【課題】高耐圧でスイッチングスピードに優れ高い高周波特性を有するノーマリオフ型のＨＥＭＴを提供すること。
【解決手段】第１のバンドギャップを有する第１の窒化物半導体層と前記第１のバンドギャップよりも大きい第２のバンドギャップを有する第２の窒化物半導体層とを備える主半導体領域と、前記主半導体領域上に形成されるソース電極５と、前記主半導体領域上において前記ソース電極と離間して形成されるドレイン電極６と、前記第１の窒化物半導体層上において前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成される第３の窒化物半導体層と、前記第３の窒化物半導体層上に形成され且つｐ型の導電性を有する第４の窒化物半導体層と、前記第４の窒化物半導体層上に形成されるゲート電極７と、を備え、前記第３の窒化物半導体層が前記第１のバンドギャップよりも小さい第３のバンドギャップを有することを特徴とする窒化物半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜におけるリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、基板上１０にＧａＮ系半導体層１５を形成する工程と、ＧａＮ系半導体層上１５に、ＴＭＡと、Ｏ_２またはＯ_３とを用い、酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜１８をＡＬＤ法により形成する工程と、ゲート絶縁膜１８の上にゲート電極２４を形成する工程と、を含む。本半導体装置の製造方法によれば、ゲート絶縁膜中のリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体電界効果トランジスタの高集積化及び高電力化を図る。
【解決手段】角柱状又は角錐台状の、オン状態のときに軸方向に電流が流れる半導体部４３と、半導体部の周囲に、第１絶縁層５０、制御電極層６０及び第２絶縁層７２が、半導体部の軸方向に沿って順に積層された周辺部とを備える。半導体部が、角柱状又は角錐台状の電子走行部４４と、電子走行部の側面４４ｃ上に形成された電子供給部４６とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】高耐圧でスイッチングスピードに優れ高い高周波特性を有するノーマリオフ型のＨＥＭＴを提供すること。
【解決手段】第１のバンドギャップを有する第１の窒化物半導体層２と前記第１のバンドギャップよりも大きい第２のバンドギャップを有し前記第１の窒化物半導体層上とヘテロ接合される第２の窒化物半導体層３とを備える主半導体領域と、前記主半導体領域上に形成されるソース電極５と、前記主半導体領域上において前記ソース電極５と離間して形成されるドレイン電極６と、前記第１の窒化物半導体層上において前記ソース電極５と前記ドレイン電極６との間に形成される第３の窒化物半導体層１０と、前記第３の窒化物半導体層１０上に形成されるゲート電極７とを備え、前記第３の窒化物半導体層１０が前記第１のバンドギャップよりも小さい第３のバンドギャップを有することを特徴とする窒化物半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ特性が実現され、飽和電流値低下が生じず、ゲート電圧に対するドレイン・ソース間電流特性が良好なＨＥＭＴを実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１半導体層１３１と、第１半導体層１３１の主面１３５上に積層され、第１半導体層１３１の主面１３５側に２ＤＥＧ層１３７を生じさせる第２半導体層１３３と、第１半導体層１３１及び第２半導体層１３３と比して電子親和力χが大きい半導体材料からなり、２ＤＥＧ層１３７と電気的に接続された第３半導体層１３９と、第２半導体層１３３及び第３半導体層１３９上に設けられた絶縁膜１５７と、第３半導体層１３９にオーミック接続される第１電極１５１と、第２半導体層１３３及び第３半導体層１３９上に絶縁膜１５７を介して設けられた第２電極１５３と、第１電極１５１との間に第２電極１５３を介在させ、２ＤＥＧ層１３７と電気的に接続された第３電極１５５とを備える。 （もっと読む）

【課題】高電圧下でも使用でき、動作の制御性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１と、基板１０１の上方に設けられた半導体からなる発光部１５０と、基板１０１の上方に設けられ、発光部１５０から放射される光を受け、半導体からなる電気伝導層と、電気伝導層に接続された第１の電極１１０及び第２の電極１１１とを備えている。発光部１５０から放射された光を電気伝導層１０８が受光することにより、電気伝導層１０８を構成する第１の窒化物半導体層１０８と第２の窒化物半導体層１０９の界面を介して第１の電極と第２の電極との間を流れる電流が、オンまたはオフの状態をとる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＲＦデバイスの低抵抗化による高効率化と信頼性の向上を図ることが可能な化合物半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板に形成されたメサ２２と、メサ２２の壁面に形成された曲率表面を有する側壁１６と、メサ２２上に形成されるゲート電極と、ゲート電極と一体化され、側壁１６の表面に形成されるゲートメタル１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電極の断線が生じても動作可能であり、かつ大電力で動作することが可能な、小型の半導体装置を提供する。
【解決手段】セル１６０は、六角形の素子形成領域を画定する開口部を形成するように形成されたソース電極１８２と、素子形成領域に、ソース電極１８２と一定距離を隔てて帯状に形成されたドレイン電極１８０と、ソース電極１８２とドレイン電極１８０との双方から所定の距離を隔てて形成されたゲート電極１８４とを含む。ゲート電極１８４の各辺の中央部分からソース電極１８２に重畳するようにゲート引出電極１８６を形成し、ゲート引出電極１８６とソース電極１８２との間には絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

