【課題】スピンＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域におけるＭＴＪの強磁性体に垂直磁化膜を用いても、隣接トランジスタへの漏れ磁界による影響を抑制し、シフト調整を可能にし、チャネル領域中のスピン緩和を抑制するスピンＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】下地層６５の上に設けられた磁化の向きが膜面に垂直でかつ不変な第１強磁性層７２と、第１強磁性層７２上に設けられたチャネルとなる半導体層７４と、半導体層７４上に設けられた、磁化の向きが膜面に垂直でかつ可変な第２強磁性層７８と、第２強磁性層７８上に設けられたトンネルバリア８０と、トンネルバリア８０上に設けられた、磁化の向きが膜面に垂直かつ不変で第１強磁性層７２の磁化の向きと反平行な磁化の向きを有する第３強磁性層８２と、半導体層７４の側面に設けられたゲート絶縁膜９０ａと、半導体層７４と反対側に位置するように設けられたゲート電極７６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 小さな駆動電流で効率よく高周波磁界を発生させることができる磁気記録ヘッド及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の強磁性層１０ｂと、第２の強磁性層３０と、第１の強磁性層１０ｂと第２の強磁性層３０との間に設けられた中間層２２と、第１の強磁性層１０ｂの中間層２２が設けられた側とは反対側に設けられたＣｏＩｒ合金を含む第３の強磁性層１０aと、第３の強磁性層１０aの第１の強磁性層１０ｂが設けられた側とは反対の側に設けられた主磁極６１（第１の磁極）と、第２の強磁性層３０の中間層２２が設けられた側とは反対の側に設けられたリータンパス６２（第２の磁極）とを備えることを特徴とする磁気記録ヘッド１１０。 （もっと読む）

【課題】単方向電流で書き込みをすることを可能にするとともに回路面積が増大するのを防止することを可能にする。
【解決手段】第１強磁性層２１、第１非磁性層２３、第２強磁性層２５、第２非磁性層２７、および第３強磁性層２９がこの順序または逆の順序で積層された積層構造を有し第３強磁性層と第２強磁性層とが第２非磁性層を介して反強磁性的な交換結合をする強磁性積層膜２０を含むメモリセル１０を備え、第１強磁性層から第３強磁性層に向かう単一方向の電流を強磁性積層膜に流して、電流の大きさに応じて第１強磁性層に異なる磁化状態の書き込みを行うとともに第１強磁性層からの読み出しを行なう。 （もっと読む）

【課題】 伝搬効率に優れたスピン波素子を提供する。
【解決手段】 基板２０と、基板２０上に形成され、磁化が積層方向に向いている第１の強磁性層を含む多層膜３０と、多層膜３０上に形成され、第１の非磁性層７０を介して離間して形成された検出部５０及び複数の入力部４０と、を備え、第１の多層膜３０の積層方向から眺めたときに、第１の強磁性層の外縁の一部の形状が楕円の一部であり、入力部４０と検出部５０とを結ぶ直線が楕円の長軸と重なっており、楕円の一部は入力部４０側に存在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 マルチチャネル型にも適用可能なスピン伝導素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
このスピン伝導素子は、半導体基板１の半導体領域に設けられたピンド層を有するスピン流源Ａと、半導体領域に設けられたフリー層を有するスピン流吸収電極Ｂと、半導体領域に設けられ、スピン流吸収電極Ｂとの間の電圧を測定するための検出用電極ＰＢ１と、半導体領域におけるスピン流源Ａとスピン流吸収電極Ｂとの間に位置し、スピン流源Ａに対して正の電位が印加される非磁性体を含むバイアス印加電極Ｃとを備えている。 （もっと読む）

【課題】スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成されたフルホイスラー合金層１３と、フルホイスラー合金層１３上に形成された、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４と、強磁性体層１４上に形成された非磁性層１５と、非磁性層１５上に形成された強磁性体層１６とを含む構造をソース及びドレインのうち少なくとも一つに備える。非磁性層１５を介して形成された強磁性層１４と強磁性層１６との間には反強磁性結合が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 既に市場で大量に生産されているＭ（マグネトプラムバイト）型フェライト磁石により、外部磁場で電流を誘起でき、外部磁場で電気分極の強度や方向を制御でき、また、外部電場で誘起した磁化の強度や方向を制御でき、且つ、室温の動作環境温度において動作可能なマルチフェロイックス素子を提供する。
【解決手段】 Ｍ（マグネトプラムバイト）型フェライトからなる強誘電性と強磁性を合わせもつマルチフェロイックス固体材料で、室温の動作環境温度において外部磁場を作用させることにより電流を誘起する。例えば、マルチフェロイックス素子は、ＢａＦｅ_12-x-δＳｃ_x Ｍｇ_δＯ₁₉（δ＝０．０５）結晶材料のＳｃ濃度ｘが１．６から２であるマルチフェロイックス固体材料１とそれを挟むように形成される金属電極２とからなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５を印加するように配置され、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】 電流−スピン流変換効率が高く、高強度のスピン流が得られるスピントロニクス装置を提供する。
【解決手段】 対向する第１端面及び第２端面を有し、正孔と電子とが同程度のキャリア密度と移動度を有し、ホール係数がゼロである非磁性の両極性伝導金属からなるスピン流生成領域３０と、第１端面に設けられ、スピン偏極された正孔をスピン流生成領域３０に注入する強磁性体からなる第１主電極２０と、第２端面に設けられ、電子をスピン流生成領域３０に注入する第２主電極４０とを備える。ローレンツ力により、正孔と電子とを同一方向に輸送されるようにして、正孔と電子の電荷を互いに相殺してスピン流を得る。 （もっと読む）

