【課題】均一な膜厚、膜質の膜を形成できるプラズマ処理装置、及び均一な膜厚、膜質を有する光起電力素子を提供する。
【解決手段】基板を保持することが可能な第１電極３と、第１電極と対向するように設置され、第１電極と対向する部分に複数のガス供給口４ａが形成されるとともに高周波電力が印加される第２電極４とを備え、第２電極は、複数のガス供給口が同心円に沿って設けられると共に、隣接する同心円間の距離が内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置１を用いて、透明導電膜上に非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた絶縁性能と耐電圧性を有し、耐高温強度に優れるアルミニウム合金基板を提供し、これを用いてフレキシブルな薄膜系太陽電池をロール・ツー・ロール方式で効率良く生産する方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムを２．０〜７．０質量％含有し、残部がアルミニウムおよび不可避不純物から成るアルミニウム合金２の表面に１μｍ超〜３０μｍ厚さの絶縁性を有する酸化膜３を有する基板を、ロール状に巻かれたアルミニウム合金板２を連続的に送り出して陽極酸化処理、封孔処理等を行うことによって製造し、一旦ロール状に巻き取り、次にロール状に巻き取った絶縁層３を備えるアルミニウム合金２連続的に送り出して裏面電極層４、光吸収層５を形成する行程を含む薄膜系太陽電池１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】太陽電池や発光ダイオードなどの半導体素子に多元系硫化物薄膜を用いる際に好適な電気伝導性・強度を有する裏面電極材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面に金属珪化物と硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。あるいは、珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することで金属珪化物薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。 （もっと読む）

【課題】絶縁分離領域において必要な絶縁耐電圧を安定して確保できる薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】透明電極層、光電変換層および裏面電極層が順次積層された透明絶縁基板にレーザ光を２回以上照射することにより、透明絶縁基板の周縁に位置する、透明電極層の一部、光電変換層の一部および裏面電極層の一部をそれぞれ除去して絶縁分離領域を形成する工程を含む、光電変換装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】例えば量子ドットを含む層の材料の選択範囲を広げた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様の光電変換装置は、第１導電型基板（ｐ型単結晶シリコン基板１００）、第１の中間層（ｉ型半導体層１１０または絶縁層１６０）、及び第２導電型半導体層（ｎ型半導体層１２０）を備える。そして、第１の中間層（ｉ型半導体層１１０または絶縁層１６０）は少なくともコアを備えた量子ドット（ナノ粒子）を含んでいる。第１導電型基板は単結晶シリコンなどの結晶半導体によって形成される。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン層を発電層として含む光電変換装置において、フィルファクタを低下させることなく、開放電圧を向上させる。
【解決手段】ｐ型ドーパントを含むｐ型層４０、発電層となる微結晶シリコン層を含むｉ型層４２及びｎ型ドーパントを含むｎ型層４４の積層構造を備え、ｉ型層４２は、ｐ型層４０とｎ型層４４との間に設けられ、５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚を有する微結晶炭化シリコン層４２ａを備える構造とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜光電変換装置において、大面積化に適した技術により歩留まりの低下を引き起こさずに高生産性を維持し、かつ、酸化亜鉛からなる透明電極層と光電変換ユニットとの間に良好な接合界面を形成することにより光電変換装置の変換効率を改善する。
【解決手段】光入射側から順に、少なくとも酸化亜鉛層と、ｐ型半導体層と、光電変換層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、酸化亜鉛層とｐ型半導体層からなる界面近傍における酸化亜鉛の化学量論組成比をＺｎ：Ｏ＝１＋Ｎ：１（ただし、Ｎ＞０）としたことを特徴とする、光電変換装置。 （もっと読む）

【課題】光電変換半導体層の表面処理にＫＣＮを用いることなく、光電変換素子の変換効率を向上させる。
