ｐ型透明酸化物膜の成膜方法及び太陽電池
【課題】組成が精密に制御された複数の金属を含む酸化物よりなるｐ型透明酸化物膜を高速にて成膜する方法及びこの成膜方法によって得られたｐ型透明酸化物膜を光吸収層として用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】カバー２６内部に透明基板１を導入し、アルゴン中に酸素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに一定の周期で交互にパルスパケット状の電圧を印加して、グロー放電を形成させる。これにより、銅よりなるターゲット２１ａ及びアルミニウムよりなるターゲット２１ｂから粒子がスパッタされ、基板１上にＣｕＡｌＯ２膜よりなるｐ層３が形成する。コリメータ３０ａ，３０ｂを介して得られたプラズマの発光スペクトルが電気信号となりＰＥＭ３１ａ，３１ｂに取り込まれる。このＰＥＭ３１ａ，３１ｂを用いてプラズマ中の銅及びアルミニウムの発光強度が常に一定になるように酸素ガスの導入流量を制御する。
【解決手段】カバー２６内部に透明基板１を導入し、アルゴン中に酸素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに一定の周期で交互にパルスパケット状の電圧を印加して、グロー放電を形成させる。これにより、銅よりなるターゲット２１ａ及びアルミニウムよりなるターゲット２１ｂから粒子がスパッタされ、基板１上にＣｕＡｌＯ２膜よりなるｐ層３が形成する。コリメータ３０ａ，３０ｂを介して得られたプラズマの発光スペクトルが電気信号となりＰＥＭ３１ａ，３１ｂに取り込まれる。このＰＥＭ３１ａ，３１ｂを用いてプラズマ中の銅及びアルミニウムの発光強度が常に一定になるように酸素ガスの導入流量を制御する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ｐ型透明酸化物膜の成膜方法に係り、特に組成が精密に制御された複数の金属を含む酸化物よりなるｐ型透明酸化物膜を成膜する方法に関する。また、本発明は、この成膜方法によって得られたｐ型透明酸化物膜を光吸収層として用いた太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
ｐ型透明酸化物導電体やｐ型透明酸化物半導体などのｐ型透明酸化物膜は、酸化物半導体を用いた電子・光デバイスの実現には必要不可欠の材料である。
【０００３】
Ｉ．通常、これらは金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法やセラミックスターゲットを用いたＲＦスパッタ法、パルスレーザー蒸着法などの物理的気相成長法を用いて作製される。しかしながら、これらの方法は成膜速度が遅く生産性が悪い。
【０００４】
例えば、金属ターゲットを用いて酸素含有雰囲気中でスパッタ成膜を行う反応性スパッタ法は、ターゲットが酸化物で皮膜してしまうために成膜速度が遅く生産性が悪い。また、酸化物で皮膜されたターゲットに大きな電圧を印加すると、アークが発生し、安定した放電が得られない。
【０００５】
II．特開２００３−１２３８５３号公報には、有機色素増感型金属酸化物半導体電極と、この電極に対向して設けられた対電極と、さらに両電極間にレッドクス電解質が注入されてなる有機色素増感型太陽電池において、この有機色素増感型金属酸化物半導体電極に使用される金属酸化物半導体をデュアルカソード方式マグネトロンスパッタリング法により作製することが記載されている。
【０００６】
上記公報の成膜方法にあっては、複数のターゲットに交互に間欠的な電圧を印加するため、大電流をターゲットに流し、安定した高速成膜を行うことができる。このため、異常放電を大幅に抑制でき、安定した長時間の放電が可能となりダメージの少ない高品質の膜が作製可能となる。
【特許文献１】特開２００３−１２３８５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記公報の成膜方法を用いて複数の金属を含む酸化物よりなるｐ型透明酸化物膜を作製する際に、合金ターゲットを用いた場合、各金属元素ごとにスパッタ率が異なるため、ターゲットの組成と得られる膜の組成がずれ、細かな組成制御が困難である。
【０００８】
本発明は、上記問題点を解消し、組成が精密に制御された複数の金属を含む酸化物よりなるｐ型透明酸化物膜を高速にて成膜する方法を提供することを目的とする。また、この成膜方法によって得られたｐ型透明酸化物膜を光吸収層として用いた太陽電池を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明（請求項１）のｐ型透明酸化物膜の成膜方法は、反応性スパッタ法によって複数の金属を含む酸化物よりなるｐ型透明酸化物膜を成膜する方法において、酸素ガスを含む雰囲気にて組成の異なる複数のターゲットに交互に間欠的な電圧を印加してスパッタを行い、スパッタ時における放電の発光波長と発光強度をモニタリングして、雰囲気中の酸素濃度及び各ターゲットのスパッタ速度を制御することにより成膜される膜の組成を制御することを特徴とするものである。
【００１０】
請求項２のｐ型透明酸化物膜の成膜方法は、請求項１において、前記ターゲットと同数のモニタが設けられ、各ターゲットにおける放電の発光波長と発光強度を対応するモニタを用いてモニタリングすることを特徴とするものである。
【００１１】
請求項３のｐ型透明酸化物膜の成膜方法は、請求項１又は２において、複数のパルス電圧よりなるパルスパケットを前記複数のターゲットに交互に間欠的に印加することを特徴とするものである。
【００１２】