常時オフ半導体デバイスが提供される。ＩＩＩ族窒化物バッファ層が提供される。ＩＩＩ族窒化物バリア層がＩＩＩ族窒化物バッファ層上に設けられる。非伝導性スペーサ層がＩＩＩ族窒化物バリア層上に設けられる。ＩＩＩ族窒化物バリア層およびスペーサ層がエッチングされてトレンチを形成する。トレンチはバリア層を貫いて延びてバッファ層の一部を露出させる。誘電体層がスペーサ層上およびトレンチ内に形成され、ゲート電極が誘電体層上に形成される。半導体デバイスの形成に関連する方法も提供される。
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【課題】ゲート電極破壊が起こらず、高電圧で安定して動作し、かつリーク電流を低減することができるヘテロ接合電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板１の表面上にチャネル層２および障壁層３がこの順で積層された半導体層Ｓと、半導体層Ｓ上のトランジスタ領域１１に形成されたトランジスタ部１１Ａおよびホール抜き領域１２に形成されたホール抜き部１２Ａと、トランジスタ領域１１とホール抜き領域１２との間の半導体層Ｓの一部を選択除去して設けられた絶縁部１０とを備え、ホール抜き部１２Ａにおけるホール抜き電極８と第２ドレイン電極９の間でアバランシェ降伏が生じるように、ホール抜き電極８と第２ドレイン電極９の間の耐圧が、トランジスタ部１１Ａのゲート電極と第１ドレイン電極との間の耐圧よりも小さく設定されたことを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

ＨＥＭＴ装置及びＨＥＭＴ装置の製造方法であって、ＨＥＭＴ装置は、基板（１２）上のバッファ層（１４）と、バッファ層（１４）上の半導体層と、半導体層上の絶縁層（１６，１７）と、半導体層に接触するソース電極（２２）及びドレイン電極（２３）と、ソース電極（２２）とドレイン電極（２３）との間のゲート電極（２４，１０４，１１４）と、を備え、ゲート電極（２４，１０４，１１４）の下の半導体層に配置されたチャネルをピンチオフ状態にしている。 （もっと読む）

【課題】 結晶成長させたｐ型窒化物半導体領域をエッチングすることなく、ｎ型半導体層とｐ型半導体層が隣接する構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本半導体装置の製造方法は、ｎ型半導体層２２の表面の一部をエッチングして溝１７を形成する溝形成工程と、溝１７の内外に亘るｎ型半導体層２２の表面上にｐ型窒化物半導層１６を結晶成長させるｐ型窒化物半導体層形成工程と、溝形成工程でエッチングされなかった範囲のｎ型半導体層２２の上部に位置するｐ型窒化物半導体層１６の少なくとも一部にｎ型不純物を注入し、ｐ型窒化物半導体層１６の表面からｎ型半導体層２２に達するｎ型領域１０を形成するｎ型領域工程を備えている。 （もっと読む）

半導体素子が記載されており、当該素子における電流の流れは変換接合（例えば、ｐ−ｎ接合又は金属−半導体接合）の間に閉じ込められる。当該素子は、非パンチスルー挙動と、促進された導電可能性とをもたらす。当該素子は、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、スタティック誘導トランジスタ（ＳＩＴ）、接合型電界効果サイリスタ、又はＪＦＥＴ電流リミッタであり得る。当該素子は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などの広いバンドギャップ半導体により製造され得る。いくつかの実施形態によれば、当該素子は、通常ＯＦＦのＳｉＣ垂直接合型電界効果トランジスタであり得る。当該素子の製法、及び当該素子を備えた回路も記載されている。 （もっと読む）

