【課題】ＭＴＪ素子に適用して、抵抗変化率ｄＲ／Ｒを大きくできると共に面積抵抗ＲＡを小さくすることが可能なトンネルバリア層およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ピンド層２４上にＤＣスパッタリング法により厚み１．０〜１．３ｎｍの第１マグネシウム（Ｍｇ）層を形成したのち、この第１マグネシウム層をラジカル酸化により酸化して第１酸化マグネシウム（ＭｇＯ）層３１を形成する。更に、磁場中でアニールすることにより第１酸化マグネシウム層３１に（００１）結晶配向性を持たせる。続いて、この第１酸化マグネシウム層３１上に０．３〜０．５ｎｍの第２マグネシウム（Ｍｇ）層を形成したのち、この第２マグネシウム層を自然酸化させて第２酸化マグネシウム（ＭｇＯ）層３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上が図られた磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の磁性層１４、スペーサ層１６、およびイオン、プラズマ、または熱で処理される被処理層を有する第２の磁性層１８を順に形成する。第２の磁性層をイオン等で応力調整処理することで電流狭窄部での膜残留応力を低下させ、磁気抵抗効果素子の信頼性の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】 特に、積層フェリ構造を構成する非磁性中間層の膜厚を特に変更することなく、飽和磁界（Ｈｓ）、スピンフロップ磁界（Ｈｓｆ）及び及び反強磁性結合エネルギー（Ｊ_Ａ）を適切な範囲内に収めることができ、さらに耐熱性にも優れる磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 非磁性中間層４ｂは下からＲｕ層１１、Ｒｈ層１２、及びＲｕ層１３の順に積層形成されている。これにより、前記非磁性中間層４ｂの膜厚を特に変更することなく（従来から一般的に用いられている膜厚範囲内で調整しても）、飽和磁界（Ｈｓ）、スピンフロップ磁界（Ｈｓｆ）及び反強磁性結合エネルギー（Ｊ_Ａ）を、前記非磁性中間層４ｂをＲｈだけで形成した場合に比べて適度に弱めることが出来る。 （もっと読む）

【目的】 特に従来に比べてシード層の膜厚を薄くしても高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。
【構成】 シード層２４は、ＮｉＦｅＣｒ層２７上にＣｏ層２８を積層した構造で形成される。これにより前記シード層２４の膜厚Ｈ１を従来より薄くしてもシード効果が適切に発揮され、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることができる。前記シード層２４の膜厚を薄く出来ることで再生出力の向上を図ることができ、さらにシールド間隔を狭く出来るため線記録密度を向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子を含むメモリセルのサイズを縮小する。
【解決手段】磁気記憶装置の製造方法は、コンタクトプラグ１３および第１の絶縁層１１上に、磁気抵抗効果素子１０を形成する工程と、上部電極層１６上に、第１の方向に延在する第１のマスク層１８を形成する工程と、上部電極層１６を第１のマスク層１８を用いてエッチングする工程と、上部電極層１６および非磁性層１５上に保護膜２０を形成する工程と、保護膜２０上に第２のマスク層２１を形成する工程と、第２の方向に延在するように、第２のマスク層２１上にレジスト層２２を形成する工程と、第２のマスク層２１をレジスト層２２を用いてエッチングし、上部電極層１６の側部に側壁部２１Ａを形成する工程と、非磁性層１５および下部電極層１４を、第２のマスク層２１および側壁部２１Ａを用いてエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】メモリセルを微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を保ち、大容量化を実現する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、膜面に対して垂直方向に向く第１の磁化２２を有する固定層１２と、膜面に対して垂直方向に向く第２の磁化２１を有し、スピン偏極電子の作用により第２の磁化２１の方向が反転可能な記録層１１と、固定層１２と記録層１１との間に設けられ、固定層１２に対向する第１の面と記録層１１に対向する第２の面とを有する非磁性層１３とを具備し、記録層１１の飽和磁化Ｍｓは、書き込み電流密度をＪｗ、記録層１１の膜厚をｔ、定数をＡとするとき、０≦Ｍｓ＜√｛Ｊｗ／（６πＡｔ）｝の関係を満たし、Ａはｇ’×ｅ・α／（ｈ／２π×ｇ）、ｇ’はｇ係数、ｅは電気素量、αはギルバートのダンピング定数、ｈはプランク定数、gは第１及び第２の磁化２１，２２が平行に配列しているときのスピントランスファーの効率である。 （もっと読む）