請求項４のｐ型透明酸化物膜の成膜方法は、請求項１ないし３のいずれか１項において、前記反応性スパッタ法がバイポーラ型デュアルマグネトロンスパッタリング法又はユニポーラ型デュアルマグネトロンスパッタリング法であることを特徴とするものである。
【００１３】
請求項５のｐ型透明酸化物膜の成膜方法は、請求項１ないし４のいずれか1項において、スパッタ時における放電の発光波長及び発光強度をモニタリングすることによって、ターゲットが部分的に酸化されている遷移領域となるように酸素ガスの供給量を制御することを特徴とするものである。
【００１４】
請求項６のｐ型透明酸化物膜の成膜方法は、請求項１ないし５のいずれか１項において、スパッタ時における放電の発光波長と発光強度をモニタリングすることに加えて、さらに成膜時の成膜圧力、パルス電圧のパルス幅、パルス電圧のパルス周波数及び電圧を印加するターゲットを変更するスイッチング周波数の少なくとも一つを変化させることにより、膜の組成を制御することを特徴とするものである。
【００１５】
請求項７のｐ型透明酸化物膜の成膜方法は、請求項１ないしの６いずれか１項において、スパッタ時に基板を加熱することによりｐ型透明酸化物膜の結晶性と結晶系を制御することを特徴とするものである。
【００１６】
本発明（請求項８）の太陽電池は、光吸収層を有するｐｎ型、ｐｉｎ型、もしくはショットキー型太陽電池において、該光吸収層が請求項１ないし７のいずれか１項のｐ型透明酸化物膜の成膜方法によって成膜されたｐ型透明酸化物膜よりなることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明（請求項１）のｐ型透明酸化物膜の成膜方法にあっては、酸素ガスを含む雰囲気にて組成の異なる複数のターゲットに交互に間欠的な電圧を印加してスパッタを行い、スパッタ時における放電の発光波長と発光強度をモニタリングして、雰囲気中の酸素濃度及び各ターゲットのスパッタ速度を制御することにより成膜される膜の組成を制御することから、組成が精密に制御されたｐ型透明酸化物膜の成膜方法を得ることができる。
【００１８】
この成膜方法にあっては、複数のターゲットに交互に間欠的な電圧を印加するため、大電流をターゲットに流し、安定した高速成膜を行うことができる。この方法を用いることによって異常放電を大幅に抑制できることから、安定した長時間の放電が可能となりダメージの少ない高品質の膜が作製可能となる。
【００１９】
請求項２のｐ型透明酸化物膜の成膜方法にあっては、各ターゲットにおける放電の発光波長及び発光強度を対応するモニタによってモニタリングするため、各ターゲットの放電状況を個別に認識することができる。
【００２０】
請求項３のｐ型透明酸化物膜の成膜方法にあっては、各ターゲットにパルスパケットを印加するため、各ターゲットに単一のパルスを印加するときと比べて一層大電流を流すことができ、安定した高速成膜が可能となる。
【００２１】
このｐ型透明酸化物膜の成膜方法は、バイポーラ型デュアルマグネトロンスパッタリング法又はユニポーラ型デュアルマグネトロンスパッタリング法であることが好ましい（請求項４）。
【００２２】
請求項５のようにターゲットが部分的に酸化されている遷移領域となるように酸素ガスの供給量を制御することによって、より正確に所望の組成及び結晶構造を有するｐ型透明酸化物膜を得ることができる。
【００２３】
請求項６の通り、スパッタ時における放電の発光波長と発光強度をモニタリングすることに加えて、さらに成膜時の成膜圧力、パルス電圧のパルス幅、パルス電圧のパルス周波数、電圧を印加するターゲットを変更するスイッチング周波数の少なくとも一つを変化させることによって酸素のｐ型透明酸化物膜中の含有量を制御することより、一層正確に所望の組成及び結晶構造を有するｐ型透明酸化物膜を得ることができる。
【００２４】
請求項７のようにスパッタ時に基板を加熱することにより、ｐ型透明酸化物膜の組成及び結晶性を制御することができる。
【００２５】
本発明（請求項８）の太陽電池にあっては、光吸収層が前記ｐ型透明酸化物膜の成膜方法によって成膜されたものであるため、組成が精密に制御された高性能の太陽電池を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２７】
図１は実施の形態に係る太陽電池の模式的な断面図である。太陽電池１０は、透明基板１と、この透明基板１上に設けられた透明導電膜２と、この透明導電膜２上にスパッタリングによって形成されたｐ層３及びｎ層４と、このｎ層４上に設けられた金属電極５とからなる。
【００２８】
透明基板１としては、例えばケイ酸アルカリ系ガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等のガラスを使用することができる。また、アクリル等の種々のプラスチック基板等を使用することもできる。またＰＥＴなどの高分子フィルム基材も用いることができる。基板の厚さは０．１〜１０ｍｍが一般的であり、０．３〜５ｍｍが好ましい。ガラス板は、化学的に、或いは熱的に強化させたものが好ましい。
【００２９】
透明導電膜２としては、導電性金属酸化物薄膜や金属等の導電性材料からなる基板が用いられる。導電性金属酸化物の好ましい例としては、Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２：Ｓｂ、ＳｎＯ２：Ｆ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｆ、ＣｄＳｎＯ４を挙げることができる。
【００３０】
ｐ層３は、後述する本発明方法によって成膜されたＣｕＡｌＯ２膜である。
【００３１】
