【課題】電界によって分極と磁化を誘起し、その強度と方向を制御できるメモリ素子を提供する。
【解決手段】メモリ素子において、マルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、上下の金属電極２，２′に電界を印加するように配置し、上下の金属電極２，２′間に誘起される電荷、磁化を利用する。データの書き込みは、特定の選択されたビット線４とワード線５の間に印加する電圧による電界で分極を発生させることにより実現する。データの読み出しは、保持されている電気分極に起因する電圧強度で０もしくは１を判定すればよい。データの消去は、そのメモリセル３へ印加する電圧の符号を先に印加した電圧と反転させ、一定の強度を与えればよい。一方、分極発生すると同時に磁化６が発生する。この磁化６は磁界７をメモリセル３の外部に及ぼす。このことからメモリセル３の情報に相応した磁界を発生し得るアクティブ型メモリ素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜空間に生成するプラズマに起因した薄膜へのダメージを抑制する成膜装置及び成膜方法を提供することである。
【解決手段】スパッタガスが供給された真空槽で基板Ｓを該基板Ｓの周方向に回転させながらターゲット２０に高周波電力を供給することによりターゲット表面２０Ｓをスパッタして基板Ｓの表面に薄膜を形成する成膜装置であって、ターゲット表面２０Ｓにおけるエロージョン領域がターゲット表面２０Ｓの法線に投影された領域である基板表面の投影領域ＳＰを覆うかたちで基板Ｓとターゲット２０との間に配置されて投影領域ＳＰに対してプラズマの入射を抑制する遮蔽リング３０を備えた。 （もっと読む）

【課題】スピントランスファートルク書き込み方式の不揮発性磁気メモリにおいて書き込み電流を増加させることなく、読み出しによる誤書込みを低減する。
【解決手段】強磁性記録層にフェリ磁性体を含むトンネル磁気抵抗効果素子をメモリセルに適用する。読み出し動作時には強磁性記録層のダンピング定数及び異方性磁界を大きくすることで読み出しによる誤書き込みを低減する。書き込み動作時には強磁性記録層のダンピング定数及び磁化を小さくすることで書き込み電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】 高い出力が得られるスピン蓄積型磁気センサ及びスピン蓄積型磁気検出装置を提供する。
【解決手段】 このスピン蓄積型磁気センサは、非磁性層２の第１領域上に設けられたピンド層５Ａと、非磁性層２の第２領域上に設けられたフリー層５Ｂとを備えている。非磁性層２とピンド層５Ａとの間に電流を供給し、非磁性層２とフリー層５Ｂとの間の電圧を測定する。非磁性層２はＣｕからなり、第１磁性層３Ａ及び第２磁性層３ＢはＣｏＦｅＢからなり、第１絶縁層４Ａ及び第２絶縁層４ＢはＭｇＯからなる。この構造の場合、出力電圧を飛躍的に増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリア層の膜厚を薄くすることなくトンネルバリア層の低抵抗化を図ることができ、所要のＭＲ比が得られるトンネル磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗デバイスを提供すること。
【解決手段】トンネルバリア層２７と、該トンネルバリア層２７を挟む配置に設けられた磁化固定層２６と磁化自由層２８とを備え、前記トンネルバリア層２７が、MgZnO層（Zn濃度が1at.%以上12.5at.%以下）からなり、該MgZnO層が岩塩型(001)方向に結晶配向して形成されている。 （もっと読む）

【課題】記録密度の増大にともない、ＴＭＲセンサの面積抵抗ＲＡの低減が必要になっている。ＲＡを1.0Ωμm²以下に小さくすると、固定層から自由層にはたらく層間結合磁界Hintが増大し、自由層の自由な磁化回転が妨げられ、再生信号に悪影響を与える。本発明は、センサの面積抵抗ＲＡが小さくなっても、小さな層間結合磁界Hintと高いＭＲ変化率のＴＭＲヘッドを提供する。
【解決手段】Ｔａ下地層上に、ＮｉＦｅ結晶配向調整層をアルゴンと窒素ガスを用いたスパッタリングを用いて（００１）面配向して成膜する。その上にＭｎＩｒ反強磁性層を成膜すると非最稠密面（００１）面配向して結晶成長する。非最稠密面配向したＭｎＩｒは、表面凹凸が顕著に低減する。その上に積層される固定層および絶縁障壁層の界面の凹凸も同様に低減する。これによって層間結合磁界Hintが低減する。 （もっと読む）