【解決手段】基板１０上に、下部電極２０、光電変換半導体層３０、バッファ層４０、透光性導電層６０が順次積層された光電変換素子１の製造方法であって、アミノ基を有する化合物と過酸化水素とを含有する表面処理液により光電変換半導体層３０表面の表面処理を行った後、この表面処理をした光電変換半導体層３０上にバッファ層４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の良好な太陽電池を得る。
【解決手段】フェライト系ステンレス鋼からなる基材１３の少なくとも一方の面に、Ａｌ材１１が一体化されたものを金属基板１４とし、金属基板１４のＡｌ材１１の表面に、Ａｌの陽極酸化膜１２が電気絶縁層として形成されてなる絶縁層付金属基板１０上に、下部電極２０を介して、少なくとも、銅および／または銀を含むIｂ族元素含有粒子、およびアルミニウム、インジウム、ガリウムのうち少なくとも１つを含むIIIｂ族元素含有粒子を用いて光電変換層３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】モノリシック構造を採用した色素増感現象による光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１は、透光性基板２と、透光性基板２上に部分的に配置された第１の透光性導電層３と、透光性基板２上に第１の透光性導電層３より間隔をあけて設けられた第２の透光性導電層４と、第１の透光性導電層３上に設けた多孔質半導体層５と、多孔質半導体層５の表面に吸着された色素６と、多孔質半導体層５とそれぞれの透光性導電層３、４間を覆うように設けられた多孔質絶縁層７と、多孔質絶縁層７および第２の透光性導電層４上に連続して設けた多孔質カーボン導電層８と、それぞれの透光性導電層３、４と接触し、多孔質絶縁層７と多孔質カーボン導電層８を囲う封止部材９と、多孔質半導層５と多孔質絶縁層７および多孔質カーボン導電層８の微細孔に設けた封止部材９に囲まれた電荷輸送層１０とで形成される。 （もっと読む）

【課題】少数キャリアバルクライフタイムの高い、高効率な太陽電池を安価に製造できる太陽電池の製造方法及びこの製造方法によって得られる太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン基板１を、この基板とは異なる導電型の不純物存在下で高温熱処理して不純物拡散層２を形成した後、この不純物拡散層２に電気的に接続する電極４，６，７を形成して太陽電池を製造するに際し、上記高温熱処理して不純物拡散層を形成した後、この高温熱処理温度よりも低い温度で、好ましくは高温熱処理炉とは異なる熱処理炉を用いて低温熱処理を行うことで、基板中に存在する鉄や亜鉛等の金属不純物をｎ型拡散層２、ＰＳＧ（リン珪酸塩）層等のデバイス不活性な領域内にゲッタリング（捕獲）して、少数キャリアバルクライフタイムの高い基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】スクライブ位置の誤差に起因する非発電領域を削減し、発電効率を向上させることができるカルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に裏面電極を成膜・分割する工程と、裏面電極上に光吸収層を成膜・分割する工程と、光吸収層上に透明電極を成膜・分割する工程とを備えたカルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法であり、光吸収層の分割工程および透明電極の分割工程の少なくとも一方は、基板の成膜側と反対側から波長８００〜２０００ｎｍの赤外光を照射し、裏面電極の分割溝を透過して基板の成膜側へ達する赤外光を基板の成膜側に設けた撮像手段によって検出し、赤外光の濃淡により分割溝の端部の位置を認識し、認識した溝の端部の位置に基いて光吸収層および／または透明電極のスクライブ位置を決定し、撮像手段は、スクライブ手段と一体化して設けられ、両者は一体となって駆動することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換層として結晶化率および結晶配向性が高い良質な微結晶シリコン薄膜を備えた光電変換効率に優れた光電変換装置をより効率良く作製すること。
【解決手段】微結晶シリコン光電変換層をＰＣＶＤ装置を用いて形成する条件として、（１）プラズマ電極と微結晶シリコン光電変換層の形成基板との対向面間の距離ｄが５ｍｍ〜７ｍｍ（２）形成基板の温度が２００℃（３）製膜室内に導入される反応ガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスとを含み、且つ、製膜室内に導入される全ガスに対するシラン系ガスの濃度が１体積％（４）製膜室内の圧力ｐが１０００Ｐａ〜１５００Ｐａ（５）プラズマ電極に印加する高周波電圧の周波数が６０ＭＨｚであり、且つ電力密度が０．２８Ｗ／ｃｍ^２（６）製膜室内の圧力ｐと、プラズマ電極と形成基板との対向面間の距離ｄと、の積ｐｄが７０００Ｐａ・ｍｍ≦ｐｄ＜８０００Ｐａ・ｍｍの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池モジュールの製造効率を改善する。