ｎ層４は金属の酸化物又は金属の酸化窒化物であり、好ましくはＴｉ、Ｚｎ及びＳｎの少なくとも一つを含む金属の酸化物又はＴｉ、Ｚｎ及びＳｎの少なくとも一つを含む金属の酸化窒化物であり、例えばＴｉＯ２，ＺｎＯ，ＳｎＯ２などである。
【００３２】
金属電極５としては、白金、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉ等が使用できる。
【００３３】
図２はデュアルカソード方式マグネトロンスパッタリング法を説明するための概略図であり、図３は図２のターゲット電極に印加する電圧の一例を説明する図である。支持体２０ａ上にターゲット２１ａを設けてなるターゲット電極２０Ａと、その下方に配置された磁石２２ａとから構成されるスパッタリング部、及び支持体２０ｂ上にターゲット２１ｂを設けてなるターゲット電極２０Ｂと、その下方に配置された磁石２２ｂとから構成されるスパッタリング部が隣接して設置され、これらのスパッタリング部に、スイッチングユニット２４を介して、交流電源２５が接続されている。ターゲット２１ａは金属銅よりなっており、ターゲット２１ｂはアルミニウムよりなっている。
【００３４】
これらターゲット電極２０Ａ，２０Ｂはカバー２６によって覆われている。カバー２６は排気口２８を介してポンプ（図示略）に接続されており、ガス導入口２７を介してガス供給源（図示略）に接続されている。
【００３５】
カバー２６内にコリメータ３０ａ，３０ｂが設けられており、これらコリメータ３０ａ，３０ｂは各々カバー２６の外側に設けられたプラズマエミッションモニター（以下ＰＥＭと称することがある。）３１ａ，３１ｂに接続されている。
【００３６】
ＰＥＭは、プラズマの発光をコリメータで集光し、光倍増幅管（ＰＭ）で光電変換した電気信号を監視する装置である。ＰＥＭはある一定の感度に設定されてプラズマの発光強度をモニタするようになっている。
【００３７】
カバー２６内部に、透明導電膜２（図２では省略）が表面に形成された透明基板１を導入し、ポンプによってカバー２６内を真空にした後、アルゴン中に酸素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。そして、図３の通り、ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに一定の周期で交互にパルスパケット状の電圧を印加して、グロー放電を形成させる。これにより、ターゲット２１ａ，２１ｂから粒子がスパッタされ、この粒子がターゲット２１ａ，２１ｂの上方の基板１上に付着する。この際、ターゲット２１ａ，２１ｂ又はスパッタされた粒子は酸素ガスによって酸化される。これにより、ＣｕＡｌＯ２膜よりなるｐ層３が形成する。
【００３８】
コリメータ３０ａ，３０ｂは放電中のプラズマの方向に向けられており、このコリメータ３０ａ，３０ｂを介して得られたプラズマの発光スペクトルが、図示しないフィルタ及び光倍増幅管を介して電気信号となりＰＥＭ３１ａ，３１ｂに取り込まれる。ＰＥＭ３１ａのフィルタとしては銅の発光スペクトルの波長２０４〜３２８ｎｍ用のものを、ＰＥＭ３１ｂのフィルタとしてはアルミニウムの発光スペクトルの波長２２６〜３９７ｎｍ用のものを、それぞれ用いることができる。このＰＥＭ３１ａ，３１ｂによってプラズマ中の銅及びアルミニウムの発光強度が常に一定になるように制御される。
【００３９】
即ち、スパッタされた銅とアルミニウムのモル比が１：１となるときの銅とアルミニウムの発光強度を予め計算や実験によって定めておき、成膜時の発光強度がこれらの発光強度となるように、酸素ガスの導入流量や成膜時の成膜圧力を制御すると共に、各ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂのパルス電圧のパルス幅、パルス電圧のパルス周波数、電圧を印加するターゲットを変更するスイッチング周波数等を制御する。
【００４０】
この方法では、金属銅よりなるターゲット２１ａとアルミニウムよりなるターゲット２１ｂの２つのターゲットを用いて成膜を行うため、放電の発光波長と発光強度のモニタリング結果に基づき、各ターゲット毎に適切なスパッタ条件を制御することにより、組成が精密に制御されたＣｕＡｌＯ２膜を得ることができる。
【００４１】
この方法では、ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに交互にパルス状の電力を印加することから、大電流をターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに流し、安定した高速成膜を低温にて長期に行うことができる。また、異常放電を大幅に抑制でき、ダメージの少ない高品質の膜が作製可能となる。特に、本実施の形態ではパルスパケット状の電圧を印加することから、一層大電流をターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに流すことができる。このため、低温で、高速に膜が形成されるため、透明導電膜２として特に耐熱性に優れた材料を使用する必要がなく、所望の材料を使用することができる。また、透明基板１についても、通常ガラスが用いられるが、このガラスのような耐熱性を持っていない他の材料（例、プラスチック）を使用することもできる。
【００４２】
酸素の導入量が過剰になると、ターゲット２１ａ，２１ｂの表面が完全に酸化され、成膜速度が非常に遅くなる。このような酸素の導入量が過剰な領域を「反応性スパッタ領域」と称する。一方、酸素の導入量が少な過ぎると、ターゲット表面が酸化されずに成膜が行われ、その結果、成膜中の酸素量が不足する。このような領域を「金属的スパッタ領域」と称する。本実施の形態では、ＰＥＭコントロールを行っているため、プラズマ中の金属の密度に基づいて適切な量の酸素を導入することができる。これにより、上記２領域の中間領域である「遷移領域」でのスパッタが可能となる。その結果、適切な量の酸素を含有した膜を高速で成膜することができる。