【課題】巨大磁気抵抗材料薄膜を製造する際に、生産性よく良質な結晶性を有する巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜することを可能にする。
【解決手段】対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。第１の段階で良質なエピタキシャル薄膜を成膜でき、の後の段階で、成膜速度を大きくして生産性を高めた状態で良質の高結晶性薄膜を成膜できる。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリア層の膜厚を薄くすることなく低抵抗化を図ることができ、所要のＭＲ比が得られるトンネル磁気抵抗素子及びこれを用いた磁気ヘッド並びに磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】トンネルバリア層２７と、該トンネルバリア層２７を挟む配置に設けられた磁化固定層２６と磁化自由層２８とを備え、前記トンネルバリア層２７が、MgO/ZnO/Mgの三層構造からなる。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリア層の膜厚を薄くすることなく低抵抗化を図ることができ、所要のＭＲ比が得られるトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】トンネルバリア層２７と、該トンネルバリア層２７を挟む配置に設けられた磁化固定層２６と磁化自由層２８とを備え、前記トンネルバリア層２７が、MgO/Mg/MgZnOの三層構造からなる。前記トンネルバリア層２７におけるMg層の厚さは、0.5〜2.0Åである。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリア層の膜厚を薄くすることなく低抵抗化を図ることができ、所要のＭＲ比が得られるトンネル磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気抵抗デバイスを提供する。
【解決手段】トンネルバリア層２７と、該トンネルバリア層２７を挟む配置に設けられた磁化固定層２６と磁化自由層２８とを備え、前記トンネルバリア層２７が、二元系岩塩型酸化物からなる絶縁層によって形成され、該絶縁層の酸素濃度が、前記二元系岩塩型酸化物の化学量論組成よりも低く設定されている。 （もっと読む）

【課題】狭リードギャップ長化を図り、所要の特性を備える磁気抵抗効果膜及びトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】スペーサ層２７と、硬磁性層２３と、磁化自由層２８とを備える磁気抵抗効果膜であって、前記硬磁性層２３が、m-D0₁₉型CoPt規則合金相、またはL1₁型CoPt規則合金相として形成され、該硬磁性層２３の磁化容易軸方向が硬磁性層の面内に向いている。 （もっと読む）

【課題】特性劣化が小さい半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子は、基板上に形成されたメサ構造を有する化合物半導体膜１と、化合物半導体膜１上に形成された短絡電極２と、外部との電気的接続を行うための取り出し電極３とを備える。短絡電極２および取り出し電極３は、化合物半導体膜１のメサ部分に接合する。取り出し電極３と化合物半導体膜１のメサ構造の長辺端部との接合面は、（１１１）面、（１−１−１）面、（−１１−１）面、および（−１−１１）面に平行な面のうち、少なくとも１つの面に対して−１５°〜＋１５°の範囲であり、（１１−１）面、（１−１１）面、（−１１１）面、および（−１−１−１）面に平行な面に対して−１５°〜＋１５°の範囲では、接合部が無いように形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 読出し時に熱的に安定で、かつ書き込み時の電流を低減した、スピントルク磁化反転応用の磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】 強磁性体からなる固定層、非磁性障壁層、強磁性体からなる記録層、記録層と磁気的に結合した強磁性体からなる強磁性付加層が順次積層されたメモリ素子を備え、前記記録層の磁化方向と前記固定層の磁化方向が、略平行か、略反平行かによって情報の検出を行い、さらに前記記録層の磁化の方向を、前記記録層の膜面に垂直な方向に通電するスピン偏極した電流でスイッチングする磁気メモリにおいて、前記強磁性付加層の磁化方向が前記記録層と略平行とし、前記強磁性付加層の磁化の大きさが、150℃から２５０℃の温度範囲で消失する材料で、前記強磁性付加層を構成する。 （もっと読む）