【課題】電界集中を緩和し耐圧を向上しつつ、電流コラプスを低減しかつリーク電流を減少することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１において、窒化物系半導体２上に互いに離間して配設された制御電極５及び第２の主電極４と、窒化物系半導体２上の制御電極５と第２の主電極４との間に配設された第１の絶縁体６と、制御電極５に一端が電気的に接続され、他端が第１の絶縁体６上において制御電極５と第２の主電極４との間に配設された第１のフィールドプレート５ＦＰと、第１の絶縁体６上において一端が第１のフィールドプレート５ＦＰに接続され、他端が第２の主電極４に向かって延伸され、第１のフィールドプレート５ＦＰに比べて高いシート抵抗を有する抵抗性フィールドプレート７とを備える。 （もっと読む）

【課題】高移動度と高耐圧とを両立したノーマリオフ型の電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体からなる電界効果トランジスタであって、基板上に形成されたＧａＮからなる電子走行層と、前記電子走行層上に形成され、該電子走行層とはバンドギャップエネルギーが異なるＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０．０１≦ｘ≦０．４）からなり、該電子走行層に到る深さまで形成されたリセス部によって分離した電子供給層と、前記分離した各電子供給層上に前記リセス部を挟んで形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記各電子供給層上にわたって前記リセス部内における前記電子走行層の表面を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記リセス部において前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、前記電子供給層の層厚は、５．５ｎｍ以上４０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】デバイスの性能や信頼性を低下させることなく、注入した不純物を活性化することができるIII族半導体材料電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる電界効果トランジスタの製造方法は、基板やサンプルステージ等を加熱しこれらの熱伝導を用いて半導体層を昇温することによって不純物を活性化させるのではなく、キャリア移動層を形成するＧａＮ層１０３のバンドギャップエネルギーよりも高いエネルギーを有する波長の紫外線レーザ光Ｌを照射することによって電界効果トランジスタの構成層に含まれる不純物を活性化させるため、デバイスの性能や信頼性を低下させることなく、注入した不純物を活性化することができる。 （もっと読む）

【課題】、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）の高温動作時のオン抵抗を低減して、高温時の動作特性を改善すること。
【解決手段】出力切替回路３４は、温度検出装置３３によって検出された温度が所定の閾値温度以上であるとき、第２の駆動回路３２に出力切替指示を与える。これにより、第２の駆動回路は、ＭＯＳＦＥＴ３５を駆動して、ＪＦＥＴ１０に立ち上がり電圧（順方向降下電圧）Ｖ_Ｆ以上のゲート電圧Ｖ_ＧＳが印加され、ＪＦＥＴはバイポーラ動作される。これにより、高温時のＪＦＥＴ１０のオン抵抗の増加を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】高周波信号のスイッチング素子として使用しても、高調波成分が生じ難く、相互変調歪の発生を抑制可能な半導体装置及び同半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半絶縁性基板上に、化合物半導体からなりＮ型の不純物がドープされたドープ層を有する第１バッファ層を形成し、この第１バッファ層上に、ノンドープの化合物半導体からなる第２バッファ層を形成し、この第２バッファ層上に、トランジスタとして動作する能動層を形成して半導体装置を製造した。また、第１バッファ層を形成する際に、有機金属化合物にＮ型の不純物を添加した材料を用いてドープ層をエピタキシャル法により形成した。 （もっと読む）

【課題】電荷輸送性に優れる両極性の有機半導体として利用可能な分岐型化合物の提供。
【解決手段】コア部と、該コア部に結合した少なくとも１つの側鎖部と、末端と、から構成される分岐型化合物であって、上記側鎖部の少なくとも１つは、下記一般式（１）で表される繰返し単位が１又は２以上繰り返しており（但し、コア部と結合する前記繰返し単位においては、Ｔがコア部に結合しており、２以上繰り返す前記繰返し単位においては、ＬがＴに結合している。）、Ｌは、共役形成単位が複数連結して構成され、上記共役形成単位として少なくとも一つのチエニレン単位を含み、Ｌの末端（Ｔと結合していない側のＬの末端）に存在する基は、少なくとも２つがアクセプター性の基である、分岐型化合物。


（式中、Ｌは置換基を有していてもよい２価の有機基を示し、Ｔは置換基を有していてもよい３価の有機基を示す。） （もっと読む）

【課題】信頼性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、主面１１０ａを含む炭化珪素半導体層１１０が準備される。そして、炭化珪素半導体層１１０の主面１１０ａにシリコンをドーピングして、炭化珪素半導体層に１１０おいてシリコンがドーピングされていない領域よりもシリコン濃度の高い高濃度領域１１５が形成される。そして、高濃度領域１１５と接する位置に、シリコンと化合物を生成する材料を含む金属層１４３、１４４が形成される。そして、金属層１４３、１４４を熱処理して、化合物を含む電極が形成される。 （もっと読む）