【課題】 従来よりも発光波長が広い波長領域で均一に分布している量子ドット構造を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明では、量子ドット構造を以下の手順で製造する。
まず、基板１１を用意する。次に、基板１１上に、量子ドット１３を設ける。次に、量子ドット１３よりも低く、かつ表面拡散が抑制されるように基板１１上に薄膜１４を堆積する。
最後に、量子ドット１３のうち、薄膜１４から露出した部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】基板上に単結晶材料の層を成長させる方法を提供する。
【解決手段】第１単結晶材料から形成された露出領域を有する基板を、プロセスチャンバ中に配置する工程と、拡散制限ガスの存在下で、基板に向かって、第２材料の中性種のビームを供給し、プロセスチャンバ中の圧力を１×１０^−６ｔｏｒｒから１×１０^−４ｔｏｒｒの間にし、第２材料の中性種を露出領域上に吸着され、これにより第１単結晶材料の上にこれと接触して第２材料の単結晶層を成長させる工程とを含み、拡散制限ガスは、非反応性ガスからなる。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有するヘテロ界面の形成、ひいては高い選択性を持ったＩｎＰエッチストッパー層の形成を実現するエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシャル成長法によりＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層を形成する第１の工程と、ＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線の照射を停止し、第１のＶ族元素の供給量が第１の工程における供給量の１／１０以下となるまで成長を中断する第２の工程と、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第２のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層上に第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体層を形成する第３の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とする半導体量子ドット及び同形成方法を提供すること。
【解決手段】
本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。 （もっと読む）

【課題】低温、かつ少ない工程で、ナノドットを作製する方法、並びにこのナノドットを有する浮遊ゲートトランジスタ及びその作製方法の提供。
【解決手段】同軸型真空アーク蒸着源１を用いて、金属材料又は半導体材料から、絶縁層３４中に埋め込まれる、電荷を保持するためのナノドット３３を作製する。基板３１上に酸化物膜３２を形成する工程と、ナノドット３３を酸化物膜３２上に作製する工程と、ナノドット上に絶縁層３４を形成することでナノドットを埋め込むようにする工程と、絶縁層３４上に電極膜３５を形成する工程とを有し、かくして浮遊ゲートトランジスタが作製される。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子、受光素子アレイ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐｎ接合１５を受光層３に含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造の受光素子であって、受光層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素が、受光層内に選択拡散されて形成されており、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、（i）単結晶の基板を提供するステップと、（ii）上記基板上に、単結晶の酸化物の層をエピタキシャル成長するステップと、（iii）（ａ）単結晶の酸化物層の表面から不純物を除去するステップと、（ｂ）遅いエピタキシャル成長によって、半導体のサブ層を蒸着するステップと、を有するステップを用いて、サブ層を形成するステップと、（ｉｖ）そのように形成されたサブ層上に、エピタキシャル成長によって、単結晶の半導体層を形成するステップと、を備える固体の半導体構造を製造する方法に関する。本発明は、また、そのように得られた固体の半導体ヘテロ構造に関する。 （もっと読む）

第１半導体材料の結晶基板と、結晶基板の表面上に配置されるマスク（１１）とを含む半導体ヘテロ構造（１０）である。マスク（１１）は、９００ｎｍ以下の幅（ｗ）を有する複数の細長い開口部（１３，１４）を含む開口（１２）を有する。細長い開口部の少なくとも第１開口部（１３）は、複数の細長い開口部のうちの少なくとも１つの第２開口部（１４）に対して非平行に配向される。半導体ヘテロ構造（１０）は、開口（１２）を充填してマスクをカバーする第２半導体材料のオーバーグロース結晶層をさらに含む。かかる半導体ヘテロ構造の製造方法も提示される。
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【課題】ＭＢＥ法を用いてIII−Ｖ化合物半導体膜を堆積するためのＭＢＥ用エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】ＭＢＥ用エピタキシャル基板１１は、ＧａＡｓ、ＩｎＰといったIII−Ｖ化合物半導体単結晶ウエハ１３と、ＭＢＥ法を用いてIII−Ｖ化合物半導体膜を堆積するための表面１５ａを有するホモエピタキシャル膜１５とを含む。半導体単結晶ウエハ１３とホモエピタキシャル膜１５との界面１７における炭素濃度、酸素濃度、シリコン濃度は４×１０^１８個／ｃｍ^３未満、１×１０^１８個／ｃｍ^３未満、４×１０^１８個／ｃｍ^３未満である。III−Ｖ化合物半導体膜１７をＭＢＥ法で堆積するに先立って、半導体単結晶ウエハ１３の研磨面１３ａ上にホモエピタキシャル膜１５を形成すると、ウエハ主面のケミカルエッチング処理の有無に関するIII−Ｖ化合物半導体膜１７の光学特性の依存性が低減される。 （もっと読む）

【課題】ポートの数を増やすことなく，還元性ガスを分子線結晶成長装置の成長室内に導入することを可能にする分子線源を提供する。
【解決手段】本発明の分子線源は，結晶成長のための分子線を放出する分子線放出部と，前記分子線放出部に結合され，前記分子線を加熱して分解するクラッキングゾーンとを備え，前記分子線放出部と前記クラッキングゾーンの間に還元性ガスを導入するための還元性ガス導入部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

分子線エピタキシャル成長法によりＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層を形成する第１の工程と、前記ＩＩＩ族元素の分子線と前記第１のＶ族元素の分子線の照射を停止し、前記第１のＶ族元素の供給量が前記第１の工程における供給量の１／１０以下となるまで成長を中断する第２の工程と、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第２のＶ族元素の分子線とを照射して前記第１の化合物半導体層上に前記第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体層を形成する第３の工程と、を備えるようにした。
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