改善されたシード層構造を備えた面垂直電流（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサを提供する。
【解決手段】面垂直電流（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサ１００は、センサの自由強磁性層に縦にバイアスをかけるために用いられる強磁性体ハード（高保磁力）バイアス層用の改善されたシード層構造１１４を有する。シード層構造１１４は、タンタル（Ｔａ）の第１のシード層１１４ａと、Ｔａ層１１４ａ上でそれに接するチタン（Ｔｉ）およびＴｉ酸化物の一方または両方の第２のシード層１１４ｂと、第２のシード層１１４ｂ上でそれに接するタングステン（Ｗ）の第３のシード層１１４ｃと、からなる３層である。 （もっと読む）

【課題】フリー層を安定化するハードバイアス構造を備えたＣＰＰ−ＭＲセンサを提供する。
【解決手段】本発明のＣＰＰ−ＭＲセンサは、ハードバイアス構造４と、そのハードバイアス構造４によって水平方向にバイアス磁界が付与されたフリー層８を有するＭＲスタック６とを備える。ハードバイアス構造４は、シード層４Ａ、ＦｅＰｔ含有磁性層４Ｂ、およびキャップ層４Ｃを順に有する。 （もっと読む）

【課題】膜面垂直通電（ＣＰＰ）読み取りセンサの縦バイアス積層構造を提供する。
【解決手段】ＣＰＰ読み取りセンサの検知層構造を安定化させるための、改良された縦バイアス積層構造を有する読み取りヘッドが提供される。縦バイアス積層構造は、２つの側部領域の各々において、絶縁層によってＣＰＰ読み取りセンサから分離され、絶縁層とＣＰＰ読み取りセンサとともに、読み取りヘッド内の上側および下側強磁性シールドの間に挟まれる。本発明の好ましい実施形態において、縦バイアス積層構造は主として、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層を含み、シード層を持たないため、絶縁層のみの厚さで、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層とＣＰＰ読み取りセンサの間の間隔が決定される。シード層を持たないＦｅ−Ｐｔ縦バイアス層は、アニーリング後に良好な膜面内の硬磁性を呈し、間隔が狭いため、この安定化方式は有効である。 （もっと読む）

【課題】厚膜の磁性多層膜に隣接する埋め込み膜にボイド・シームを発生させない磁気ヘッドの製造方法及びこれを用いた差動型再生ヘッドもしくはＭＡＭＲ素子を提供する。
【解決手段】磁性多層膜１４のパターン加工後の隣接する埋め戻し膜４２，４３の堆積を，第１段階の堆積工程と，続けて堆積した膜をエッチバックする工程と，第２段階の堆積工程からなる一連の製造プロセスによって形成する。ハードバイアスを加える硬磁性膜を埋め戻す場合には，第２段階の堆積工程の前に配向下地膜を堆積する工程を追加することで保磁力を増加できる。 （もっと読む）

【課題】 １チップ内に作製できる構造の磁気センサを提供する。
【解決手段】 基板11に磁気センサ素子12e〜12h(12i〜12l)から配線に接続するビア部と、この配線から外部に出力を取り出すパッド部とを備えるとともに、基板11上に複数の突部15を連続して備え、複数の突部15は２つの連続する傾斜面15a,15bを有しており、同じ角度で傾斜する一方の傾斜面15a上に磁気センサ素子12eが形成されていて、傾斜面15a上に形成された複数の磁気センサ素子12e-2,12e-3は傾斜面15a上に形成されたリードおよびこのリードに連続する他方の傾斜面15b上に形成されたリード12e-6,12e-7により直列に接続されており、リードは配線を介してパッドに接続されている。 （もっと読む）

