【課題】Ｉ_Ｄ^Ｐ／Ｉ_Ｄ^ＡＰ比を高めることのできるスピントランジスタおよびメモリを提供する。
【解決手段】本実施形態によるスピントランジスタは、基板上に形成されたソース／ドレインの一方となる第１磁性層と、前記第１磁性層上に設けられチャネルとなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ前記ソース／ドレインの他方となる第２磁性層と、前記絶縁膜の側面に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記絶縁膜の前記側面との間に設けられたゲート絶縁膜と、備えている。 （もっと読む）

【課題】チャネルとなるナノワイアの周囲をゲート電極が取り巻いて形成されているＦＥＴが、より容易に高い精度で製造できるようにする。
【解決手段】被覆ナノワイア１０３を配置した基板１２１のゲート電極形成領域の上に、被覆ナノワイア１０３に交差して下部ゲート電極１２２に重なる上部ゲート電極１２４を形成する。上部ゲート電極１２４の形成は、公知のリソグラフィー技術とリフトオフとにより行えばよい。例えば、被覆ナノワイア１０３が下部ゲート電極１２２と交差して配置されている基板１２１の上に、電子ビーム露光により電極形成部に開口を備えるレジストパターンを形成し、この上に、電極材料を堆積する。この後、先に形成してあるレジストパターンを除去すれば、上部ゲート電極１２４が形成できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光信号の情報を記憶させておくために電力を消費することがなく、光信号の情報の書込み、および読出しを高速にかつ簡単な構成で行なうことができる不揮発性光メモリを提供する。
【解決手段】本発明は、電子のスピン偏極状態を利用して光信号を記憶する半導体レーザー構造を備えた不揮発性光メモリ１０である。不揮発性光メモリ１０は、ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層２と、分布ブラッグ反射層２上に、量子井戸構造を有する半導体活性層３とを備えている。発光領域１０ａの半導体活性層３上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層４と、受光領域１０ｂの半導体活性層３上の一部に、半導体活性層３の表面に対して垂直の磁化方向を有する強磁性電極５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 効率良くスピン波を伝えることが可能なスピン波素子を提供すること。
【解決手段】 絶縁性磁性体から成る第一の磁性層と、前記第一の磁性層上に設けられた入力部と、前記第一の磁性層と接する非磁性の導体閉路と、前記導体閉路と接し、絶縁性磁性体から成る第二の磁性層とを有する。 （もっと読む）

【課題】スピントランジスタを用いた論理演算を可能とする集積回路を提供する。
【解決手段】実施形態の集積回路１は、磁化方向が互いに同じ方向となるＶ_ｌｏｗノード２２と出力ノード２３を有する第１のスピントランジスタ２と、磁化方向が互いに相反する方向となるＶ_ｈｉｇｈノード３２と出力ノード３３を有する第２のスピントランジスタ３と、を直列に接続した回路を含む。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能な構造において、量産に適しなおかつ出力を向上することが可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ１は、チャンネル７中に第一領域、第二領域、及び、第三領域を有し、第一方向に延びる主チャンネル層７ａと、第一領域上に積層された第一強磁性層１２Ａと、第二領域上に積層された第二強磁性層１２Ｂと、主チャンネル層７ａにおける第一領域と第二領域との間の第三領域の側面から主チャンネル層７ａの厚み方向と垂直な方向に突出する突出チャンネル層７ｂと、突出チャンネル層７ｂの厚み方向の両側、及び、突出チャンネル層７ｂの第一方向の両側を覆い、かつ、突出チャンネル層７ｂの突出方向の端面７ｃを露出させる磁気シールドＳとを備える。 （もっと読む）

