【課題】ＭＲ比を低減することなく、ＡＦＭ層とＡＰ２ピンド層との間のＨｅｘ／Ｈｃ比を増加させることができ、ＡＰ２層の磁化を一定方向に安定して保持することのできる交換結合膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】ＡＦＭ層１２とピンド層１７を構成するＡＰ２層１４との間に交換結合膜１３を設ける。この交換結合膜１３は、Ｃｏ，ＦｅおよびＮｉからなる群から選択された少なくとも１種の元素と、Ｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種のアモルファス性の元素とを含むアモルファス磁性層、またはＣｕ，Ｒｕ，Ｍｎ，ＨｆおよびＣｒからなる群から選択された元素を含む非磁性層である。具体的には、ＣｏＦｅＢ，ＣｏＦｅＺｒ，ＣｏＦｅＮｂ，ＣｏＦｅＨｆ，ＣｏＦｅＮｉＺｒ，ＣｏＦｅＮｉＨｆ，またはＣｏＦｅＮｉＮｂＺｒにより構成される。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を実現できる磁気抵抗効果素子などの磁性多層膜通電素子を提供する。
【解決手段】第１の開口部を有する第１の絶縁層、第２の開口部を有する第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の間に位置した導電体を含み、前記第２の絶縁層の、前記第２の開口部及び前記第１の絶縁層間の距離Ａが、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層間の最近接距離Ｂよりも大きくなっており、バレル形状を呈する少なくとも１つの薄膜構造体を、第１の磁性層、第２の磁性層、及び前記第１および第２の磁性層間に形成されたスペーサ層の少なくとも一部に配置する。 （もっと読む）

【課題】 熱安定性にすぐれ、ＭＲ比の高い磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】 磁気抵抗素子は、マンガンを有する層で形成した反強磁性層と、反強磁性層側に位置し、強磁性体及び白金族系金属を有する層で形成した第一磁化固定層、強磁性体を有する層で形成した第二磁化固定層及び該第一磁化固定層と該第二磁化固定層との間に位置する第一非磁性中間層を有する積層磁化固定層と、強磁性体を有する層で形成した磁化自由層と、積層磁化固定層と前記磁化自由層との間に位置する第二非磁性中間層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の磁化自由層の磁歪定数の大きさを、高ＭＲを保ったまま安定的に小さくする。
【解決手段】磁歪定数が正の強磁性層と磁歪定数が負の強磁性層とを非磁性層を介して適切な大きさで強磁性結合させることにより、それらの磁歪定数がキャンセルして全体の磁歪定数がゼロとなるように磁化自由層を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏ、Ｒｕなどの希少金属を用いることなく、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体、垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁気メモリセルを提供すること。
【解決手段】第１磁性層と第２磁性層とが非磁性層を介して、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体ならびに垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁気メモリセルであって、第１磁性層がスピネル型または逆スピネル型のイオン結晶構造をもつ酸化物からなり、第２磁性層が単体で強磁性を有する金属または単体で強磁性を有する金属を含む合金からなり、前記非磁性層がバンドギャップ３ｅＶから８ｅＶの絶縁物からなる。 （もっと読む）

【課題】 特に、絶縁層とハードバイアス層間の下地構成を改良して、再生特性の安定化を図るとともに、高記録密度化に適した磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 気抵抗効果を発揮する素子部Ｔ１と、前記素子部Ｔ１のトラック幅方向の両側に位置し、下から絶縁層２３、Ｔａ下地層２４、配向制御層２６、、ハードバイアス層２７及び保護層２８の順に積層された両側部２２とを有する。前記配向制御層２６は、Ｃｒ_{１００−Ｘ}Ｔｉ_Ｘ（ただしＴｉ組成比Ｘは０ａｔ％以上で１３ａｔ％以下）で形成される。これにより、従来に比べて、ポップコーンノイズ発生率を低減でき、再生特性の安定化を図ることができるともに、ＳＮ比を向上でき高記録密度化に適した磁気検出素子の構造とすることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏ、Ｒｕなどの希少金属を用いることなく、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体、垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁気メモリセルを提供すること。
【解決手段】第１磁性層と第２磁性層とが非磁性層を介さず、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体磁気記録媒体ならびに垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁気メモリセルであって、第１磁性層がスピネル型または逆スピネル型のイオン結晶構造をもつ酸化物からなり、第２磁性層が単体で強磁性を有する金属または、単体で強磁性を有する金属を含む合金からなる。 （もっと読む）

