【課題】半導体装置において、デバイス特性及び信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置を、半導体基板６上に形成された化合物半導体積層構造１と、少なくとも化合物半導体積層構造１の表面に露出している部分を覆う第１絶縁膜４と、第１絶縁膜４上に形成された第２絶縁膜５とを備えるものとし、第２絶縁膜５を第１絶縁膜４よりも水素を多く含むものとする。 （もっと読む）

【課題】 電流コラプスの抑制と高耐圧化が実現できると共に、微結晶構造の窒化物半導体層を緩やかに傾斜した形状に形成し、電界集中を緩和することができる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウムを含まない高絶縁性の第２の窒化物半導体層に形成した側壁が斜めに傾斜した凹部内に、ゲート電極を形成する。側壁が斜めの凹部は、第２の窒化物半導体装置の成長温度を徐々に低くしながら成長させ、その後、成長温度に応じてエッチングレートが異なるエッチング液を使用してエッチングして形成する。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗が低減された窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この窒化物半導体素子は、ｎ型層３、ｐ型層４およびｎ型層５を有する窒化物半導体積層構造部２を備えている。窒化物半導体積層構造部２には、トレンチ６が形成されている。トレンチ６の壁面７の全域を覆うように、ｎ型チャネル層８が形成されている。トレンチ６において、ｎ型チャネル層８の内側には、ｐ型不純物を含むＧａＮからなるｐ型ゲート層９が埋設されており、ｐ型ゲート層９の最表面１５には、ゲート電極１０が形成されている。また、ｎ型層５の最表面１６には、ソース電極１１が形成され、基板１の他方面には、ドレイン電極１２が接触形成されている。 （もっと読む）

【課題】挿入損失を増大させることなくマルチゲートのゲート間の電位安定化が可能なスイッチング素子並びにそれを用いたアンテナスイッチ回路及び高周波モジュールを提供すること。
【解決手段】電界効果型トランジスタを成すように、半導体基板上に形成された２個のオーミック電極３９，４０と、上記２個のオーミック電極の間に配置された少なくとも２個のゲート電極４１，４２と、隣り合うゲート電極の間に挟まれて配置された導電領域４５とが備えられる。導電領域は、一端に、上記隣り合うゲート電極に挟まれている導電領域よりも幅が広い幅広部分を有し、隣り合うゲート電極の間の距離が幅広部分の幅よりも狭い。更に、幅広部分を介して２個のオーミック電極の間に直列に抵抗４４，４６が接続されている。 （もっと読む）

【課題】ゲートリーク電流の増大、及び電流コラプス現象によるオン抵抗の増大を抑制できる窒化物系化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体からなる半導体層２と、半導体層２上に配置されたソース電極３及びドレイン電極４と、半導体層２上にソース電極３とドレイン電極４との間に配置された絶縁膜６と、絶縁膜６に設けられた開口部で半導体層２に接する有機半導体層７と、開口部の有機半導体層７上に配置されたゲート電極５とを備える。 （もっと読む）