【課題】大規模な装置を用いることなく、電流として流れない状態にスピン偏極キャリアが生成できるようにする。
【解決手段】半導体チャネル領域１０１と、半導体チャネル領域１０１にキャリアを生成させるキャリア生成部１０２と、半導体チャネル領域１０１に磁場強度が変化している磁場勾配を形成する磁場勾配印加部１０３とを備える。キャリア生成部１０２は、例えば、半導体チャネル領域１０１に導入した不純物である。半導体チャネル領域１０１の端部に、スピンの方向が確率的に一方に偏っている状態であるスピン偏極したキャリア（スピン偏極キャリア）を生成させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、出力を十分に高めることができかつ微小領域からの磁束を感度よく検出可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ２００は、グラフェン層７と、グラフェン層７上に配置された磁化固定層１２Ｂと、グラフェン層７上に配置された磁化自由層１２Ｃと、グラフェン層７に電気的に接続された第一電極２０Ａ及び第二電極２０Ｄと、グラフェン層７、磁化固定層１２Ｂ、及び、磁化自由層１２Ｃを積層方向の両側から挟む下部磁気シールド層２２及び上部磁気シールド層１１，１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ノイズを抑制可能なスピン伝導素子を提供する。
【解決手段】チャンネル７、第１絶縁層８１、磁化固定層１２Ｂ、第２絶縁層８２、磁化自由層１２Ｃ、第１配線１８、及び、第２配線１９を備え、以下の要件Ａ及び要件Ｂの少なくとも１つを満たすスピン伝導素子１００である。
要件Ａ：第１配線１８が、磁化固定層１２Ｂ上に磁化固定層１２Ｂの厚み方向に延びる縦部１８ｂと、縦部１８ｂにおける磁化固定層１２Ｂ側から離れた部分から、磁化固定層１２Ｂの厚み方向と交差する方向に延びる横部１８ａと、を有する。
要件Ｂ：第２配線１９が、磁化自由層１２Ｃ上に磁化自由層１２Ｃの厚み方向に延びる縦部１９ｂと、縦部１９ｂにおける磁化自由層１２Ｃ側から離れた部分から、磁化自由層１２Ｃの厚み方向と交差する方向に延びる横部１９ａと、を有する。 （もっと読む）

【課題】スピンの散乱を抑制しつつ、良好なスピン伝導性及び電気抵抗特性を実現可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】スピン伝導素子１００Ａは、半導体材料からなるチャンネル７と、チャンネル７上に第１絶縁層８１を介して配置された磁化固定層１２Ｂと、チャンネル７上に第２絶縁層８２を介して配置された磁化自由層１２Ｃと、チャンネル７上に配置された第１電極２０Ａ及び第２電極２０Ｄと、を備え、チャンネル７のうちの第１絶縁層８１との接触面を含む第１領域７１、第２絶縁層８２との接触面を含む第２領域７２、第１電極２０Ａとの対向面を含む第３領域７４、及び第２電極２０Ｄとの対向面を含む第４領域７５のキャリア濃度は、チャンネル７全体の平均のキャリア濃度よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャンネル層に電荷が必要以上に蓄積することを抑制し、素子破壊を抑制可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】スピン伝導素子１００は、所定方向に延び、半導体材料からなるチャンネル７と、チャンネル７上に第１絶縁層８１を介して配置された磁化固定層１２Ｂと、チャンネル７上に第２絶縁層８２を介して配置された磁化自由層１２Ｃと、チャンネル７上に配置された第１電極２０Ａ及び第２電極２０Ｄと、を備え、第１電極２０Ａ、磁化固定層１２Ｂ、磁化自由層１２Ｃ、及び第２電極２０Ｄは、チャンネル７上に所定方向に沿ってこの順に配置され、チャンネル７は、所定方向において、第１電極２０Ａ及び第２電極２０Ｄの少なくとも一方よりも外側にまで延在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】帰還回路を用いることなく直線性及び温度特性に優れたマグネトインピーダンス素子およびマグネトインピーダンスセンサを提供すること。
【解決手段】一様な磁界の計測に用いられるマグネトインピーダンス素子１０であって、線状に形成され、外部から作用する磁界により電磁気特性が変化するとともに、一端１ａ側から他端１ｂ側へパルス電流が流される感磁体１を備える。導電層３が、感磁体１の外面上に絶縁層２を介して設けられている。感磁体１の軸線方向における他端部１ｂに、感磁体１と導電層３とを電気的に接続する接続部４が設けられている。パルス電流が感磁体１に流れた際に、感磁体１に作用する外部磁界の強度に対応した誘起電圧を出力する検出コイル６が、導電層３の外周に巻き回されている。そして、感磁体１に流れるパルス電流の向きと、導電層３に流れるパルス電流の向きとが逆向きになる。 （もっと読む）