【００４３】
本実施の形態では、ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂと同数のＰＥＭ３１ａ，３１ｂが設けられ、各ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂにおける放電の発光波長及び発光強度を対応するＰＥＭ３１ａ，３１ｂによってモニタリングするため、各ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂの放電状況を個別に認識することができる。従って、各ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂごとにパルスパケット状の電圧のパルス幅、パルス周波数、スイッチング周波数等を変化させることにより、得られるＣｕＡｌＯ２膜の組成及び結晶性を一層精密に制御することができる。
【００４４】
本実施の形態において、成膜時の基板加熱を併用することにより、作製される膜の組成及び結晶性をより一層向上させることができる。
【００４５】
本実施の形態においては、各ターゲット電極に交互にパルス状の負の電圧が印加されるが、これに加え、間欠的に正の電圧を印加するようにしてもよい。この場合、負の電圧によってターゲットに蓄積された荷電が正の電圧により解消されるため、スパッタリング中にターゲットの縁部に酸化物等の絶縁膜が形成することが抑えられる。
【００４６】
本実施の形態では、１個の基板１を２個のターゲット電極２０Ａ，２０Ｂによって成膜する構成となっているが、３個以上のターゲット電極によって成膜する構成になっていてもよい。
【００４７】
上記実施の形態では、２つのスパッタリング部に共通のスイッチングユニット２４を設置したバイポーラ型デュアルマグネトロンスパッタリング法を用いたが、各スパッタリング部に個別にスイッチングユニットを設置したユニポーラ型デュアルマグネトロンスパッタリング法を用いてもよい。
【００４８】
本実施の形態では、ｐｎ接合型太陽電池について説明したが、ｐｉｎ型太陽電池やショットキー型太陽電池の光吸収層に本発明方法によって得られたＣｕＡｌＯ２膜を用いてもよい。また、太陽電池以外の電子デバイスや光デバイスに本発明のＣｕＡｌＯ２膜を用いてもよい。
【００４９】
本実施の形態ではＣｕＡｌＯ２膜の成膜方法について説明したが、他の複数の金属を含む酸化物よりなるｐ型透明酸化物膜についても本実施の形態と同様の方法で成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】実施の形態に係る太陽電池の模式的な断面図である。
【図２】デュアルカソード方式マグネトロンスパッタリング法を説明するための概略図である。
【図３】図２のターゲット電極に印加する電圧の一例を説明する図である。
【符号の説明】
【００５１】
１ 透明基板
２ 透明導電膜
３ ｐ層
４ ｎ層
５ 金属電極
１０ 太陽電池
２０ａ，２０ｂ 支持体
２０Ａ，２０Ｂ ターゲット電極
２１ａ，２１ｂ ターゲット
２２ａ，２２ｂ 磁石
２４ スイッチングユニット
２５ 交流電源
２６ カバー
２７ ガス導入口
２８ 排気口
３０ａ，３０ｂ コリメータ
３１ａ，３１ｂ ＰＥＭ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ｐ型透明酸化物膜の成膜方法に係り、特に組成が精密に制御された複数の金属を含む酸化物よりなるｐ型透明酸化物膜を成膜する方法に関する。また、本発明は、この成膜方法によって得られたｐ型透明酸化物膜を光吸収層として用いた太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
ｐ型透明酸化物導電体やｐ型透明酸化物半導体などのｐ型透明酸化物膜は、酸化物半導体を用いた電子・光デバイスの実現には必要不可欠の材料である。
【０００３】
Ｉ．通常、これらは金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法やセラミックスターゲットを用いたＲＦスパッタ法、パルスレーザー蒸着法などの物理的気相成長法を用いて作製される。しかしながら、これらの方法は成膜速度が遅く生産性が悪い。
【０００４】
例えば、金属ターゲットを用いて酸素含有雰囲気中でスパッタ成膜を行う反応性スパッタ法は、ターゲットが酸化物で皮膜してしまうために成膜速度が遅く生産性が悪い。また、酸化物で皮膜されたターゲットに大きな電圧を印加すると、アークが発生し、安定した放電が得られない。
【０００５】
II．特開２００３−１２３８５３号公報には、有機色素増感型金属酸化物半導体電極と、この電極に対向して設けられた対電極と、さらに両電極間にレッドクス電解質が注入されてなる有機色素増感型太陽電池において、この有機色素増感型金属酸化物半導体電極に使用される金属酸化物半導体をデュアルカソード方式マグネトロンスパッタリング法により作製することが記載されている。
【０００６】
上記公報の成膜方法にあっては、複数のターゲットに交互に間欠的な電圧を印加するため、大電流をターゲットに流し、安定した高速成膜を行うことができる。このため、異常放電を大幅に抑制でき、安定した長時間の放電が可能となりダメージの少ない高品質の膜が作製可能となる。
【特許文献１】特開２００３−１２３８５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記公報の成膜方法を用いて複数の金属を含む酸化物よりなるｐ型透明酸化物膜を作製する際に、合金ターゲットを用いた場合、各金属元素ごとにスパッタ率が異なるため、ターゲットの組成と得られる膜の組成がずれ、細かな組成制御が困難である。
