【課題】 簡易な工程でありながらも、比較的安価なＳｉ基板上に高品質な半導体薄膜を形成する方法と、その方法によって得られる半導体薄膜構造物を提供すること。
【解決手段】 Ｓｉ基板上に半導体を結晶成長させて薄膜を形成する方法であって、対象の半導体を結晶成長させるＳｉ基板の上面を、微小角度傾斜させた状態で、結晶成長装置内にＳｉ基板をセッティングし、そのＳｉ基板の傾斜角度は、対象半導体結晶の底面に相応する結晶軸の格子定数のＳｉ基板上面に対する正射影が、Ｓｉ基板の上面に相応する結晶軸の格子定数と略一致する角度とする。 （もっと読む）

【課題】該中断時間を短縮できる分子線結晶成長装置を提供する。
【解決手段】成長室１３は、窒素を含むIII−Ｖ化合物半導体を成長するために用いられる。各粒子ビーム源１５は、成長室１３に接続されており、III−Ｖ化合物半導体を成長するための構成元素を提供する。窒素源装置１７は、成長室１３に接続されている。窒素源装置１７は、ラジカルガン１９と、ハウジング２３と、シャッタ２５とを含む。ラジカルガン１９は、窒素ラジカルを発生する。ハウジング２３は、分子線結晶成長装置１１の成長室１３に設けられた開口２１に接続可能であり、またラジカルガン１９を収容する。シャッタ２５は、開口２１とラジカルガン１９との間に設けられ、またラジカルガン１９からの粒子フラックスを調整するためにアパーチャのサイズを変更できる。 （もっと読む）

【課題】 可動部を省略し、簡略な構成でサンプルデバイスを良好に製造できるコンビナトリアルデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】 コンビナトリアルデバイス製造装置は、膜を組み合わせて基板上に複数種類のデバイスを製造するものであって、膜を形成するための材料をイオン化してイオンを放出するイオン源と、イオン源から放出されたイオンを基板上に蒸着するイオン輸送系と、イオン輸送系で輸送されるイオンの進行方向を電界及び磁界のうち少なくともいずれか一方を使って偏向し、基板上でのイオンの蒸着位置を制御する制御系とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、触媒分子線エピタキシ（ｃａｔ−ＭＢＥ）の装置、及びそれを用いてIII族窒化物材料を成長させる方法に関する。
【解決手段】 本発明の触媒分子線エピタキシ装置１２０は、熱線１０を含み、アンモニア、窒素ガス等の窒素を含むガス１１０が熱線１０を通過する際に、前記熱線１０によって前記窒素を含むガスを触媒作用により分解して活性化イオンを生成し、前記活性化イオンがIII族金属元素と反応して加熱基板上にIII族窒化物エピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 表面状態及び電気特性に優れた半導体層を形成することができる半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】 組成比ｘが０．０９４２，０．１４，０．１８，０．３０である場合、Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ａｓの成長温度を５９０℃乃至６４５℃とし、Ａｓの供給圧力を０．５×１０^-6ｔｏｒｒ乃至４．０×１０^-6ｔｏｒｒにすることにより、表面状態及び電気特性の双方に優れた膜を形成することができる（領域６１）。一方、組成比ｘが０．５以上である場合、Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ａｓの成長温度を６４５℃乃至７２０℃とし、Ａｓの供給圧力を３．５×１０^-6ｔｏｒｒ乃至６．０×１０^-6ｔｏｒｒにすることにより、表面状態及び電気特性の双方に優れた膜を形成することができる（領域６２）。組成比ｘによって最適な成長温度が相違するのは、ＡｌとＧａとの表面拡散距離の相違によるものと推定される。 （もっと読む）

【課題】組成が精密に制御された複数の金属を含む酸化物よりなるｐ型透明酸化物膜を高速にて成膜する方法及びこの成膜方法によって得られたｐ型透明酸化物膜を光吸収層として用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】カバー２６内部に透明基板１を導入し、アルゴン中に酸素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに一定の周期で交互にパルスパケット状の電圧を印加して、グロー放電を形成させる。これにより、銅よりなるターゲット２１ａ及びアルミニウムよりなるターゲット２１ｂから粒子がスパッタされ、基板１上にＣｕＡｌＯ_２膜よりなるｐ層３が形成する。コリメータ３０ａ，３０ｂを介して得られたプラズマの発光スペクトルが電気信号となりＰＥＭ３１ａ，３１ｂに取り込まれる。このＰＥＭ３１ａ，３１ｂを用いてプラズマ中の銅及びアルミニウムの発光強度が常に一定になるように酸素ガスの導入流量を制御する。 （もっと読む）

有機材料を堆積する方法が提供される。有機材料が基板に堆積されるように、有機材料を搬送するキャリアガスは、そのキャリアガスの熱運動速度の少なくとも１０％である流速でノズルから噴出される。ある実施形態では、そのキャリアガスを囲う、ノズルと基板との間の領域における動態的圧力は、噴出中、少なくとも１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは１０Ｔｏｒｒである。ある実施形態では、保護流体がキャリアガスの周囲に供給される。ある実施形態では、バックグラウンド圧力は、少なくとも約１０^−２Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約０．１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１０Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１００Ｔｏｒｒであり、最も好ましくは約７６０Ｔｏｒｒである。
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