【課題】スピン蓄積磁気センサのための三端子設計を提供する。
【解決手段】自由層をエアベアリング面に設けることを可能にする三端子設計を有するスピン蓄積センサ。（ＡＢＳに設けられた）自由層構造から、ＡＢＳから離された基準層構造にかけて、非磁性の伝導性スピン輸送層が広がる。センサは、基準層構造に電流を印加するための電流源または電圧源を含む。電流源または電圧源は、非磁性のスピン輸送層に、かつ電気的接地にも接続されたリードを有する。信号電圧を測定するための回路は、自由層構造に電気的に接続されたシールドと、接地との間の電圧を測定する。自由層構造は、電圧源へのリードに到達する前に全てのスピン電流が完全に散失されることを保証することによって、電圧源へのスピン電流の分流を阻止する、スピン拡散層を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを有する磁気ナノトランジスタの製造方法及び製造工程を開示する。即ち、前記ナノチューブを、少なくとも１個の磁性粒子に取り付け、続いて２個の固定磁化電極の間に挟んで設置し、外部磁場をかける。前記外部磁場を用いて、前記ナノチューブを流れる電流を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波発振素子及びマイクロ波発振装置に関し、複雑な成膜工程や微細加工の必要がない簡単な素子構造によりマイクロ波発振を可能にする。
【解決手段】強磁性体層１１とスピン軌道相互作用を有する金属層１２との積層構造からなり、金属層両端の端子１３_１、１３_２との間に電源１４から電圧を印加して、金属層１２に電流を流す事で、スピンホール効果により金属層１２から強磁性体層１１へ純スピン流が注入され、マイクロ波発振を励起する。 （もっと読む）

本発明は、渦状態の平面磁気セル（４）のネットワークを含む磁気記憶装置（１）であって、各セルの渦コアが、反対方向でありかつセル（４）面に垂直な第１と第２の平衡位置のいずれかの磁化を有し、２つの位置のそれぞれが２進情報を表す、磁気記憶装置（１）に関する。装置（１）は、セルに格納される２進情報を書き込む手段（５、８ａ、８ｂ、３）であって、各セル（４）の近傍で前記セル（４）面にほぼ垂直な第１のバイアス静磁場と前記セル（４）にほぼ平行な直線偏波無線周波数磁場とを選択的に印加する手段を含む書き込み手段（５、８ａ、８ｂ、３）を含む。説明の装置はまた、点接触（７）により渦コアの周囲の領域を介し電流線を導くことにより、２つの交差する電極（６）と（９）間の選択的輸送測定を使用して、好ましくは共振的に極性を読み取る手段を含む。
（もっと読む）

【課題】磁化自由層、磁化固定層、及びトンネル絶縁層の金属原子がチャンネル層へ拡散することを抑制し、良好な特性を有するスピン伝導デバイスを提供すること。
【解決手段】スピン伝導デバイス１００は、チャンネル層と、チャンネル層上に設けられ、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、及び酸化ベリリウムのうちのいずれか一つを含む金属酸化物層８と、金属酸化物層８上に設けられた酸化マグネシウム層９と、酸化マグネシウム層９の第一の部分上に設けられた磁化自由層１２Ｃと、酸化マグネシウム層９の第二の部分上に設けられた磁化固定層１２Ｂと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】室温下での動作が可能な強磁性半導体素子及びその制御方法を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に設けた二酸化チタン層１５と、二酸化チタン層１５上に設けた遷移元素ドープ二酸化チタン層１２と、遷移元素ドープ二酸化チタン層１２上に設けた電解液１３と、電解液１３と接触するよう設けたゲート電極１４と、を含む。電解液１３は、ＣｓＣｌ_４、Ｓｒ（ＣｌＯ_４）_２、ＫＣｌＯ_４、ＮａＣｌＯ_４、ＬｉＣｌＯ_４の一以上の電解質を溶媒に溶かしてなる。ゲート電極１４へのゲート電圧印加の有無に応じて、遷移元素ドープ二酸化チタン層１２の強磁性の強さが変化する。遷移元素はコバルトが好ましい。 （もっと読む）