【０００８】
本発明は、上記問題点を解消し、組成が精密に制御された複数の金属を含む酸化物よりなるｐ型透明酸化物膜を高速にて成膜する方法を提供することを目的とする。また、この成膜方法によって得られたｐ型透明酸化物膜を光吸収層として用いた太陽電池を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明（請求項１）のｐ型透明酸化物膜の成膜方法は、反応性スパッタ法によって複数の金属を含む酸化物よりなるｐ型透明酸化物膜を成膜する方法において、酸素ガスを含む雰囲気にて組成の異なる複数のターゲットに交互に間欠的な電圧を印加してスパッタを行い、スパッタ時における放電の発光波長と発光強度をモニタリングして、雰囲気中の酸素濃度及び各ターゲットのスパッタ速度を制御することにより成膜される膜の組成を制御することを特徴とするものである。
【００１０】
請求項２のｐ型透明酸化物膜の成膜方法は、請求項１において、前記ターゲットと同数のモニタが設けられ、各ターゲットにおける放電の発光波長と発光強度を対応するモニタを用いてモニタリングすることを特徴とするものである。
【００１１】
請求項３のｐ型透明酸化物膜の成膜方法は、請求項１又は２において、複数のパルス電圧よりなるパルスパケットを前記複数のターゲットに交互に間欠的に印加することを特徴とするものである。
【００１２】
請求項４のｐ型透明酸化物膜の成膜方法は、請求項１ないし３のいずれか１項において、前記反応性スパッタ法がバイポーラ型デュアルマグネトロンスパッタリング法又はユニポーラ型デュアルマグネトロンスパッタリング法であることを特徴とするものである。
【００１３】
請求項５のｐ型透明酸化物膜の成膜方法は、請求項１ないし４のいずれか1項において、スパッタ時における放電の発光波長及び発光強度をモニタリングすることによって、ターゲットが部分的に酸化されている遷移領域となるように酸素ガスの供給量を制御することを特徴とするものである。
【００１４】
請求項６のｐ型透明酸化物膜の成膜方法は、請求項１ないし５のいずれか１項において、スパッタ時における放電の発光波長と発光強度をモニタリングすることに加えて、さらに成膜時の成膜圧力、パルス電圧のパルス幅、パルス電圧のパルス周波数及び電圧を印加するターゲットを変更するスイッチング周波数の少なくとも一つを変化させることにより、膜の組成を制御することを特徴とするものである。
【００１５】
請求項７のｐ型透明酸化物膜の成膜方法は、請求項１ないしの６いずれか１項において、スパッタ時に基板を加熱することによりｐ型透明酸化物膜の結晶性と結晶系を制御することを特徴とするものである。
【００１６】
本発明（請求項８）の太陽電池は、光吸収層を有するｐｎ型、ｐｉｎ型、もしくはショットキー型太陽電池において、該光吸収層が請求項１ないし７のいずれか１項のｐ型透明酸化物膜の成膜方法によって成膜されたｐ型透明酸化物膜よりなることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明（請求項１）のｐ型透明酸化物膜の成膜方法にあっては、酸素ガスを含む雰囲気にて組成の異なる複数のターゲットに交互に間欠的な電圧を印加してスパッタを行い、スパッタ時における放電の発光波長と発光強度をモニタリングして、雰囲気中の酸素濃度及び各ターゲットのスパッタ速度を制御することにより成膜される膜の組成を制御することから、組成が精密に制御されたｐ型透明酸化物膜の成膜方法を得ることができる。
【００１８】
この成膜方法にあっては、複数のターゲットに交互に間欠的な電圧を印加するため、大電流をターゲットに流し、安定した高速成膜を行うことができる。この方法を用いることによって異常放電を大幅に抑制できることから、安定した長時間の放電が可能となりダメージの少ない高品質の膜が作製可能となる。
【００１９】
請求項２のｐ型透明酸化物膜の成膜方法にあっては、各ターゲットにおける放電の発光波長及び発光強度を対応するモニタによってモニタリングするため、各ターゲットの放電状況を個別に認識することができる。
【００２０】
請求項３のｐ型透明酸化物膜の成膜方法にあっては、各ターゲットにパルスパケットを印加するため、各ターゲットに単一のパルスを印加するときと比べて一層大電流を流すことができ、安定した高速成膜が可能となる。
【００２１】
このｐ型透明酸化物膜の成膜方法は、バイポーラ型デュアルマグネトロンスパッタリング法又はユニポーラ型デュアルマグネトロンスパッタリング法であることが好ましい（請求項４）。
【００２２】
請求項５のようにターゲットが部分的に酸化されている遷移領域となるように酸素ガスの供給量を制御することによって、より正確に所望の組成及び結晶構造を有するｐ型透明酸化物膜を得ることができる。
【００２３】
請求項６の通り、スパッタ時における放電の発光波長と発光強度をモニタリングすることに加えて、さらに成膜時の成膜圧力、パルス電圧のパルス幅、パルス電圧のパルス周波数、電圧を印加するターゲットを変更するスイッチング周波数の少なくとも一つを変化させることによって酸素のｐ型透明酸化物膜中の含有量を制御することより、一層正確に所望の組成及び結晶構造を有するｐ型透明酸化物膜を得ることができる。
【００２４】
請求項７のようにスパッタ時に基板を加熱することにより、ｐ型透明酸化物膜の組成及び結晶性を制御することができる。
【００２５】