【課題】高出力でかつ磁界を検知する感度が良好な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】第１例のＧＭＲ膜３０は、下地層３１、反強磁性層３２、固定磁化積層体３３、非磁性金属層３７、自由磁化層３８、保護層３９が順次積層された構成からなる。自由磁化層はＣｏＦｅＡｌからなり、ＣｏＦｅＡｌの組成を、三元系の組成図において、各組成の座標を（Ｃｏ含有量，Ｆｅ含有量，Ａｌ含有量）として表すと、点Ａ（５５，１０，３５）、点Ｂ（５０，１５，３５）、点Ｃ（５０，２０，３０）、点Ｄ（５５，２５，２０）、点Ｅ（６０，２５，１５）、点Ｆ（７０，１５，１５）として、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆ、および点Ａをこの順にそれぞれ直線で結んだ領域ＡＢＣＤＥＦＡ内の組成から選択する。 （もっと読む）

【課題】より高い信号検出感度を維持しつつ、エレクトロマイグレーションの発生を抑制することのできるスピンバルブ構造を提供する。
【解決手段】ピンド層２０は、フリー層２７の側から第１強磁性層１８と結合層１７と第２強磁性層１６とが順に積層されたシンセティック構造を有するものである。第２強磁性層１６は、面心立方構造を有するＣｏＦｅからなる第１および第２の強磁性膜１３，１５と、それらに挟まれた、Ｆｅ₅₀ Ｃｏ₅₀ やＦｅ₇₀ Ｃｏ₃₀ などからなる中間膜１４とを有する。第１および第２の強磁性膜１３，１５における他の層との界面は（１１１）面となっており、中間膜１４からの鉄原子やコバルト原子などの拡散が抑制される。 （もっと読む）

【課題】高速かつ消費電力が極めて小さい不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の強磁性膜３０４と、（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５と、強磁性膜３０６とを積層した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】種々の用途に使用できる導電制御デバイスを提供すること。
【解決手段】導電制御デバイスは、比較的大きい飽和保磁力を有する第１強磁性領域（６）と、比較的小さい飽和保磁力を有する第２強磁性領域（８）と、第１強磁性領域と第２強磁性領域との間に配置された接合領域（１１）とを備え、このデバイスは、更に接合領域内の電荷キャリア密度を制御するよう接合領域に電界を加えるためのゲート（３）も備える。 （もっと読む）

磁気素子を提供する方法及びシステムが開示される。この方法及びシステムは、第１及び第２のピン層、フリー層、並びに第１及び第２の各ピン層とフリー層との間の第１及び第２のバリア層を提供する。第１のバリア層は、絶縁体である結晶性ＭｇＯで、第１のバリア層を通過するトンネル現象を可能にするように構成されることが好ましい。さらに、第１のバリア層は、フリー層又は第１のピン層のような別の層とのインタフェースを有する。このインタフェースは、少なくとも５０パーセントの、好ましくは８０パーセントを超える、高スピン偏極を提供する構造を有する。第２のバリア層は絶縁体で、第２のバリア層を通過するトンネル現象を可能にするように構成される。磁気素子は、書き込み電流が磁気素子を通過する時にスピン伝送によりフリー層が切り換えられることを可能にするように構成される。
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磁気素子を提供するための方法及びシステムを開示する。本方法及びシステムには、固着層、自由層、及び固着層と自由層との間のスペーサ層を設ける段階を含む。スペーサ層は、絶縁性の層であり、また、規則的に配列された結晶構造を有する。また、スペーサ層は、スペーサ層をトンネル通過できるように構成される。一態様において、自由層には、スペーサ層に対して特定の結晶構造及び集合組織を有する単一の磁性層が含まれる。他の態様において、自由層には、２つの副層が含まれ、第１副層は、スペーサ層に対して特定の結晶構造及び集合組織を有し、第２副層は、より小さいモーメントを有する。更に他の態様において、本方法及びシステムは、更に、第２固着層、及び自由層と第２固着層との間に存在する非磁性の第２スペーサ層を設ける段階を含む。本磁気素子は、書き込み電流が磁気素子を通過する際、スピン転移により自由層を切り換えるように構成される。 （もっと読む）

単結晶ＭｇＯ（００１）基板１１を準備し、５０ｎｍ厚のエピタキシャルＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７をＭｇＯ（００１）シード層１５上に室温で成長し、次いで、超高真空（２×１０^−８Ｐａ）において、３５０℃でアニールを行う。２ｎｍ厚のＭｇＯ（００１）バリア層２１をＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７上に室温でエピタキシャル成長する。この際、ＭｇＯの電子ビーム蒸着を用いた。ＭｇＯ（００１）バリア層２１上に室温で、厚さ１０ｎｍのＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３を形成した。連続して、１０ｎｍ厚さのＣｏ層２１をＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３上に堆積した。Ｃｏ層２１は、上部電極２３の上部電極２３の保持力を高めることによって反平行磁化配置を実現するためのものである。次いで、上記の作成試料を微細加工してＦｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）ＴＭＲ素子を形成する。これによりＭＲＡＭの出力電圧値を高めることができる。 （もっと読む）