【課題】スピントランジスタを用いた論理演算を可能とする集積回路を提供する。
【解決手段】実施形態の集積回路１は、第１のチャネル長Ｌ_１を有する第１のスピントランジスタ２と、第１のチャネル長Ｌ_１とは異なる第２のチャネル長Ｌ_２を有する第２のスピントランジスタ３と、を直列に接続した回路を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、スピン波素子のスピン波の集積化が行えて、スピン波素子が発生するスピン波の相互干渉を抑制することができるスピン波素子を提供することができる。
【解決手段】 基板と、前記基板上に設けられた電極層と、前記電極層上に設けられ、磁化が積層方向又は積層方向に対して垂直方向に向いている第１の強磁性層を含む多層膜と、前記多層膜上の第1の領域に設けられた第２の強磁性層と、前記第２の強磁性層上に設けられた中間層と、前記中間層上に設けられた第３の強磁性層と、前記多層膜上の前記第1の領域と離間して設けられた前記多層膜上の第2の領域に設けられた検出部と、前記第３の強磁性層上に設けられた第１の電極と、前記検出部上に設けられた第２の電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】室温でのシリコンチャンネル層におけるスピンの注入を可能とするスピン注入電極構造、スピン伝導素子又はスピン伝導デバイスの提供。
【解決手段】スピン注入電極構造ＩＥは、シリコンチャンネル層１２と、シリコンチャンネル層１２の第一部分上に設けられた第一酸化マグネシウム膜１３Ａと、第一酸化マグネシウム膜１３Ａ上に設けられた第一強磁性層１４Ａと、を備える。第一酸化マグネシウム膜１３Ａには、シリコンチャンネル層１２及び第一強磁性層１４Ａの両方と格子整合している第一格子整合部分Ｐが部分的に存在している。 （もっと読む）

【課題】スピン偏極装置と他の素子の電気的な接続が、より容易に行えるようにする。
【解決手段】第１オーミック電極１０７の側の電界印加電極１０６の側面１０６ａと同一平面上で第２半導体層１０４に形成された第１側面１０４ａと、第２オーミック電極１０８の側の電界印加電極１０６の側面１０６ｂと同一平面上で第２半導体層１０４に形成された第２側面１０４ｂと、第１オーミック電極１０７の側の電界印加電極１０６の側面１０６ａと同一平面上で第３半導体層１０５に形成された第３側面１０５ａと、第２オーミック電極１０８の側の電界印加電極１０６の側面１０６ｂと同一平面上で第３半導体層１０５に形成された第４側面１０５ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】大気に曝した半導体層の表面上にトンネル絶縁膜を形成した場合であっても、半導体層にスピン偏極率の大きなキャリアを注入できるトンネル接合素子を提供すること。
【解決手段】半導体層１０の表面を大気に曝す工程と、前記半導体層１０の前記表面を還元性ガスに曝す工程と、前記表面を還元性ガスに曝す工程の後前記半導体層１０の前記表面を大気に曝すことなく、前記半導体層１０の前記表面上にトンネル絶縁膜１２を形成する工程と、前記トンネル絶縁膜１２上に強磁性体層１４を形成する工程と、を含むトンネル接合素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、高出力化の可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサー１は、半導体からなるチャンネル１１と、チャンネル１１を間に挟んで対向配置された第一絶縁膜２１及び金属体１３と、第一絶縁膜２１の上に設けられた強磁性体１２と、金属体１３に接続された第一参照電極３１と、金属体１３に接続された第二参照電極３２と、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル１１と磁気シールドＳ１との間に設けられた第二絶縁膜２２と、を備え、磁気シールドＳ１は、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スピン偏極装置と他の素子の電気的な接続が、より容易に行えるようにする
【解決手段】第３半導体層１０５の上に形成されて第２半導体層１０４に電界を印加する電界印加電極１０６と、基板１０１の平面方向に電界印加電極１０６を挟んで配置されて第２半導体層１０４に接続する第１オーミック電極１０７および第２オーミック電極１０８とを備える。また、第１オーミック電極１０７は、電界印加電極１０６との間の第２半導体層１０４に電界印加電極１０６による電界が印加されない領域が形成される範囲に電界印加電極１０６と離間して形成されている。また、第２半導体層１０４には、電界が印加されると、第２半導体層１０４の層厚方向の中央部に両脇より伝導帯端のポテンシャルが高い領域が形成される構成となっている。 （もっと読む）

