【課題】ｐ型伝導性のＮドープＺｎＯ系半導体膜の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体膜製造方法は、Ｚｎソースガン、Ｏラジカルガン、Ｎラジカルガン、Ｍｇソースガンを備え、Ｎラジカルガンが、ラジオ周波が印加されｐＢＮまたは石英を用いた無電極放電管を含む結晶製造装置により、ＮドープＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ膜を成長させる方法であって、基板法線方向から見て、膜の成長表面側上方に、Ｚｎソースガン、Ｏラジカルガン、Ｎラジカルガン、Ｍｇソースガンが円周方向に並んで配置されており、ＮラジカルガンとＺｎソースガンのビーム照射方向の方位角同士のなす角θ_ｃを９０°≦θ_ｃ≦２７０°とするとともに、ラジオ周波パワーを、無電極放電管からスパッタリングされたＢまたはＳｉが膜中に取り込まれない程度に低くする。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ複雑な三次元微細構造を基板の表面に形成可能な三次元微細加工方法を提供する。
【解決手段】第１工程では、真空中でIII−Ｖ族化合物半導体基板１の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板１の表面の自然酸化膜２を化学的に安定なIII族酸化物３に置換させ、改質マスク部３を周期的に形成する。第２工程では、真空中で前記基板１を昇温させることにより、前記改質マスク部３以外の部分の前記自然酸化膜２を脱離させて基板表面を露出させる。第３工程では、真空にＶ族原料を供給した環境下で前記基板１を所定温度で加熱することで、前記基板表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部３上をホッピングさせ、当該露出部分に窪み４を形成する。第４工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み４の部分にIII−Ｖ族化合物半導体結晶５を選択成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を選択的に成長させることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体微細柱状結晶の位置および形状を制御する。
【解決手段】微細柱状結晶の製造方法が、基板表面の所定領域に、金属窒化物または金属酸化物からなる表面を有する膜を形成する工程と、前記膜および前記基板表面の境界近傍であって、前記膜の周縁部と前記基板表面とが接する部分を含む領域を成長促進領域として、前記基板表面に成長原料を導き、少なくとも前記成長促進領域上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの向上を図ることができ、量産性に優れ、高性能でかつ高信頼性な半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１０は、ZnO（酸化亜鉛）単結晶基板１２と、ZnO単結晶基板１２上に成長させて形成される窒化物半導体層を含む素子３０と、ZnO単結晶基板１２の外面のうち、素子３０を形成する表面１２ａとは反対側の裏面１２ｂおよび両側面１２ｃ、１２ｃを覆う窒化物半導体からなる保護膜４０と、を備えている。ZnO単結晶基板１２の裏面１２ｂおよび両側面１２ｃ、１２ｃが窒化物半導体からなる保護膜４０で覆われているので、ZnO単結晶基板１２の表面１２ａ上に窒化物半導体層を成長させる際にZnOの昇華を抑制できる。V族原料としてアンモニアNH₃を用いて窒化物半導体層を成長させるMOCVD法を利用できる。
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【課題】スパッタリングされた材料内の軽い成分は、スパッタリングされた材料内の重い成分よりも高濃度に堆積される傾向がある。このことから、スパッタリングされた材料が均質に堆積されるスパッタ堆積装置および方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのスパッタターゲット２、第１のプラズマ３、基板ホルダー４、および追加プラズマ５を備えたスパッタ堆積装置を提案する。追加プラズマ５は、ＥＣＷＲプラズマであることが好ましい。別の形態によれば、追加プラズマ５と上記基板ホルダー４との間に、アノード６が備えられている。さらに別の形態によれば、基板ホルダー４は、厚さを変化させた誘電体層を有している。 （もっと読む）

【課題】 高品位の結晶性を有し、且つ精密にサイズ・位置制御がなされ、デバイスへの集積化の自由度の高められた、均質なβ-FeSi₂又はFeSi₂アモルファスドットアレイ構造体とその効率的な作製方法を提供する。
【解決手段】 β-FeSi₂結晶又はFeSi₂アモルファスをを含有するドットが基板表面に均質に設けられたFeSi₂ドットアレイ構造体。この構造体を、FeSi₂膜を有する透明板の膜面側に基板を対向させ、透明板側からパルスレーザー光を照射し、対向基板上にβ-FeSi₂結晶又はFeSi₂アモルファスを含有するドットを転写することにより作製する。 （もっと読む）