【解決手段】複数の帯状太陽電池が直列に接続された太陽電池モジュールの製造方法であって、２つの電極層に挟まれた発電層を有する薄膜太陽電池１００を巻出ロール１１から繰り出し供給する供給工程と、供給工程により供給された薄膜太陽電池１００を搬送方向と略平行に裁断し複数の帯状太陽電池２００を形成する裁断工程と、裁断工程により形成された複数の帯状太陽電池２００を搬送方向に対し所定の角度で傾斜させ、且つ複数の帯状太陽電池２００が直列に接続するように、第１の帯状太陽電池の第１の電極層の一部と隣接する第２の帯状太陽電池の第２の電極層の一部とを重ねつつ可撓性基板上に圧着し一体成形する圧着工程と、圧着工程により可撓性基板上に圧着した複数の帯状太陽電池の接続体を巻き取りロール４０に連続的に巻き取る巻き取り工程と、を有することを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池を構成する各層の剥離を抑制することができる薄膜太陽電池用の絶縁層付基板、およびこの絶縁層付基板を用いた薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明の絶縁層付基板は、絶縁層と少なくとも１つの金属基材とが積層された基板であって、絶縁層を構成する材料の線膨張係数が８ｐｐｍ／Ｋ以下であり、金属基材を構成する材料の線膨張係数が１７ｐｐｍ／Ｋ以上であり、絶縁層において金属基材と反対側の絶縁層の表面における線膨張係数が６〜１５ｐｐｍ／Ｋである。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の製造において、ｎ型ドーパントを光電変換層に深く拡散させる。
【解決手段】基板10上に、下部電極20と、化合物半導体層からなる光電変換層30と、化合物半導体層からなるバッファ層40と、透光性導電層60との積層構造を有する光電変換素子1の製造方法において、光電変換層30上にバッファ層40を形成するバッファ層形成工程前に、光電変換層30を表面に有する基板10を、４０℃以上１００℃未満の所定温度に調整された、少なくとも１種のＣｄ源と少なくとも１種のアルカリ剤とを含み、かつＳイオン源を含まない、Ｃｄイオン濃度が０．１Ｍ以上、ｐＨ９〜１３の水溶液92中に浸漬して、光電変換層30中にＣｄイオンを拡散させる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池等に用いられる、金属基材と、Ａｌ層と、Ａｌを陽極酸化してなる絶縁層とを有する基板であって、各層のクラックの発生や剥離を抑制することができ、良好な絶縁特性を維持および可撓性を維持できる基板、および、この基板を用いる半導体装置を提供する。
【解決手段】基材とＡｌ層との間に厚さが０．０１〜１０μｍの合金層が存在し、さらに、前記アルミニウム層の厚さが、１μｍ以上で、かつ、前記金属基材の厚さ以下であることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体系光電変換素子の製造方法において、ＣＢＤ法によるバッファ層成膜時のタイムロスを抑制して、低コストに光電変換素子を製造する。
【解決手段】基板１０上に、下部電極層２０と、光電変換半導体層３０と、バッファ層４０と、透光性導電層５０が順次積層された光電変換素子１の製造方法において、光電変換半導体層３０上に、所定の温度Ｔ_Ｌ（℃）の反応液Ｌを用いて化学浴析出法によりバッファ層４０を形成する工程と、化学浴析出法において、反応液Ｌに浸漬させる基板（１０，Ｂ）の温度Ｔ_Ｂ（℃）と反応液Ｌの温度Ｔ_Ｌ（℃）との差が、所定値ｔ（℃）以下となるように基板（１０，Ｂ）の温度Ｔ_Ｂを調整する工程とを有する。化学浴析出法の反応液Ｌの温度Ｔ_Ｌは７０℃以上である。 （もっと読む）

【課題】ＣＩＧＳ系光吸収層のバンド構造の制御性を向上させることができるＡｌを含むＣＩＧＳ系カルコパイライト型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、裏面電極、ＣＩＧＳ系化合物からなる光吸収層、バッファ層、窓層および上部電極が順次積層されたカルコパイライト型化合物半導体薄膜太陽電池であって、前記裏面電極よりも前記基板側にアルミニウム供給層を有し、かつ前記光吸収層の一部に前記アルミニウム供給層から供給されたアルミニウムがドーピングされていることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】バッファ層をドライプロセスを用いて成膜できると共に、効率の高い薄膜太陽電池、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、裏面電極３、光吸収層４、バッファ層５、透明電極６が順次積層された薄膜太陽電池１であって、バッファ層５が、ＺｎＯ_１−ＸＳ_Ｘ（ここで、０≦Ｘ≦１）により構成されていることを特徴とする。また、バッファ層５は、光吸収層４との間の電気的マッチングが取れるようにＸの値を決定されることを特徴とする。 （もっと読む）