【課題】 熱電変換素子及び熱電変換装置に関し、温度勾配から電力を取り出す際の設計自由度を高める。
【解決手段】 磁性誘電体からなる熱スピン波スピン流発生部材に逆スピンホール効果部材を設け、前記熱スピン波スピン流発生部材の厚さ方向に温度勾配を設けるとともに、磁場印加手段により前記逆スピンホール効果部材の長手方向と直交する方向且つ前記温度勾配と直交する方向に磁場を印加して前記逆スピンホール効果部材において熱スピン波スピン流を電圧に変換して取り出す。 （もっと読む）

【課題】外部磁場がチャンネルに侵入することに起因するノイズやエラーを抑制することが可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】スピン伝導素子１は、第一強磁性体１２Ａと、第二強磁性体１２Ｂと、第一強磁性体１２Ａから第二強磁性体１２Ｂまで延びるチャンネル７と、チャンネル７を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル７と磁気シールドＳ１との間に設けられた絶縁膜と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スピンＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域におけるＭＴＪの強磁性体に垂直磁化膜を用いても、隣接トランジスタへの漏れ磁界による影響を抑制し、シフト調整を可能にし、チャネル領域中のスピン緩和を抑制するスピンＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】下地層６５の上に設けられた磁化の向きが膜面に垂直でかつ不変な第１強磁性層７２と、第１強磁性層７２上に設けられたチャネルとなる半導体層７４と、半導体層７４上に設けられた、磁化の向きが膜面に垂直でかつ可変な第２強磁性層７８と、第２強磁性層７８上に設けられたトンネルバリア８０と、トンネルバリア８０上に設けられた、磁化の向きが膜面に垂直かつ不変で第１強磁性層７２の磁化の向きと反平行な磁化の向きを有する第３強磁性層８２と、半導体層７４の側面に設けられたゲート絶縁膜９０ａと、半導体層７４と反対側に位置するように設けられたゲート電極７６と、を備えている。 （もっと読む）

【解決課題】ナノ構造体を有する磁気及び電気エネルギーの相互変換素子を提供する。
【解決手段】ナノ構造体３０を、第１の硬質磁性層３４と第１の軟質磁性層３５と第２の硬質磁性層３６と第２の軟質磁性層３７と第３の硬質磁性層３８とを積層して構成する。第１及び第２の電極４０，４１と、中央電極４２と、ナノ構造体の第１電極と中央電極との間に磁壁を保持できる第１の磁壁保持部と、ナノ構造体の第２電極と中央電極との間に磁壁を保持できる第２の磁壁保持部と、を備える。第１の硬質磁性層に第１電極を接続し、第３の硬質磁性層に第２電極を接続し、第２の硬質磁性層に中央電極を接続し、第１及び第２の軟質磁性層は磁壁を保持する磁壁保持部とする。第１及び第２の磁壁保持部の磁気エネルギーはナノ構造体の両端部側の磁気エネルギーよりも小さく、第１の磁壁保持部の磁気エネルギーは第２の磁壁保持部の磁気エネルギーよりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】 伝搬効率に優れたスピン波素子を提供する。
【解決手段】 基板２０と、基板２０上に形成され、磁化が積層方向に向いている第１の強磁性層を含む多層膜３０と、多層膜３０上に形成され、第１の非磁性層７０を介して離間して形成された検出部５０及び複数の入力部４０と、を備え、第１の多層膜３０の積層方向から眺めたときに、第１の強磁性層の外縁の一部の形状が楕円の一部であり、入力部４０と検出部５０とを結ぶ直線が楕円の長軸と重なっており、楕円の一部は入力部４０側に存在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート長の短いスピントランジスタにおいてもスピンの回転制御性を維持し、漏れ電流を抑止するためのスピントランジスタを提供するものである。
【解決手段】強磁性体からなるソース及びドレインと、該ソース及び該ドレインと直接あるいはトンネル絶縁層を介して接合を成す半導体層と、該半導体層上に直接又はゲート絶縁体層を介して設けられ、対向して独立に半導体層の電位を制御する複数のゲート電極を備えることを特徴とするスピントランジスタ。 （もっと読む）