【課題】均一性や生産性が高いと共に、高周波性能として、雑音指数が小さく、かつ付随利得の大きい電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、このＦＥＴを備える半導体チップ及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明のＦＥＴ１は、ＧａＡｓ半導体基板２の上に、ｉ形ＧａＡｓバッファ層３と、ｉ形ＩｎＧａＡｓ二次元電子ガス層４と、ｎ形ＡｌＧａＡｓ電子供給層５と、が積み上げられ、ｎ形ＡｌＧａＡｓ電子供給層５の上に線状にショットキー性接触するゲート電極１２があり、ゲート電極１２の両横から離れ、かつｎ形ＡｌＧａＡｓ電子供給層５の上に、ｎ形ＩｎＧａＰエッチング停止層６と、続いて同程度の横位置でｎ形ＧａＡｓコンタクト層７とが積み上げられ、ｎ形ＧａＡｓコンタクト層７の上にコンタクト層７の端から離れて帯状にオーム性接触をする電極として各側にソース電極９とドレイン電極１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】特性の優れたノーマリーオフ動作型のＨＥＭＴ素子を実現する。
【解決手段】ベース層３と障壁層４とのヘテロ接合界面近傍に二次元電子ガス領域３ｇを形成することでアクセス部位、つまりはドレイン−ゲート間、ゲート−ソース間におけるアクセス抵抗が十分に小さいものとするとともに、ゲート直下にＰ型化領域を形成して、いわゆる反転チャネル型のＭＩＳトランジスタ構造を有するようにすることで、低いオン抵抗を有するノーマリーオフ型のＨＥＭＴ素子１０を実現することができる。さらに、絶縁層６の膜厚をｔ（ｎｍ）とし、絶縁層６を形成する物質の比誘電率をｋとするときに、ｋ／ｔ≦０．８５（ｎｍ^-1）なるの関係をみたすようにすることで、＋３Ｖ以上という高い閾値電圧を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 双方向スイッチが記載される。
【解決手段】 双方向スイッチは、第１及び第２III・Ｎベース高電子移動度トランジスタを有している。幾つかの実施例においては、該第１トランジスタのソースは該第２トランジスタのソースと電気的に接触している。幾つかの実施例においては、該第１トランジスタのドレインは該第２トランジスタのドレインと電気的に接触している。幾つかの実施例においては、該２個のトランジスタはドリフト領域を共用し、且つ該スイッチは該２個のトランジスタ間にはドレインコンタクトが無い。該双方向スイッチからマトリックスコンバータを形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】
素子領域周辺をエッチングして素子分離を行ない、かつ優れた特性を有する化合物半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】
化合物半導体装置は、ＩｎＰ基板と、ＩｎＰ基板上方にエピタキシャル積層で形成されたメサであって、チャネル層、チャネル層上方のキャリア供給層、キャリア供給層上方のコンタクト用キャップ層を含むメサと、キャップ層上に形成された一対のオーミック電極である、ソース電極とドレイン電極と、一対のオーミック電極の間でキャップ層を除去して形成され、キャリア供給層を露出するリセスと、リセスから離れる方向にキャップ層のエッジから後退して、キャップ層上に形成された絶縁膜と、リセスのキャリア供給層上からメサ外に延在するゲート電極と、チャネル層のゲート電極と対向する側部を除去して形成されたエアギャップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】 固相反応を用いて微細なゲート長のショットキー電極、または微細な間隔のショットキー電極を形成する際、寸法精度良く形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ショットキー電極を形成した後、半導体層表面を絶縁膜で被覆し、固相反応層を形成する熱処理を行う。半導体層表面を絶縁膜で被覆することによって、表面拡散が抑制され、主に深さ方向のみにショットキー電極を侵入させることが可能となっている。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりの低下を抑制し、かつ良好な高周波特性を維持することが可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 活性領域と交差するように、少なくとも２つのドレインオーミック接触部が配置されている。ドレインオーミック接触部の間に、ソースオーミック接触部が配置されている。素子分離領域上のドレイン連結部が、ドレインオーミック接触部の同じ側の端部同士を接続する。ドレインオーミック接触部とソースオーミック接触部との間に、ゲートフィンガが配置されている。素子分離領域上のゲート給電配線が、ゲートフィンガ同士を、ドレイ連結部が配置された側とは反対側の端部において接続する。ゲート先端連結部が、ソースオーミック接触部を挟んで隣り合う２つのゲートフィンガ同士を、ドレイン連結部が配置された側の端部において接続する。ゲート先端連結部は、ドレイオーミック接触部及びドレイン連結部のいずれとも交差しない。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフタイプの窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】このＣＡＶＥＴは、ｎ^＋型ＧａＮ基板１と、この基板の主面１ａに形成された開口部３を有する絶縁膜２と、窒化物半導体積層構造部４とを備えている。窒化物半導体積層構造部４は、その平行面７、＋ｃ軸側傾斜面８および−ｃ軸側傾斜面９に平行な面を積層界面１５として順に積層されたｎ⁻型ＧａＮ層５およびｎ⁻型ＧａＮ層５と格子定数の異なるｎ^＋型ＡｌＧａＮ層６を備えている。ゲート電極１０は、−ｃ軸側傾斜面９に対向して形成され、ソース電極１１は、ｎ^＋型ＡｌＧａＮ層６と電気的に接続されている。ドレイン電極は、ｎ^＋型ＧａＮ基板１と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】Ｊ−ＦＥＴでは、チャネル領域の不純物濃度がゲート領域およびバックゲート領域より低いため、ゲート領域およびバックゲート領域からのｐ型不純物拡散により、ゲート領域直下のチャネル領域のｎ型不純物濃度が低下し、ＩＤＳＳバラツキや、電流経路の抵抗増加による順伝達アドミタンスｇｍ、電圧利得Ｇｖの劣化やノイズ電圧Ｖｎｏが増加する問題があった。
【解決手段】ソース領域下方、ゲート領域下方およびドレイン領域下方のチャネル領域底部に連続したｎ型不純物領域を設ける。ｎ型不純物領域はチャネル領域およびバックゲート領域より不純物濃度が高く、ゲート領域およびバックゲート領域からのｐ型不純物の拡散の影響をほとんど受けない。またソース領域下方からドレイン領域下方まで連続して設けることにより、この領域における電流経路の抵抗値を略均一にできる。したがってＩＤＳＳを安定化させ、順伝達アドミタンスｇｍ、電圧利得Ｇｖを向上させ、ノイズ電圧Ｖｎｏを低減できる。更に同一ウエハ内でのＩＤＳＳバラツキも抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ＲＦデュアルバンドデバイスとして用いられ、微細化と高性能化をともに実現することが可能な電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】基板ｗ上に形成され、ソース領域１２、ドレイン領域１３およびこれらの間に形成されるフィン状領域１４を有する化合物半導体層１１と、フィン状領域１４の第１の側面に形成され、第１の信号が入力される第１のゲート電極１６と、フィン状領域１４の第２の側面に形成され、第２の信号が入力される第２のゲート電極１７を備える。 （もっと読む）

