【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】高い解像度を有する有機ＥＬ発光装置が得られ、かつ生産性が高い有機ＥＬ発光装置の製造装置を提供する。
【解決手段】複数のマスク部材１０と、複数のマスク部材１０を固定するフレーム２０と、からなるマスクユニット２と、マスク部材１０と基板４０との相対位置を決めるアライメント機構と、蒸着源３０と、を備え、マスク部材１０が、複数組の開孔パターン１２が並列して設けられてなる開孔部１１と、マスク部材１０上であってマスク部材１０とフレーム２０とが接合している領域に設けられるアライメントマーク１４，１５と、を有し、マスク部材１０と、マスク部材１０と同一の形状の基板４０と、が、前記アライメント機構を用いて、マスク部材１０に設けられるアライメントマーク１４、１５と基板４０に設けられるアライメントマーク４２、４３とを合わせることによってアライメントが行われる。 （もっと読む）

【課題】分光特性の再現性が良く、さらに帯電抑制を図る。
【解決手段】光学フィルタ１には、透明基板２と、透明基板２上に形成されたフィルタ群３とが備えられている。フィルタ群３は、ＩＡＤ蒸着法により形成された高屈折率材料からなる第１薄膜３１と、ＥＢ蒸着法により形成された低屈折率材料のＳｉＯ₂からなる第２薄膜３２とが交互に複数積層されてなる。 （もっと読む）

【課題】裏面に反射膜を積層したサファイア基板の内部にストリートに沿って改質層を形成することができ、かつ反射膜をストリートに沿って切断することができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の光デバイスが格子状のストリート２２で区画形成されたサファイア基板２０をストリートに沿って分割するサファイア基板の加工方法であって、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光を裏面側から基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ストリートに沿って改質層を形成する工程と、基板の裏面に反射膜２１０を積層する工程と、裏面に積層された反射膜側から反射膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、反射膜をストリートに沿って切断する工程と、基板に外力を付与して基板を変質層が形成されたストリートに沿って破断し、個々の光デバイスに分割する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】蒸着時の突沸を防止して膜上のパーティクルを低減すると同時に、蒸着材料の使用効率を向上させる装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム蒸着装置において、蒸着材料が充填される坩堝、前記蒸着材料に電子ビームを照射して該蒸着材料を蒸発させるための電子銃、及び前記坩堝に対向して配置され、蒸発した前記蒸着材料が成膜される基板を保持する基板保持部を備え、前記電子ビームの出力電力が１．２〜３．０ｋＷの範囲で、前記成膜の条件に基づいて加速電圧が数値２ｋＶ以上〜６ｋＶ未満の範囲で設定されるよう構成した。 （もっと読む）

【課題】純金属ターゲットで反応性スパッタリング方法を用いて作製されたフッ化物及びフッ素をドープした酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】純金属のターゲット材料２を用い、反応性スパッタリング方法により作製された、高屈折率のフッ素ドープ酸化金属薄膜及び低屈折率のフッ化金属薄膜を備える深紫外光メッキ膜４であって、フッ素ドープ酸化金属薄膜は、ターゲット材料２からはじき飛ばされた金属原子が酸素ガスと結合することにより、金属酸化物が形成され、その金属酸化物が、フッ素を含むガスからはじき飛ばされたフッ素（Ｆ）イオンとフッ素（Ｆ）励起態原子と反応して堆積して形成されものである。また、フッ化金属薄膜は、フッ素を含むガスを励起してはじき飛ばされたフッ素（Ｆ）イオンとフッ素（Ｆ）励起態原子がターゲット材料に衝突し、金属原子がはじき飛ばされ、その金属原子と反応して堆積して形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】多数の基板上の特定部分のみに薄膜を形成する作業を簡素化して効率化することにより、薄膜形成時の作業時間を短縮し、成膜作業における費用の低減が可能な薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１００に備えられた基板保持機構３は、基板の非成膜部分の一部が他の基板と重なり合い、成膜部分が露出するように複数の基板を保持する基板保持部材１０〜４０と、基板保持部材１０〜４０を支持する支持部材５０と、支持部材５０を回転させる回転部材６０と、を備え、基板保持部材１０〜４０は、複数の基板を保持し、成膜源４と複数の基板との間に配設される複数の保持面と、複数の保持面の間に形成され、複数の基板の端部とそれぞれ当接する複数の段差部と、複数の段差部に基板の端部が当接した状態にあるとき、成膜部分に相当する部分の保持面上に形成された複数の開口部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子、光電変換素子等を含む各種光学素子の増強要素として有用なプラズモン材料を製造するための方法を提供する。
【解決手段】３０個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されてなる金属系粒子集合体を製造する方法であって、１００〜４５０℃の範囲内に温度調整された基板上に、１ｎｍ／分未満の平均高さ成長速度で金属系粒子を成長させる工程を含む金属系粒子集合体の製造方法である。該製造方法により、平均粒径が２００〜１６００ｎｍ、平均高さが５５〜５００ｎｍ、平均高さに対する平均粒径の比で定義されるアスペクト比が１〜８である金属系粒子からなる金属系粒子集合体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】亀裂がなく、かつ、抵抗が低いタングステン遮光膜を得ることが可能なタングステン遮光膜の製造方法およびタングステン遮光膜を提供する。
【解決手段】本発明のタングステン遮光膜の製造方法は、基板１１の一面１１ａに窒化タングステン膜を成膜する成膜工程と、窒化タングステン膜が形成された基板１１を熱処理する熱処理工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】近赤外線から遠赤外線までの広帯域における赤外線遮断機能を有する低コストの赤外線光学フィルタを提供する。
【解決手段】８００ｎｍ〜２００００ｎｍの波長域の赤外線を制御する赤外線光学フィルタであって、半導体基板１と、当該半導体基板１の一表面側に形成された広帯域遮断フィルタ部２と、当該半導体基板２の他表面側に形成された狭帯域透過フィルタ部３とを備えている。広帯域遮断フィルタ部２は、屈折率が異なる複数種類の薄膜２ａ，２ｂが積層された多層膜からなり、当該複数種類の薄膜２ａ，２ｂのうち１種類の薄膜２ａが遠赤外線を吸収する遠赤外線吸収材料（Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２の群から選択される酸化物もしくはＳｉ_３Ｎ_４からなる窒化物）により形成され、残りの１種類の薄膜２ｂが上記遠赤外線吸収材料よりも屈折率の高い高屈折率材料であるＳｉにより形成されている。半導体基板１は、Ｓｉ基板である。 （もっと読む）

