【課題】 ＩｎＮ結晶を分子線エピタキシャル成長法で成長させようとする場合、基板温度が低いと結晶品質が悪く基板温度が高いと窒素が解離してしまう。窒素解離を抑制して基板温度をより高くして成長させるようにする。
【解決手段】基板面にガスを吹き付けることにより窒素解離を防ぎ基板温度を高めて成長させる。ガスは分子線の経路を遮らないようなガスノズルから吹き出させる。ガスを真空チャンバの外側或いは内側において加熱して基板に吹き付けるようにすると、部品表面での組成原子の脱離の防止やマイグレーション距離を制御することもできる。 （もっと読む）

【課題】良好なｐ型特性を持つ窒化物半導体層を得ることが可能な窒化物半導体層の成長方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ドーパントとしてＢｅを用いる場合、Ｍｇを用いる場合に比べてｐ−ＧａＮ層２３のｐ型特性は、基板５の表面の転位密度に顕著に依存する。したがって、転位密度５×１０^８ｃｍ^−２以下の基板５を用いることにより、転位によるＢｅのキャリア補償を抑制でき、良好なｐ型特性を持つｐ−ＧａＮ層２３が得られる。また、ＭＢＥ法を用いることにより、ｐ−ＧａＮ層２３の成長方向や組成分布を精度良く制御できる。 （もっと読む）

【課題】性層の成長にＭＢＥ装置を用いるハイブリッド方式において、製品のスループットの向上が図られる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１の製造方法では、水素プラズマクリーニングと活性層１４の成長とを別々の真空装置で分離して実行することにより、クリーニング終了時の成長室３３内の水素残留濃度を考慮する必要が無くなり、成長室３３への基板搬送後に速やかに窒素プラズマ発生用のＲＦガン４４の窒素プラズマを点火して活性層１４の再成長を行うことが可能となる。したがって、この半導体レーザ素子の製造方法では、従来のように同一の真空装置内で水素プラズマクリーニングと活性層の成長とを連続して行う場合と比較して、製品のスループットの向上が図られる。 （もっと読む）

【課題】受光領域に到達するまでに光の減衰をなるべく防止するとともに、界面でのメジャーキャリアを電子とし、受光領域の検出感度や応答速度が低下しないようなフォトダイオードを提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１に、ｎ型不純物ドープ領域１ａが形成され、主としてｎ型不純物ドープ領域１ａが形成されていないシリコン基板１上に積層されたＧａＮ層２との界面が受光領域となっており、この界面でキャリアを分離している。ＧａＮは可視光に対し透明で、不純物ドーピングによるｐｎ接合を持たない。したがって、高感度、高安定性を実現できる。また、Ｓｉ基板１とＧａＮ層２との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、ＧａＮとＳｉの界面を２次元性キャリアとして流れる。これにより、高速応答性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高移動度と対環境安定性を兼ね揃えた半導体および半導体素子を提供する。また可視光領域に受光感度を有する半導体および半導体素子を提供する。
【解決手段】 金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がＩｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌから選択される少なくとも１つの元素と、Ｚｎと、を含み、且つ、前記酸窒化物中のＮ／（Ｎ＋Ｏ）で表されるＮの原子組成比率が、７原子％以上８０原子％以下であることを特徴とする酸窒化物半導体。 （もっと読む）

【課題】結晶の対称性のミスマッチが無い半導体基板を高スループットかつ低コストで製造することが可能な半導体基板の製造方法、半導体基板、発光素子及び電子素子を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板を用いることにより、サファイア基板やＳｉＣ基板を用いる場合に比べて製造コストを格段に低下させることができる。また、従来のＳｉ基板の（１００）面ではなく、Ｓｉ基板の（１１０）面に１３族窒化物を成長させることにより、結晶の対称性のミスマッチを解消することができる。さらに、パルススパッタ堆積法によって１３族窒化物を成長させるので、例えば１２インチ以上の大面積の基板においても製造することができ、高いスループットで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ層上に形成されるＩｎＡｓ量子ドットのサイズを適切に制御する。
【解決手段】量子ドットの形成方法は、基板（１１０）上にＧａＡｓを含んでなる第１半導体層（１２０）を形成する第１形成工程と、基板の基板温度を摂氏４８０度及び摂氏５３０度の間の温度にした後に、第１半導体層の上に、Ｉｎ及びＡｓを夫々照射して、ＩｎＡｓを含んでなる第２半導体層（１３０）を形成する第２形成工程とを備える。第２形成工程において、第２半導体層の成長速度を０．０２ＭＬ／ｓ及び０．１ＭＬ／ｓの間の成長速度とし、第２半導体層の成長量を１．２ＭＬ及び２．５ＭＬの間の成長量とすることにより、第２半導体層の第１半導体層と対向しない側の面（１３０ａ）にＩｎＡｓを含んでなる量子ドット（１３１）を形成する。 （もっと読む）