本発明（請求項８）の太陽電池にあっては、光吸収層が前記ｐ型透明酸化物膜の成膜方法によって成膜されたものであるため、組成が精密に制御された高性能の太陽電池を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２７】
図１は実施の形態に係る太陽電池の模式的な断面図である。太陽電池１０は、透明基板１と、この透明基板１上に設けられた透明導電膜２と、この透明導電膜２上にスパッタリングによって形成されたｐ層３及びｎ層４と、このｎ層４上に設けられた金属電極５とからなる。
【００２８】
透明基板１としては、例えばケイ酸アルカリ系ガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等のガラスを使用することができる。また、アクリル等の種々のプラスチック基板等を使用することもできる。またＰＥＴなどの高分子フィルム基材も用いることができる。基板の厚さは０．１〜１０ｍｍが一般的であり、０．３〜５ｍｍが好ましい。ガラス板は、化学的に、或いは熱的に強化させたものが好ましい。
【００２９】
透明導電膜２としては、導電性金属酸化物薄膜や金属等の導電性材料からなる基板が用いられる。導電性金属酸化物の好ましい例としては、Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２：Ｓｂ、ＳｎＯ２：Ｆ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｆ、ＣｄＳｎＯ４を挙げることができる。
【００３０】
ｐ層３は、後述する本発明方法によって成膜されたＣｕＡｌＯ２膜である。
【００３１】
ｎ層４は金属の酸化物又は金属の酸化窒化物であり、好ましくはＴｉ、Ｚｎ及びＳｎの少なくとも一つを含む金属の酸化物又はＴｉ、Ｚｎ及びＳｎの少なくとも一つを含む金属の酸化窒化物であり、例えばＴｉＯ２，ＺｎＯ，ＳｎＯ２などである。
【００３２】
金属電極５としては、白金、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉ等が使用できる。
【００３３】
図２はデュアルカソード方式マグネトロンスパッタリング法を説明するための概略図であり、図３は図２のターゲット電極に印加する電圧の一例を説明する図である。支持体２０ａ上にターゲット２１ａを設けてなるターゲット電極２０Ａと、その下方に配置された磁石２２ａとから構成されるスパッタリング部、及び支持体２０ｂ上にターゲット２１ｂを設けてなるターゲット電極２０Ｂと、その下方に配置された磁石２２ｂとから構成されるスパッタリング部が隣接して設置され、これらのスパッタリング部に、スイッチングユニット２４を介して、交流電源２５が接続されている。ターゲット２１ａは金属銅よりなっており、ターゲット２１ｂはアルミニウムよりなっている。
【００３４】
これらターゲット電極２０Ａ，２０Ｂはカバー２６によって覆われている。カバー２６は排気口２８を介してポンプ（図示略）に接続されており、ガス導入口２７を介してガス供給源（図示略）に接続されている。
【００３５】
カバー２６内にコリメータ３０ａ，３０ｂが設けられており、これらコリメータ３０ａ，３０ｂは各々カバー２６の外側に設けられたプラズマエミッションモニター（以下ＰＥＭと称することがある。）３１ａ，３１ｂに接続されている。
【００３６】
ＰＥＭは、プラズマの発光をコリメータで集光し、光倍増幅管（ＰＭ）で光電変換した電気信号を監視する装置である。ＰＥＭはある一定の感度に設定されてプラズマの発光強度をモニタするようになっている。
【００３７】
カバー２６内部に、透明導電膜２（図２では省略）が表面に形成された透明基板１を導入し、ポンプによってカバー２６内を真空にした後、アルゴン中に酸素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。そして、図３の通り、ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに一定の周期で交互にパルスパケット状の電圧を印加して、グロー放電を形成させる。これにより、ターゲット２１ａ，２１ｂから粒子がスパッタされ、この粒子がターゲット２１ａ，２１ｂの上方の基板１上に付着する。この際、ターゲット２１ａ，２１ｂ又はスパッタされた粒子は酸素ガスによって酸化される。これにより、ＣｕＡｌＯ２膜よりなるｐ層３が形成する。
【００３８】
コリメータ３０ａ，３０ｂは放電中のプラズマの方向に向けられており、このコリメータ３０ａ，３０ｂを介して得られたプラズマの発光スペクトルが、図示しないフィルタ及び光倍増幅管を介して電気信号となりＰＥＭ３１ａ，３１ｂに取り込まれる。ＰＥＭ３１ａのフィルタとしては銅の発光スペクトルの波長２０４〜３２８ｎｍ用のものを、ＰＥＭ３１ｂのフィルタとしてはアルミニウムの発光スペクトルの波長２２６〜３９７ｎｍ用のものを、それぞれ用いることができる。このＰＥＭ３１ａ，３１ｂによってプラズマ中の銅及びアルミニウムの発光強度が常に一定になるように制御される。
【００３９】
即ち、スパッタされた銅とアルミニウムのモル比が１：１となるときの銅とアルミニウムの発光強度を予め計算や実験によって定めておき、成膜時の発光強度がこれらの発光強度となるように、酸素ガスの導入流量や成膜時の成膜圧力を制御すると共に、各ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂのパルス電圧のパルス幅、パルス電圧のパルス周波数、電圧を印加するターゲットを変更するスイッチング周波数等を制御する。
【００４０】
この方法では、金属銅よりなるターゲット２１ａとアルミニウムよりなるターゲット２１ｂの２つのターゲットを用いて成膜を行うため、放電の発光波長と発光強度のモニタリング結果に基づき、各ターゲット毎に適切なスパッタ条件を制御することにより、組成が精密に制御されたＣｕＡｌＯ２膜を得ることができる。