【課題】低光吸収率の透明導電膜を安定的に成膜できることで、高い品質が確保できる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、透光性基板１１に、ｎ型半導体層１２１、発光層１２２およびｐ型半導体層１２３が積層された半導体層１２と、半導体層１２に積層され、金属酸化物からなる成膜材料により成膜された透明導電膜１３と、透明導電膜１３に積層された反射部１４とを備えている。この透明導電膜を成膜する際には、半導体層に透明導電膜の原膜をスパッタにより成膜するスパッタ工程と、原膜を酸素含有雰囲気ガスによりアニールする第１アニール工程と、酸素非含有雰囲気ガスによりアニールする第２アニール工程との２段階アニールを行う。第１アニール工程または第２アニール工程では、雰囲気温度が６００℃より高く、６８０℃より低くなるような範囲で行う。 （もっと読む）

【課題】前駆体薄膜中のＩＢ族元素及びＩＩＩＢ族元素とＶＩＢ族元素との発熱反応を抑制し、結晶成長を良好にし、ボイド等が少ない綺麗な連続膜である化合物半導体薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）スパッタリング法により、基板上に、（ＩＢ族元素）−（Ｉｎ_ｘ、Ｇａ_１−ｘ）−（ＶＩＢ族元素）_２（但し、０＜ｘ＜１である）の組成を有する複数の膜を、この複数の膜中のＩｎ元素含量（ｘ）が下層から上層へと増加し、かつＧａ元素含量（１−ｘ）が下層から上層へと減少するように形成した後、その上に、上記組成を有し、Ｉｎ元素含量がその下の膜中のＩｎ元素含量よりも少なく、Ｇａ元素含量がその下の膜中のＧａ元素含量よりも多い膜を形成し、基板上に前駆体薄膜を形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）で形成される前駆体薄膜の少なくとも１層の形成毎に、ＶＩＢ族元素の蒸気を供給し、接触させながら熱処理を施す工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によってＭｇＦ_２薄膜を形成するとともに、実用上問題のない反射率特性を維持しつつ、耐擦傷性の高い反射防止膜を提供する。
【解決手段】波長５００ｎｍにおける屈折率が１．３４〜１．４４のポーラスＳｉＯ_２層と、ポーラスＳｉＯ_２層の基板から遠い面に隣接するように形成された、膜厚５〜５０ｎｍのＭｇＦ_２層と、を有する。また、成膜圧力を０．５〜１０Ｐａに設定してＳｉＯ_２をスパッタリング成膜する第１工程と、第１工程で成膜したＳｉＯ_２上に、粒径０．１〜１０ｍｍの顆粒状ＭｇＦ_２をターゲットとし、Ｏ_２ガス雰囲気でＭｇＦ_２をスパッタリング成膜する第２工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】塊状に変容した蒸着材料の残滓を複雑な機構や専用のアクチュエータを用いることなく、自動的に簡便に除去する。
【解決手段】リング状のターンテーブル５の上面に円環状の溝７を形成する。供給装置１２により溝７の中に顆粒状の蒸着材料１０を一定量ずつ供給する。ターンテーブル５を回転させ、エリア５ｂに供給された蒸着材料１０を蒸発位置Ｂで蒸発させ成膜を行う。一層目の成膜の後、ターンテーブル５を回転させ、エリア５ｂを休止位置Ｃに移動する。蒸発位置Ｂと休止位置Ｃとの間に、ターンテーブル５の移動路を横切るようにトラップ手段２４が設けられ、櫛歯状に並列させた複数本のアーム２５が塊状になった材料残滓をターンテーブル５の上から排除する。 （もっと読む）