【課題】メモリセルを微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を保ち、大容量化を実現する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、スピン偏極したスピン偏極電子を磁性体に流すことで情報が記録される磁気抵抗効果素子であって、磁性材料からなり、膜面に対して垂直方向に向く第１の磁化を有する固定層１２と、磁性材料からなり、膜面に対して垂直方向に向く第２の磁化を有し、スピン偏極電子の作用により第２の磁化の方向が反転可能な記録層１１と、固定層と記録層との間に設けられ、固定層に対向する第１の面と記録層に対向する第２の面とを有する非磁性層ＴＢと、非磁性層の第１の面と固定層との間に設けられ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち１つ以上の元素を含む第１の磁性金属層１８と、非磁性層の第２の面と記録層との間に設けられ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち１つ以上の元素を含む第２の磁性金属層１９とを具備し、第２の磁性金属層の膜厚は、第１の磁性金属層の膜厚より薄い。 （もっと読む）

【課題】 フリー磁性層の両側に位置するハードバイアス層のＰｔ量を組成変調させて、フリー磁性層に対してバイアス磁界を効率良く印加できるようにした磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ハードバイアス層２６はＣｏＰｔ、あるいは、ＣｏＰｔＣｒの単層構造で形成されている。前記ハードバイアス層２６には、素子部３０のトラック幅方向の側面近傍にＰｔ量が少ない低Ｐｔ領域２６ａ１と、低Ｐｔ領域２６ａ１の外側に前記低Ｐｔ領域２６ａ１に比べてＰｔ量が多い高Ｐｔ領域２６ｂ１が形成されている。したがって、フリー磁性層５の側面近傍でのＭｒ×ｔ（ｔは膜厚）を大きくできる。その結果、フリー磁性層５へのバイアス磁界の印加効率を高めることができる。また保磁力Ｈｃが大きい高Ｐｔ領域２６ｂ１を備えることで、ハードバイアス層２６自体の磁化安定性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】
抵抗変化率が高く、かつフリー磁性層の磁歪が小さいトンネル型磁気検出素子を得る。
【解決手段】
下から、磁化方向が一方向に固定される固定磁性層、絶縁障壁層、及び外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層の順で積層されるトンネル型磁気検出素子において、前記フリー磁性層上に白金族元素からなる第１保護層およびＴｉからなる第２保護層が形成される。これにより、保護層をＴａで形成した従来のトンネル型磁気検出素子に比べて、高い抵抗変化率が得られ、かつフリー磁性層の磁歪が低減できる。 （もっと読む）

【課題】 特に、両側積層部の構造を改良して、前記両側積層部の膜厚を従来より薄くするためにハードバイアス層の膜厚を薄くしても、高保磁力を維持しつつＭｒ×ｔを従来と同等以上に出来る磁気検出素子を提供する。
【解決手段】 ハードバイアス層２６下にはバイアス下地層２９が形成され、前記ハードバイアス層２６上には前記ハードバイアス層２６よりも飽和磁化Ｍｓが大きい高Ｍｓ磁性層２７が形成され、前記高Ｍｓ磁性層２７上には非磁性の保護層２８を介して上部シールド層３１が形成されている。これにより両側積層部２２のトータル厚ｔ１を薄くするために、ハードバイアス層２６の膜厚ｔ２を薄くしても、従来と同等以上のＭｒ×ｔを確保できる。また前記ハードバイアス層２６の配向性を維持させることができ、保磁力Ｈｃもハードバイアス層２６として十分使用可能な高い値を確保できる。 （もっと読む）