【課題】高いバリア品質と高いＭＲ比を両立させることを可能とする磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１は、絶縁層１７と非磁性層１９との間に、自由磁性層１８を備える磁気抵抗効果素子であって、絶縁層１７は、岩塩型結晶構造を有する金属酸化物を用いて形成され、自由磁性層１８は、構成元素の一つにホウ素を含む材料を用いて形成され、非磁性層１９は、タンタルと比較して、自由磁性層１８中のホウ素が相対的に拡散し易い材料を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリア層の厚さを薄くした場合であっても、所要のMR比が得られるトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法、トンネル磁気抵抗効果膜、及びこれを用いた磁気ヘッド及び磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】トンネルバリア層と、該トンネルバリア層を挟む配置に設けられた磁化固定層と磁化自由層とを備えるトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法において、前記トンネルバリア層を形成する工程として、ダイレクトスパッタリング法によりMgO層を形成する工程と、該MgO層を形成した後、大気開放することなく真空中においてMgO層を加熱する熱処理工程と、該熱処理工程後、前記MgO層上に、Mg層を２Å以下の膜厚に形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】記憶層にかかる漏れ磁界を可及的に低減することを可能にする。
【解決手段】膜面に垂直方向の磁気異方性を有する強磁性層１０と、強磁性層上に設けられた第１の非磁性層８と、第１の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有するとともに前記強磁性層の磁化の向きと反平行の磁化を有し、かつ強磁性層の積層方向の膜厚の１／２．８以上１／１．５以下の膜厚を有する参照層６と、参照層上に設けられた第２の非磁性層８と、第２の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向の磁気異方性を有しスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する記憶層２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 ホイスラー合金が形成される下地層の選択自由度が高く、熱処理温度及び熱処理回数を低減し、ホイスラー合金の高いスピン偏極率を活用できる積層体を提供する。
【解決手段】 ＭｇＯ層３と接触するように、結晶質のホイスラー合金層１が配置されている。ホイスラー合金層１のＭｇＯ層３に対して反対の面側には、非晶質のホイスラー合金層４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】化学量論における構成比が最適で、かつ結晶性の高いトンネルバリア層を作成し、磁気抵抗素子のＭＲ比を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】磁化固定層（ＣｏＦｅＢ）を成膜する工程と、非磁性中間層（ＭｇＯ）を成膜する工程と、磁化自由層（ＣｏＦｅＢ）を成膜する工程とを有する。非磁性中間層（ＭｇＯ）を成膜する工程は、酸化マグネシウムターゲットを０．０４００Ｐａ以上２６．６６Ｐａ以下の処理ガス圧力下で高周波スパッタすることにより、化学論量の酸化マグネシウム膜を成膜する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の絶縁性を保ちつつ導電部の導電性を向上し、ＭＲ変化率の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、前記第１、第２磁性層の間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する導電部とを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、スペーサ層の母材となる膜を形成する第１工程と、前記膜に、酸素分子、酸素イオン、酸素プラズマ及び酸素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第１処理を施す第２工程と、前記第１処理が施された前記膜に、窒素分子、窒素原子、窒素イオン、窒素プラズマ及び窒素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第２処理を施す第３工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】記録層が磁化反転する際の反転電流を低減することを可能にする。
【解決手段】電圧を印加することによって格子が伸縮する圧電層１１と、圧電層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有しスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する記録層１２と、記録層上に設けられた第１の非磁性層１３と、第１の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する参照層１４と、を備え、記録層は、読み出し時の電圧印加時での熱擾乱耐性が書き込み時の電圧印加時での熱擾乱耐性よりも大きい。 （もっと読む）