【００４１】
この方法では、ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに交互にパルス状の電力を印加することから、大電流をターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに流し、安定した高速成膜を低温にて長期に行うことができる。また、異常放電を大幅に抑制でき、ダメージの少ない高品質の膜が作製可能となる。特に、本実施の形態ではパルスパケット状の電圧を印加することから、一層大電流をターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに流すことができる。このため、低温で、高速に膜が形成されるため、透明導電膜２として特に耐熱性に優れた材料を使用する必要がなく、所望の材料を使用することができる。また、透明基板１についても、通常ガラスが用いられるが、このガラスのような耐熱性を持っていない他の材料（例、プラスチック）を使用することもできる。
【００４２】
酸素の導入量が過剰になると、ターゲット２１ａ，２１ｂの表面が完全に酸化され、成膜速度が非常に遅くなる。このような酸素の導入量が過剰な領域を「反応性スパッタ領域」と称する。一方、酸素の導入量が少な過ぎると、ターゲット表面が酸化されずに成膜が行われ、その結果、成膜中の酸素量が不足する。このような領域を「金属的スパッタ領域」と称する。本実施の形態では、ＰＥＭコントロールを行っているため、プラズマ中の金属の密度に基づいて適切な量の酸素を導入することができる。これにより、上記２領域の中間領域である「遷移領域」でのスパッタが可能となる。その結果、適切な量の酸素を含有した膜を高速で成膜することができる。
【００４３】
本実施の形態では、ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂと同数のＰＥＭ３１ａ，３１ｂが設けられ、各ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂにおける放電の発光波長及び発光強度を対応するＰＥＭ３１ａ，３１ｂによってモニタリングするため、各ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂの放電状況を個別に認識することができる。従って、各ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂごとにパルスパケット状の電圧のパルス幅、パルス周波数、スイッチング周波数等を変化させることにより、得られるＣｕＡｌＯ２膜の組成及び結晶性を一層精密に制御することができる。
【００４４】
本実施の形態において、成膜時の基板加熱を併用することにより、作製される膜の組成及び結晶性をより一層向上させることができる。
【００４５】
本実施の形態においては、各ターゲット電極に交互にパルス状の負の電圧が印加されるが、これに加え、間欠的に正の電圧を印加するようにしてもよい。この場合、負の電圧によってターゲットに蓄積された荷電が正の電圧により解消されるため、スパッタリング中にターゲットの縁部に酸化物等の絶縁膜が形成することが抑えられる。
【００４６】
本実施の形態では、１個の基板１を２個のターゲット電極２０Ａ，２０Ｂによって成膜する構成となっているが、３個以上のターゲット電極によって成膜する構成になっていてもよい。
【００４７】
上記実施の形態では、２つのスパッタリング部に共通のスイッチングユニット２４を設置したバイポーラ型デュアルマグネトロンスパッタリング法を用いたが、各スパッタリング部に個別にスイッチングユニットを設置したユニポーラ型デュアルマグネトロンスパッタリング法を用いてもよい。
【００４８】
本実施の形態では、ｐｎ接合型太陽電池について説明したが、ｐｉｎ型太陽電池やショットキー型太陽電池の光吸収層に本発明方法によって得られたＣｕＡｌＯ２膜を用いてもよい。また、太陽電池以外の電子デバイスや光デバイスに本発明のＣｕＡｌＯ２膜を用いてもよい。
【００４９】
本実施の形態ではＣｕＡｌＯ２膜の成膜方法について説明したが、他の複数の金属を含む酸化物よりなるｐ型透明酸化物膜についても本実施の形態と同様の方法で成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】実施の形態に係る太陽電池の模式的な断面図である。
【図２】デュアルカソード方式マグネトロンスパッタリング法を説明するための概略図である。
【図３】図２のターゲット電極に印加する電圧の一例を説明する図である。
【符号の説明】
【００５１】
１ 透明基板
２ 透明導電膜
３ ｐ層
４ ｎ層
５ 金属電極
１０ 太陽電池
２０ａ，２０ｂ 支持体
２０Ａ，２０Ｂ ターゲット電極
２１ａ，２１ｂ ターゲット
２２ａ，２２ｂ 磁石
２４ スイッチングユニット
２５ 交流電源
２６ カバー
２７ ガス導入口
２８ 排気口
３０ａ，３０ｂ コリメータ
３１ａ，３１ｂ ＰＥＭ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応性スパッタ法によって複数の金属を含む酸化物よりなるｐ型透明酸化物膜を成膜する方法において、
酸素ガスを含む雰囲気にて組成の異なる複数のターゲットに交互に間欠的な電圧を印加してスパッタを行い、
スパッタ時における放電の発光波長と発光強度をモニタリングして、雰囲気中の酸素濃度及び各ターゲットのスパッタ速度を制御することにより成膜される膜の組成を制御することを特徴とするｐ型透明酸化物膜の成膜方法。
【請求項２】