【課題】 特に、フリー磁性層の磁化の安定性を向上させて、アシンメトリーを小さくでき、ノイズを低減できる等、再生特性の安定性を向上させることが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 素子部Ａの両側に下から残留磁化Ｍｒが大きい第１ハードバイアス層２６及び保磁力Ｈｃが大きい第２ハードバイアス層２７の順に積層され、第１ハードバイアス層２６の先端部２６ａはフリー磁性層５の両側に近接配置されている。また第１ハードバイアス層２６のハードバイアス層３２中に占める膜厚比は３５％〜７５％である。これによってフリー磁性層５の磁化の安定化を図ることができ、よってアシンメトリーを小さくでき、ノイズを低減できる等、再生特性の安定性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】強磁性層と該強磁性層上のバリア層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】強磁性層の上に、酸化マグネシウムターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリングにより、（００１）面が配向した酸化マグネシウム層を前記バリア層として成膜する。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリアの絶縁破壊寿命と磁気抵抗比を向上させる。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、基板の上方に形成された第１の強磁性層１０２と、前記第１の強磁性層の上方に形成された第２の強磁性層１０４と、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に設けられ、金属酸化物で形成された絶縁層２０７と、前記絶縁層と前記第２の強磁性層との間に設けられ、前記絶縁層の前記第２の強磁性層側の面に接し、前記金属酸化物を構成する金属元素と同じ金属元素を含有する非磁性金属層２０８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】磁化反転に必要な書き込み電流をより低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、磁化の方向が固定された固定層１１と、膜面に垂直方向への通電により磁化の方向が変化可能な自由層１３と、膜面に垂直方向への通電により磁化の方向が変化可能であり、かつ自由層１３の磁化の方向の変化をアシストするアシスト層１５と、固定層１１と自由層１３との間に設けられ、かつ非磁性体からなる中間層１２と、自由層１３とアシスト層１５との間に設けられ、かつ非磁性体からなる中間層１４とを具備する。そして、アシスト層１５の磁化反転のためのエネルギー障壁は、自由層１３の磁化反転のためのエネルギー障壁よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＰ−ＣＰＰ素子のＭＲ変化率を向上させる。
【解決手段】磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記磁化固着層と対向するようにして形成され、磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に位置し、絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層と具える磁気抵抗効果素子において、前記磁化固着層及び前記磁化自由層の少なくとも一方の層中又は層表面に、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂ、Ａｌを含む機能層を設ける。 （もっと読む）

【課題】スピンＦＥＴ／スピンメモリの低消費電力と高信頼性を実現する。
【解決手段】本発明の例に係るスピンＦＥＴは、第１ソース／ドレイン領域11a-1上に配置され、磁化方向が膜面に対して垂直方向となる上方向又は下方向に固定される第１強磁性膜12と、第２ソース／ドレイン領域11a-2上に配置され、磁化方向が上方向又は下方向に変化する第２強磁性膜13と、第２強磁性膜13上に配置される反強磁性強誘電膜15と、第１ソース／ドレイン領域11a-1と第１強磁性膜12との間及び第２ソース／ドレイン領域11a-2と第２強磁性膜13との間の少なくとも１つに配置されるトンネルバリア膜20,21とを備える。反強磁性強誘電膜15の抵抗は、第１及び第２ソース／ドレイン領域11a-1, 11a-2がチャネル領域11cを介して導通したときのオン抵抗よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 特に、ヘッドノイズを低減し、且つ、ハードバイアス層の磁気的特性を安定に保つことが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 気抵抗効果を発揮する素子部Ｔ１と、前記素子部Ｔ１のトラック幅方向の両側に位置し、下からＴａ下地層２４、アモルファス遮断層２５、配向制御層２６、及びハードバイアス層２７の順に積層された両側部２２とを有する。これにより前記ハードバイアス層２７の保磁力Ｈｃを増大させることができる。前記両側部２２を上記の積層構造とすることで、ヘッドノイズを低減し、且つ、ハードバイアス層２７の磁気的特性を安定に保つことが可能である。 （もっと読む）

【課題】高MR比で高S/N比を得ることができるとともに、出力変動を抑えた新規な構成の再生素子を提供する。
【解決手段】磁化固着層、磁化自由層、及び前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含む複合スペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁化自由層を安定化させるためのバイアス機構と、再生分解能を確保するためのシールド機構と、前記磁気抵抗効果素子の面内垂直方向に通電するための上下電極とを具える垂直通電型再生素子において、面積抵抗（RA：単位 Ω×μｍ²）が前記磁気抵抗効果素子のトラック幅（TW：単位nm）とギャップ長さ（GAP：単位nm）に対して0.00062×√(GAP)×TW+0.06以下、又は面積抵抗（RA：単位Ω×μｍ²）が、使用する線記録密度(kBPI：単位 kBPI)と前記磁気抵抗効果素子のトラック幅（TW：単位nm）に対して0.14×TW(nm)/√(kBPI)+0.06 以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】セルの微細化を図りつつ、書き込み電流を低減する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、第１の方向に延在されたビット線ＢＬと、第１の方向と異なる第２の方向に延在されたワード線ＷＬ２と、磁化方向が固定された固定層と磁化方向が反転可能な記録層と固定層及び記録層の間に設けられた非磁性層とを備え、固定層及び記録層の磁化方向は膜面に対して垂直方向である磁気抵抗効果素子ＭＴＪ１と、磁気抵抗効果素子に接するヒーター層ＨＴ１を有し、ビット線に接続され、ワード線と絶縁されてワード線の側面側に配置されたメモリ素子ＭＣ１とを具備する。 （もっと読む）