【課題】領域選択成長技術を適用して、均一性のある微細構造を生産できる微細構造素子製造装置及び微細構造素子生産方法を提供すること。
【解決手段】基板が搭載される試料ホルダ４０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるため基板の温度を所定の範囲に加熱する加熱器５０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるための少なくとも１つ以上の第１の開口部と、当該１つ以上の第１の開口部の外側に複数の第２の開口部を有するマスク１０と、マスク１０が搭載されるマスクホルダ２０と、を備える微細構造素子製造装置。 （もっと読む）

【課題】分子線エピタキシ装置のための粒子線供給装置を提供する。
【解決手段】粒子線供給装置１７では、粒子線生成器３１は、分子線エピタキシ成長のための原料を提供する開口３１ａを有する。シャッタ装置３３では、シャッタ３５は粒子線生成器３１の開口３１ａの前方に位置し、回転軸３７は、シャッタ３５を支持しており所定の軸Ａｘに沿って延び、駆動機構３９は、回転軸３７を所定の軸Ａｘの回りに回転駆動する。シャッタ３５は、開口３１ａの位置に合わせて設けられた窓３５ａを有する。粒子線生成器３１からの粒子線は、窓３５ａを通して進み、或いは、シャッタ３５の遮蔽部３５ｂによって遮断される。矢印Ａｒｒｏｗの一方向のみにシャッタ３５を等角速度で回転させたとき、シャッタ３５の移動と停止を成長中に繰り返すことなく、一定の周期で、粒子線が窓３５ａを介して軸Ｂｘに沿って供給される。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能なｎ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｆ元素を含むＦ元素含有ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜の熱処理によりＦ元素含有ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜からＦ元素を脱離させる工程を含み、Ｆ元素含有ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜を構成するＩＩ族元素がＺｎであり、Ｆ元素含有ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜を構成するＶＩ族元素が、Ｓｅ及びＳからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、Ｆ元素含有ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜中のＦ元素濃度が５〜２０ａｔｍ％であるｎ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】陽イオンの組成比を任意に調節することができる半導体活性層製造方法、それを利用した薄膜トランジスターの製造方法及び半導体活性層を具備する薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】第１ターゲットからＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むイオンが蒸着されて基板上にＩＧＺＯ層が形成されるようにして、第２ターゲットからＩｎを含むイオンが蒸着されて前記ＩＧＺＯ層のＩｎの組成比が４５ないし８０ａｔ％になるようにする。 （もっと読む）

【課題】窒素フラックスの調整が可能な、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層を作製する方法と、量子井戸構造を作製する方法と、窒素源装置とを提供すること。
【解決手段】アパーチャ２６ａ等のうち開口されたアパーチャを介して窒素フラックスを供給し他の原料フラックスを供給して、第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体層を基板上に堆積する第１の工程と、開口されるアパーチャの数を変更する第２の工程と、第２の工程後に開口されているアパーチャを介して窒素フラックスを供給し他の原料フラックスを供給して、第２のＩＩＩ−Ｖ族半導体層を第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体層上に堆積する第３の工程とを備え、第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体層の窒素組成は第２のＩＩＩ−Ｖ族半導体層の窒素組成と異なる。 （もっと読む）

【課題】 ゲルマニウム錫混晶層の歪緩和を促進し、より大きな面内伸張歪を持つ伸張歪ゲルマニウム層を形成することができる多層膜構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置に好適な多層膜構造体１０の形成方法として、シリコン基板１１の上方にゲルマニウム層１２を形成する工程と、その上方にゲルマニウム錫混晶層１３を形成する工程と、その上方に伸張歪ゲルマニウム層１４を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】放出されるプラズマ粒子の純度を高め、不純物の混入を防止し、イオン濃度の制御性を良くした薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】中空の放電管１の外側周囲を高周波コイル２で巻き回されており、高周波コイル２の端子は、高周波電源に接続されている。また、放電管１の上部には放出孔４が、下部にはガス導入孔５が形成されている。ガス導入孔５にはガス供給管１２が接続され、ここから薄膜構成元素となる気体が供給される。放出孔４と所定の距離を隔てて阻止体３が、放出孔４を遮るように設けられている。薄膜形成時には、中空の放電管１内部からプラズマ粒子が放出されるが、気体元素以外の粒子が阻止体３に阻止され基板へ到達できない。 （もっと読む）