【課題】耐熱温度の低い樹脂材料などに、膜応力が大きい膜材料を成膜するときに、膜クラックの発生が少なく、環境試験寿命を大幅に長くできるスパッタリング方法を提供することを目的としている。
【解決手段】樹脂基板９などに高屈折率膜１５，低屈折率膜１６，高屈折率膜１７，低屈折率膜１８をスパッタする場合に、スパッタの開始前の圧力を１０^−１Ｐａ台の低真空として、膜応力を引張応力とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着膜の膜厚の精度が向上する蒸着膜形成体の製造方法を提供する。
【解決手段】蒸着装置及び被蒸着物が準備される。蒸着装置は、真空槽及び蒸着源を備える。蒸着源は、真空槽内に設置され、蒸着材料を蒸発させる。蒸着装置及び被蒸着物が準備された後に、真空槽内に被蒸着物が収容される。真空槽内に被蒸着物が収容された後に、真空槽内からの排気が開始され、真空槽内が減圧状態にされる。真空槽内が減圧状態にされた後に、蒸着源からの蒸着材料の蒸発が開始させられ、蒸着材料からなる蒸着膜が被蒸着物に形成される。蒸着源からの蒸着材料の蒸発が開始させられた後に、蒸着源からの蒸着材料の蒸発が終了させられる。同時に、真空槽内からの排気が終了させられ、真空槽内へ気体が導入され、減圧状態が解消される。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸形状が形成されている長尺シートを用いた場合に、凹凸形状のうち一部に蒸着材料を選択的に蒸着することが可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】表面に凹凸形状が形成されている長尺シートＷ１における凹凸形状の一部に、蒸着材料Ｍを選択的に蒸着する蒸着装置であって、長尺シートＷ１を搬送する搬送部２０と、蒸着時において蒸着材料Ｍを収容し加熱する蒸着源３０と、蒸着材料Ｍの放出方向を制限する放出方向制限部４０とを備えることを特徴とする蒸着装置１。 （もっと読む）

【課題】基板に蒸着材料を付着して光学薄膜を形成するハースライナーにおいて、電子銃からの電子ビームを蒸着材料に照射して溶融・気化する際に生じる突沸（スプラッシュ）を防止する。
【解決手段】電子銃から電子ビームを蒸着材料に照射して基板に光学薄膜を形成する真空蒸着装置のハースライナー１において、該ハースライナー１の蒸着材料収納部２の断面形状が、浅い半円形（球）状（おわん状）であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の成膜バッチを連続して安定に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜プロセス領域及び反応プロセス領域が配置される成膜室に対し、開閉可能な隔絶手段１１ｂを介して接続されたロードロック室１１Ｂには、内壁面より内側を加熱可能な加熱装置９０が設けられ、ロードロック室１１Ｂ内を排気可能な真空ポンプ１５’が接続されている。ロードロック室１１Ｂには、ロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成分としての水分を凝結捕捉可能なガス凝結捕捉装置７０を設ける。ガス凝結捕捉装置７０は、ロードロック室１１Ｂの内壁面付近に配置され、低温流体の、ロードロック室外からの導入とロードロック室内での循環を許容する配管７２を含み、低温流体を配管７２に導入し循環させることによって低温化した配管７２の外側表面にロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成を凝結捕捉させる。 （もっと読む）

【課題】光量を高めた特殊な光源や感度の高い特殊な検出器を用いることなく、成膜される光学薄膜の膜厚を、高い精度で計測する光学式膜厚モニターを備えた成膜装置を得ることである。
【解決手段】モニター基板と、真空チャンバーの外に設置され、透明窓を介してモニター基板にモニター光を投射する発光手段と、モニター基板から反射され、真空チャンバーの外に導出されるモニター光を受光する受光手段と、受光手段で計測したモニター光の強度変化から、被成膜部材に形成される薄膜の膜厚を算出する手段とを有する光学式膜厚モニターを備えた成膜装置であって、モニター基板が、平面に半導体でなる膜厚が１００ｎｍ未満の第１の薄膜を備えているものである。 （もっと読む）