【課題】高耐圧／低オン抵抗の窒化物系半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体装置は、窒化物系半導体から実質的になる第１半導体層１と、第１半導体層上に配設されたノンドープ若しくは第１導電型の窒化物系半導体から実質的になる第２半導体層２と、を有する。第１及び第２半導体層はヘテロ界面を形成する。第２半導体層上にゲート電極１１が配設される。ゲート電極を間に挟むように第２半導体層の表面内に第１及び第２トレンチ３、４が形成される。第１及び第２トレンチの表面内に、第１及び第２半導体層よりも低抵抗の拡散層から実質的になる第１導電型の第３及び第４半導体層５、６が形成される。第３及び４半導体層にソース電極１５及びドレイン電極１６が電気的に接続される。 （もっと読む）

Ｔ字型ゲート（１０）を有する電界効果トランジスタにおいて、ゲートはネック部（１６）と該ネック部から張り出したＴバー部（１８）とを有し、ネック部（１６）は複数の相隔てられたピラー（２０）を有する。ネック部を複数の相隔てられたピラーから形成することにより、ゲートとチャネルとの接触面積すなわち“実効ゲート幅”が狭くされる一方で、Ｔバー部（１８）がピラー（２０）を橋渡しすることによりゲートを通じての電気的な連続性を確保している。これにより入力ゲート容量が低減され、向上されたデバイス性能を備えたＦＥＴがもたらされる。
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【課題】
【解決手段】基板と垂直な縦壁を備えた柱部を有するＨＥＭＴ型装置。柱部はＧａＮ等の絶縁性半導体材料からなる。柱部の側面上には、柱部の絶縁性材料のそれより大きいバンドギャップを有するＡｌＧａＮ等の半導体材料からなるバリア層が配置される。電子流は２つの材料の界面の狭いチャネルに制限される。適当なソース、ドレイン及びゲートコンタクトがＨＥＭＴの動作のため含まれる。 （もっと読む）

【課題】通常の紫外線露光により形成したゲート電極開口を厚肉化して開口寸法を縮小することにより、微細なゲート電極を効率的に製造可能な半導体装置の製造方法等の提供。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ゲート電極形成対象面上に、紫外線レジスト層２を少なくとも１層含むゲート電極開口形成用層を形成し、該ゲート電極開口形成用層にゲート電極開口１０ａを形成するゲート電極開口形成工程と、前記ゲート電極開口形成用層上に、ゲート電極におけるオーバーゲート部を形成するためのオーバーゲート形成用層３，４を形成するオーバーゲート形成用層形成工程と、前記ゲート電極開口の開口径を縮小させるゲート電極開口縮小工程と、前記ゲート電極開口にゲート電極３０を形成するゲート電極形成工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の半導体装置では、ゲート領域から注入された自由キャリア（正孔）がソース領域に取り込まれ、所望のｈＦＥを得られ難いという問題があった。
【解決手段】 本発明の半導体装置では、ソース領域６と同電位となる固定電位絶縁電極１１とゲート領域７と同電位となる可変電位絶縁電極９とを有する。そして、固定電位絶縁電極１１を介してチャネル領域１２を空乏層で満たし、ＯＮ動作、ＯＦＦ動作状態を成す。一方、可変電位絶縁電極を利用し、自由キャリア（正孔）のポテンシャルエネルギーを積極的に可変することで、所望のｈＦＥやスイッチング特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 簡単な方法によりゲート電極を斜めに傾け、ゲート長を短縮することができる半導体素子の製造方法を得る。
【解決手段】 まず、半導体基板１１上にゲート電極１５を形成する。次に、半導体基板上にゲート電極の一方の側面のみに接触するようにレジスト１６を形成する。そして、レジストを収縮又は膨張させることによりゲート電極を傾ける。ここで、ゲート電極の断面形状をΓ型、Ｔ型又はＹ型とするのが好ましい。また、ゲート電極をソース側へ傾けるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 従来よりもオン電流値を上昇させ、精度の高い回路動作を行なえるようにした、優れた電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 ゲート絶縁部２に、強誘電体物質を含有するコア部と、常誘電体物質を含有するシェル部とからなるコア・シェル構造粒子を含有させる。 （もっと読む）

トランジスタ製作は、基板上に窒化物ベースのチャネル層を形成すること、窒化物ベースのチャネル層上に障壁層を形成すること、窒化物ベースのチャネル層のコンタクト領域を露出させるように障壁層にコンタクト凹部を形成すること、例えば、低温堆積プロセスを使用して、窒化物ベースのチャネル層の露出されたコンタクト領域上にコンタクト層を形成すること、コンタクト層上にオーミックコンタクトを形成すること、及びオーミックコンタクトに隣接した障壁層上に配置されたゲートコンタクトを形成すること、を含んでいる。また、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）及びＨＥＭＴの製作方法が提供される。ＨＥＭＴは、基板上の窒化物ベースのチャネル層と、窒化物ベースのチャネル層上の障壁層と、チャネル層の中まで延びる、障壁層のコンタクト凹部と、コンタクト凹部の中の窒化物ベースのチャネル層上の窒化物ベースのｎ型半導体材料のコンタクト領域と、窒化物ベースのコンタクト領域上のオーミックコンタクトと、このオーミックコンタクトに隣接した障壁層上に配置されたゲートコンタクトと、を含んでいる。窒化物ベースのｎ型半導体材料のコンタクト領域及び窒化物ベースのチャネル層は、表面積拡大構造を含んでいる。
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ソース電極およびドレイン電極が半導体層に接触した、基板上の複数の活性半導体層を備えるトランジスタ。ゲートが、ソース電極とドレイン電極との間に、複数の半導体層上に形成される。複数のフィールドプレートが、半導体層上に配置され、各フィールドプレートは、ゲートのエッジからドレイン電極に向かって延び、また各フィールドプレートは、前記半導体層から、また他のフィールドプレートから分離される。最上部のフィールドプレートは、ソース電極に電気的に接続され、他のフィールドプレートは、ゲートまたはソース電極に電気的に接続される。
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本発明は、第２の導電型基板（１０）内の第１の導電型の第１のウエル（１１）と、前記第１のウエル内のそれぞれ第１の導電型からなるソース（１４）及びドレイン（１５）と、第２の導電型からなる第２のウエル（１２）内に配設されている第２の導電型のゲート（１６）とを有している高圧接合型電界効果トランジスタに関しており、前記第２のウエルは逆行性のタイプからなり、さらにソース、ゲート、ドレインの素子がフィールド酸化膜領域（１３ａ〜１３ｄ）によって相互に離間されていることを特徴としている。またゲート（１６）からソース及びドレイン領域の方向にフィールドプレート（１７ａ，１７ｂ）がフィールド酸化膜（１３ａ，１３ｂ）の上方で延在している。
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高出力高周波数半導体デバイスは、並列に接続された複数のユニットセルを有する。これらのユニットセルは各々、制御電極と、第１及び第２の被制御電極とを有する。熱スペーサ（すなわち、電気的に不活性な領域）が、これらのユニットセルのうち少なくとも１つを第１の活性部分及び第２の活性部分に分割し、第２の活性部分は、この熱スペーサにより第１の部分から離隔される。ユニットセルの制御電極ならびに第１及び第２の被制御電極は、第１の熱スペーサを横切っている。

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