【課題】ゲートへのノイズマージンが大きい接合ＦＥＴを提供する。
【解決手段】接合ＦＥＴ１は、炭化珪素からなるｎ^＋基板１２の主面に形成された接合ＦＥＴ１のドリフト領域のｎ⁻層１１と、ドリフト領域のｎ⁻層１１に接合して形成されたゲート領域のｐ^＋層９と、ｎ^＋基板１２の上層に設けられたゲート電極１４と、を有している。この接合ＦＥＴ１は、さらに、ｎ^＋基板１２の主面に形成され、ゲート領域のｐ^＋層９とゲート電極１４とを電気的に接続するｐｎダイオード２、３を内蔵している。 （もっと読む）

【課題】良好なトランジスタ特性を保ちつつ衝突イオン化により生成した正孔を外部に放出することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１００と、基板１００上に設けられたＩＩＩ族窒化物半導体多層膜と、ＩＩＩ族窒化物半導体多層膜の上部に設けられた、ゲート電極１１２、ソース電極１１０およびドレイン電極１１４とを備え、ＩＩＩ族窒化物半導体多層膜は、正孔走行層１０４、電子走行層１０６および電子供給層１０８を含み、正孔走行層１０４とゲート電極１１２とが導電体により電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の近傍での耐圧が高められた化合物半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】SiC基板２０と、SiC基板２０の上に形成された電子走行層２１と、電子走行層２１の上に形成された電子供給層２３と、電子供給層２３の上に互いに間隔をおいて形成されたソース電極２７ａ及びドレイン電極２７ｂと、ソース電極２７ａとドレイン電極２７ｂの間の電子供給層２３上に形成され、SiC基板２０に向かって狭径となる開口２９ｂを備えた保護絶縁膜３０と、開口２９ｂ内の電子供給層２３上に形成されたゲート電極３２とを有する化合物半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】格子不整合の小さいエンハンスメント型特性を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられた半導体層とを備え、前記半導体層は、前記基板上に設けられ、Ｇａ面成長した、組成Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）またはＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０＜ｙ≦１）を有するバッファ層と、前記バッファ層上に設けられ、前記バッファ層の組成と異なる組成、Ｉｎ_{１−ｚ−ｔ}Ａｌ_ｚＧａ_ｔＮ（０＜ｚ≦１，０≦ｔ＜１）を有する障壁層と、を備えることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を大幅に低減することが可能な新しい動作原理に基づく半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１は、ｎ⁺型のシリコン基板２と、シリコン基板２上に配置されたｐ型の半導体層３と、半導体層３上に配置され、複数のトレンチ４ａを有するとともに、隣接するトレンチ４ａ間の各領域がチャネル１０となるｎ型の半導体層４と、半導体層４のトレンチ４ａに配置された埋め込み電極６とを備え、シリコン基板２、半導体層３および半導体層４により、バイポーラトランジスタが形成されており、埋め込み電極６が負電位である場合に、トレンチ４ａから隣接するトレンチ４ａにわたって空乏層１１が形成されることにより、チャネル１０がオフ状態となり、埋め込み電極６が正電位である場合に、隣接するトレンチ４ａ間の全ての領域において、空乏層１１が形成されないことにより、チャネル１０がオン状態となる。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を大幅に低減することが可能な新しい動作原理に基づく半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１は、ｐ⁺型のシリコン基板２と、シリコン基板２上に配置され、複数のトレンチ５を有するとともに、隣接するトレンチ５間の各領域がチャネル１０となる真性半導体からなる半導体層３と、半導体層３上に配置されたｎ⁺型の半導体層４と、半導体層３のトレンチ５に配置された埋め込み電極７とを備え、シリコン基板２、半導体層３および半導体層４により、ＰＩＮダイオードが形成されており、埋め込み電極７が負電位である場合に、トレンチ５から隣接するトレンチ５にわたって空乏層１１が形成されることにより、チャネル１０がオフ状態となり、埋め込み電極７が正電位である場合に、隣接するトレンチ５間の全ての領域において、空乏層１１が形成されないことにより、チャネル１０がオン状態となる。 （もっと読む）