【課題】磁性元素を含む半導体中で、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的形成を人為的に制御し、結晶中の磁性元素の平均の組成が２０％以下の小さい範囲でも、室温以上で強磁性あるいは超常磁性状態となって磁化過程に履歴現象が生じるような薄膜結晶を実現する。
【解決手段】磁性元素を含む半導体において、ｎ型またはｐ型のドーパントを添加するか、あるいは化合物半導体の場合は結晶成長時の原料供給量の調節により化合物における構成元素の組成割合における化学量論比からのずれを調整することにより、磁性元素イオンの結晶中での価数を変化させてイオン間の引力相互作用を調整することで、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的な形成を人為的に制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度を向上可能な、半導体膜を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】２種以上の同極のドーパントを添加しながら分子線エピタキシ装置１３を用いて半導体膜１５を基板１１上に成長する。分子線エピタキシ装置１３において、Ｇａセル、Ｍｇセル、ＢｅセルおよびＲＦ−Ｎラジカルガンのシャッタを開き、半導体膜１５としてＧａＮ膜を基板１１上に成長する。ＧａＮ膜は、ｐ型ドーパントＭｇおよびＢｅを含む。Ｂｅドーパントは半導体の構成元素のうちのＧａと置換され、Ｇａ元素の原子半径Ｒ２１は、Ｂｅドーパント１７ａの原子半径Ｒ１７よりも大きいと共に、Ｍｇドーパント１９ａの原子半径Ｒ１９よりも小さいので、ＧａＮホスト半導体において局所歪みの影響を低減可能である。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ドーパントがＢｅである場合において、再現良く、高いホール密度を有するｐ型半導体層を備えるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１の製造方法は、基板１０を準備する工程と、基板１０上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１からなるｐ型半導体層１１を成長させる成長工程とを備えている。成長工程は、ｐ型不純物１０としてのＢｅをｐ型半導体層１１に供給する第１供給工程と、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅの少なくともいずれか１種のＶＩ族元素を、第１供給工程で供給されるＢｅよりも少ない量で、ｐ型半導体層１１に供給する第２供給工程とを含んでいる。第１供給工程と第２供給工程とを実質的に同時に行なっている。 （もっと読む）

【課題】ポートの数を増やすことなく，還元性ガスを分子線結晶成長装置の成長室内に導入することを可能にする分子線源を提供する。
【解決手段】本発明の分子線源は，結晶成長のための分子線を放出する分子線放出部と，前記分子線放出部に結合され，前記分子線を加熱して分解するクラッキングゾーンとを備え，前記分子線放出部と前記クラッキングゾーンの間に還元性ガスを導入するための還元性ガス導入部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の半導体酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜と、この膜の製造方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）を使用してｐ型ＺｎＯ材料を成膜させる。この方法では、ＬｉとＰの両方を含有する化合物とＺｎＯとの混合物からなる固体ターゲット上にパルスレーザビームを集光させる。集光されたレーザパルスの高いパワー密度により、ターゲット表面上の材料が融除されてプラズマが形成され、これが基板表面上に堆積する。また、パルスレーザ源を含んだ透明な基板と、パルスレーザの波長に対し透明である基板と、マルチターゲットシステムとを使用するパルスレーザ成膜プロセスについて説明する。パルスレーザの光路は、パルスレーザが基板の裏から入射して基板を通過し、ターゲット上に集光するように配置されている。基板をターゲットに向かって並進運動させ、アブレーションプルームのルートを利用した微細パターンの付着が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 １．１μｍよりも短波長な発光波長を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、活性層６を備える。活性層６は、６個の量子ドット層６１と、５個の間隙層６２とを含む。６個の量子ドット層６１および５個の間隙層６２は、交互に積層される。５個の間隙層６２の各々は、ノンドープのＧａＡｓからなる。そして、５個の間隙層６２の各々は、３０〜５０ｎｍの膜厚を有する。６個の量子ドット層６１の各々は、量子ドット６１１とキャップ層６１２とからなる。量子ドット６１１は、ＩｎＡｓからなり、キャップ層６１２は、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ（ｙ＝０．０５〜０．５）からなる。量子ドット６１１は、１．８〜２．４モノレイヤーのＩｎＡｓをＭＢＥにより結晶成長することにより形成される。 （もっと読む）