【課題】フリー層の磁化をより安定させることが可能な、高い保磁力を有するハードバイアス構造の形成方法を提供する。
【解決手段】このハードバイアス構造の形成方法は、（ａ）第１のギャップ層２の上に、所定形状を有するセンサ構造体Ｓ１を形成する工程と、（ｂ）マグネトロンスパッタリングまたはＩＢＤ法を用いて、センサ構造体Ｓ１の側壁９ａ，９ｂと第１のギャップ層２の露出面とを連続して覆うようにシード層１０を形成する工程と、（ｃ）シード層１０に対しマイルドプラズマエッチングを行うことにより、シード層１０の表面１０ｓに複数の核形成部位を形成する工程と、（ｄ）複数の核形成部位が形成されたシード層１０の上に、ハードバイアス層１１を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ３００℃以下の温度において、Ｌ１₀構造ＦｅＰｔ規則合金が得られるＦｅＰｔ系磁性層を備える積層体構造物を提案する。
【解決手段】 積層体構造物は、アモルファス状態のＴａ層と、このＴａ層の上に形成された酸化亜鉛（ＺｎＯ）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる金属酸化物層と、この金属酸化物層の上に形成されたＦｅＰｔ系磁性層と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】 特に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１軟磁性層１３と第２軟磁性層１５との間に、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｉｒ−Ｍｎ、ＲｕあるいはＰｔのうち少なくともいずれか１種で形成された金属挿入層１４が挿入されている。前記第１軟磁性層１３と前記第２軟磁性層１５は、磁気的に結合されて同一方向に磁化されている。前記第１軟磁性層１３と絶縁障壁層５との間にはエンハンス層１２が形成されている。これにより、絶縁障壁層５がＭｇ−Ｏで形成されたトンネル型磁気抵抗効果素子において、従来に比べて、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 特に、フリー磁性層内にＴａ層を挿入した形態に比べて、上下シールド層間のギャップ長（ＧＬ）を小さくしつつ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 フリー磁性層６は、例えば、Ｍｇ−Ｔｉ−Ｏから成る絶縁障壁層５上に、下から、エンハンス層１２、第１軟磁性層１３、非磁性金属層１４、第２軟磁性層１５の順に積層されている。前記エンハンス層１２は例えばＣｏ−Ｆｅで、第１軟磁性層１３及び第２軟磁性層１５は例えばＮｉ−Ｆｅで、非磁性金属層１４は例えばＴｉで形成される。前記エンハンス層１２の平均膜厚と前記第１軟磁性層１３の平均膜厚を足した総合膜厚Ｔ５は１９Å以上２８Å以下で形成される。これにより従来に比べて安定して高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】 特に、フリー磁性層の磁歪λｓの増加を小さく抑えつつ、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 絶縁障壁層５は、Ｍｇ−Ｏで形成され、前記フリー磁性層６は、下からエンハンス層１２、第１軟磁性層１３、Ｃｏ−Ｔａ層１４及び第２軟磁性層１５の順に積層されている。このように軟磁性層１３，１５間にＣｏ−Ｔａ層１４を挿入した構成とすることで、フリー磁性層６の磁歪λｓの増加を小さく抑えつつ、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】出力を劣化させることなく発生するマグノイズを低下でき、高いヘッドＳＮ比を実現できる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】反強磁性層／磁化固定層／非磁性中間層／磁化自由層／磁化安定層の積層構造を有するスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を用い、磁化自由層１に隣接して磁化安定層１１を設置する。磁化安定層は、非磁性結合層／第一の強磁性安定層／反平行結合層／第二の強磁性安定層からなる。第一の強磁性安定層３の磁化量Ｍ３と第二の強磁性安定層５の磁化量Ｍ５は実質的に略等しく、第一の強磁性安定層の磁化と第二の強磁性安定層の磁化は反平行結合層４を通じて各々の磁化が反平行方向になるように磁気的結合している。第一の強磁性安定層の磁化と磁化自由層は非磁性結合層２１を介して、反強磁性的あるいは強磁性的に結合している。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子のシャント抵抗として好適な可変抵抗素子であって、素子として加工された後の磁気抵抗効果素子の抵抗値（ＲＡ値）に対応させて、抵抗値の設定が可能な可変抵抗素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る可変抵抗素子１０は、第１の固定磁性層１３を含む多層膜からなり、その最上層が自由磁性層１５からなるＴＭＲ膜２もしくはＧＭＲ膜３を備え、前記ＴＭＲ膜２もしくはＧＭＲ膜３の上に、第１の強磁性層１７、もしくは非磁性層１６を下地層とする第１の強磁性層１７を備える。 （もっと読む）