請求項１において、前記ターゲットと同数のモニタが設けられ、各ターゲットにおける放電の発光波長と発光強度を対応するモニタを用いてモニタリングすることを特徴とするｐ型透明酸化物膜の成膜方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、複数のパルス電圧よりなるパルスパケットを前記複数のターゲットに交互に間欠的に印加することを特徴とするｐ型透明酸化物膜の成膜方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、前記反応性スパッタ法がバイポーラ型デュアルマグネトロンスパッタリング法又はユニポーラ型デュアルマグネトロンスパッタリング法であることを特徴とするｐ型透明酸化物膜の成膜方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか1項において、スパッタ時における放電の発光波長及び発光強度をモニタリングすることによって、ターゲットが部分的に酸化されている遷移領域となるように酸素ガスの供給量を制御することを特徴とするｐ型透明酸化物膜の成膜方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、スパッタ時における放電の発光波長と発光強度をモニタリングすることに加えて、さらに成膜時の成膜圧力、パルス電圧のパルス幅、パルス電圧のパルス周波数及び電圧を印加するターゲットを変更するスイッチング周波数の少なくとも一つを変化させることにより、膜の組成を制御することを特徴とするｐ型透明酸化物膜の成膜方法。
【請求項７】
請求項１ないしの６いずれか１項において、スパッタ時に基板を加熱することによりｐ型透明酸化物膜の結晶性と結晶系を制御することを特徴とするｐ型透明酸化物膜の成膜方法。
【請求項８】
光吸収層を有するｐｎ型、ｐｉｎ型、もしくはショットキー型太陽電池において、該光吸収層が請求項１ないし７のいずれか１項のｐ型透明酸化物膜の成膜方法によって成膜されたｐ型透明酸化物膜よりなることを特徴とする太陽電池。
【請求項１】
反応性スパッタ法によって複数の金属を含む酸化物よりなるｐ型透明酸化物膜を成膜する方法において、
酸素ガスを含む雰囲気にて組成の異なる複数のターゲットに交互に間欠的な電圧を印加してスパッタを行い、
スパッタ時における放電の発光波長と発光強度をモニタリングして、雰囲気中の酸素濃度及び各ターゲットのスパッタ速度を制御することにより成膜される膜の組成を制御することを特徴とするｐ型透明酸化物膜の成膜方法。
【請求項２】
請求項１において、前記ターゲットと同数のモニタが設けられ、各ターゲットにおける放電の発光波長と発光強度を対応するモニタを用いてモニタリングすることを特徴とするｐ型透明酸化物膜の成膜方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、複数のパルス電圧よりなるパルスパケットを前記複数のターゲットに交互に間欠的に印加することを特徴とするｐ型透明酸化物膜の成膜方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、前記反応性スパッタ法がバイポーラ型デュアルマグネトロンスパッタリング法又はユニポーラ型デュアルマグネトロンスパッタリング法であることを特徴とするｐ型透明酸化物膜の成膜方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか1項において、スパッタ時における放電の発光波長及び発光強度をモニタリングすることによって、ターゲットが部分的に酸化されている遷移領域となるように酸素ガスの供給量を制御することを特徴とするｐ型透明酸化物膜の成膜方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、スパッタ時における放電の発光波長と発光強度をモニタリングすることに加えて、さらに成膜時の成膜圧力、パルス電圧のパルス幅、パルス電圧のパルス周波数及び電圧を印加するターゲットを変更するスイッチング周波数の少なくとも一つを変化させることにより、膜の組成を制御することを特徴とするｐ型透明酸化物膜の成膜方法。
【請求項７】
請求項１ないしの６いずれか１項において、スパッタ時に基板を加熱することによりｐ型透明酸化物膜の結晶性と結晶系を制御することを特徴とするｐ型透明酸化物膜の成膜方法。
【請求項８】
光吸収層を有するｐｎ型、ｐｉｎ型、もしくはショットキー型太陽電池において、該光吸収層が請求項１ないし７のいずれか１項のｐ型透明酸化物膜の成膜方法によって成膜されたｐ型透明酸化物膜よりなることを特徴とする太陽電池。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００６−９０８４（Ｐ２００６−９０８４Ａ）
【公開日】平成１８年１月１２日（２００６．１．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−１８７４１９（Ｐ２００４−１８７４１９）
【出願日】平成１６年６月２５日（２００４．６．２５）
【出願人】（０００００５２７８）株式会社ブリヂストン (11,469)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１月１２日（２００６．１．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年６月２５日（２００４．６．２５）
【出願人】（０００００５２７８）株式会社ブリヂストン (11,469)
【Ｆターム（参考）】
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