【課題】更なる高記録密度化が実現可能な磁気抵抗効果素子を得る。
【解決手段】ＣｏＦｅＡｌにＳｉ又はＧｅが添加された磁性材料で形成され、内部の磁化の向きが固定されているリファレンス層１４３ｃと、リファレンス層１４３ｃ上に非磁性材料で形成された非磁性層１４４と、この非磁性層１４４上に、ＣｏＦｅＡｌにＳｉ又はＧｅが添加された磁性材料で形成され、磁化の向きが、外部の磁界の向きに応じた向きに変化する自由磁化層１４５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 製造コストの上昇を抑制し、かつコア幅を微細化することが可能な磁気ヘッドの製造方法が望まれている。
【解決手段】 基板上に、磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果膜(12)を形成する。磁気抵抗効果膜の上に、第１のマスク膜(14)及び第２のマスク膜(15)を形成する。第２のマスク膜の上に、読取素子領域が被覆され、該読取素子領域の両側に開口が設けられたレジストパターン(16)を形成する。レジストパターンをエッチングマスクとして、第２のマスク膜をエッチングすることにより、第２のマスクパターン(15)を残す。第２のマスクパターンの表層部をエッチング除去することにより、第２のマスクパターンの寸法を縮小させる。縮小された第２のマスクパターンをエッチングマスクとして、第１のマスク膜をエッチングすることにより、第１のマスクパターン(14)を残す。第１のマスクパターンをエッチングマスクとして、磁気抵抗効果膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりの低下を抑制し、かつ読取素子の微細化に適した磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）基板上に、磁気抵抗効果を示す積層膜(12)を形成する。（ｂ）前記基板の表面の読取素子領域(RE)の両側に画定された磁区制御領域(MC)内の前記積層膜を除去し、第１の凹部(20)を形成する。（ｃ）前記第１の凹部内及び前記積層膜の上に、磁区制御膜(27)を形成する。（ｄ）前記第１の凹部の内部、及び前記積層膜の上面のうち前記第１の凹部の縁に隣接する一部の領域上に、前記磁区制御膜が残るように、該磁区制御膜をパターニングする。（ｅ）前記第１の凹部内に前記磁区制御膜が残る条件で、前記磁区制御膜の一部を研磨して除去する工程。 （もっと読む）

【課題】リード素子が小型化した場合でもリードヘッドの特性を劣化させることなく、磁気記憶媒体の記録密度の増大に好適に対応することができるリードヘッド、磁気ヘッドおよび磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】フリー層を備えるリード素子１０と、前記フリー層を磁区制御する磁区制御層２０ａ、２０ｂとを備え、前記磁区制御層２０ａ、２０ｂは、Ｆｅ、Co、Niの少なくとも一種を含む軟磁性材からなり、該磁区制御層２０ａ、２０ｂのコア幅方向の長さａ、ハイト方向の長さｂの比ａ／ｂが５以上、磁区制御層２０ａ、２０ｂのハイト方向の長さｂが１００nm以下に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率が高く、且つ外部磁場に対して自由磁化層の磁化が変化しやすい強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】少なくとも一部の磁化方向が固定された固定磁化層と、前記固定磁化層の上に配置され、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に配置され、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化し、ホウ素原子を含有する第１の強磁性材料からなる第１の自由磁化層と、前記第１の自由磁化層の上に配置され、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化するとともに前記第１の自由磁化層と交換結合をし、ホウ素原子を含有する第２の強磁性材料からなる第２の自由磁化層とを有することを特徴とする強磁性トンネル接合素子。 （もっと読む）

【課題】特性に優れたＣＰＰリード・ヘッドを得る。
【解決手段】本発明の一実施形態において、ＣＰＰリード・ヘッド１１は、磁気抵抗センサ１１２の両側にハードバイアス膜１１５を有する。ハードバイアス膜１１５は、積層された下層硬磁性層１５１と上層硬磁性層１５２とを有する。上層硬磁性層１５２の飽和磁束密度及び残留磁束密度は、下層硬磁性層１５１よりも大きい。下層硬磁性層１５１の保磁力は上層硬磁性層１５２の保磁力よりも大きい。上部シールド１１３、自由層２１５と重なる平坦部を有し、その平坦部の幅は自由層２１５よりも大きい。磁気特性の異なる硬磁性層でハードバイアス膜を形成することで、シールド間隔を小さくすると共に、シールドを平坦化することができる。 （もっと読む）