【課題】 可視光透過半導体膜の形成の際に、堆積中の膜に光放出装置からの光を照射しながら半導体膜を形成することにより、各種の可視光透過半導体膜を耐熱性の低い透明基板上に形成することを可能にした可視光透過半導体素子を提供することにある。
【解決手段】 透明基板8と、透明基板8への半導体の組成を含む材料の堆積中に光放出装置9bからの光を照射しながら形成される半導体膜とからなることを特徴とする可視光透過半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】 アモルファス状の低温バッファ層を形成することなく、直接窒化物半導体のａ軸とｃ軸の両方が揃った単結晶層を基板上に形成し、その単結晶層上に窒化物半導体層がエピタキシャル成長された窒化物半導体発光素子やトランジスタ素子などの窒化物半導体素子、およびその窒化物半導体単結晶層を直接成長する方法を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体が格子整合しない基板１上に窒化物半導体層３が成長される場合に、基板１上に、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）からなりａ軸およびc軸が整列した単結晶の緩衝層２が直接設けられ、その単結晶の緩衝層２上に窒化物半導体層３がエピタキシャル成長されている。この単結晶の緩衝層は、ＰＬＤ法を用いることにより形成することができる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素層等のイオン結合度が小さく共有結合性の強い材料からなる半導体層上に、欠陥密度が小さく良質な、ＧａＮ等のイオン結合性の大きな半導体層を形成する方法を提供する。
【解決手段】第１のイオン結合度を有する第１の半導体層１０２の表面に、第１のイオン結合度よりも大きな第２のイオン結合度を有する第２の半導体層１０３を形成する半導体層形成方法において、第２の半導体層１０３を形成する側に在る第１の半導体層１０２の表面に、真空中で電子を照射しながら、第２の半導体層１０３を形成する。第１の半導体層１０２は炭化珪素半導体から構成され、第２の半導体層１０３はＩＩＩ族窒化物半導体から構成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ＲＦ出力により発生したＸｅイオンをＳｉターゲットに衝突させ、当該ＳｉターゲットからＳｉパーティクルを発生させ、当該Ｓｉパーティクルを所定の基板上に堆積させる方法において、工程圧力を０．６７Ｐａ（５ｍＴｏｒｒ）以下、前記ＲＦ出力を２００Ｗ以上にするシリコン薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】珪素結晶基板上のＩＩＩ族窒化物半導体層を用いて半導体素子を構成するに際し、結晶性及び表面の平坦性に優れるＩＩＩ族窒化物半導体層から半導体素子を構成できるようにする。
【解決手段】珪素単結晶基板と、その基板の表面に設けた炭化珪素層と、その炭化珪素層に接して設けたＩＩＩ族窒化物半導体接合層と、そのＩＩＩ族窒化物半導体接合層上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる超格子構造層を備えた半導体素子において、炭化珪素層は立方晶で格子定数が０．４３６ｎｍを超え、０．４６０ｎｍ以下の、組成的に珪素を富裕に含む非化学量論的な組成の層とし、ＩＩＩ族窒化物半導体接合層は、組成がＡｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮ_１−αＭ_α（０≦Ｘ、Ｙ、Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１、０≦α＜１、Ｍは窒素以外の第Ｖ族元素である。）とする。 （もっと読む）

【課題】Ｇａを供給してＡｌＮ（窒化アルミニウム）を成長させることにより、ＡｌＮの貫通転位を少なくし、結晶性の良いＡｌＮを得る方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ層４の成長は、ＳｉＣ基板２の基板温度が８５０℃、Ｇａの供給量が、０〜１．４×１０^−４Ｐａ、Ａｌの供給量が４．５×１０^−５Ｐａ、Ｎの供給量が電力１８０ワットで、Ｎ_２の流量が０．１９ｓｃｃｍとされる。この条件において、ＡｌＮ層４は、５００ｎｍの厚さ成長させられる。ＡｌおよびＧａの供給には、クヌードセンセルを用いた金属ＡｌおよびＧａの昇華、Ｎの供給には、ＲＦプラズマ銃による窒素プラズマを用いた。また、Ｎ／Ａｌ比は、１よりわずかに小さい条件とした。なお、Ｇａの照射は、ＡｌＮ層４の最初の１０ｎｍのみであり、ＡｌＮ層４が１０ｎｍ成長した時点で、Ｇａの供給量はゼロとされる。ＡｌＮ層４が成長する間、ＡｌおよびＮの供給量は一定である。 （もっと読む）

【課題】 基板のクリーニング効果、および、結晶成長の高品質化を実現する。
【解決手段】 本発明の分子線エピタキシャル成長装置は、水素ラジカル発生装置１０および分子線セル２３が、それぞれ独立して設けられている。そして、水素ラジカル発生装置１０から水素ラジカルが、分子線セル２３から成膜材料の分子線または原子線が、それぞれ別々に、基板処理室２０に供給されるようになっている。さらに、水素ラジカルは光励起により発生させる。これにより、水素ラジカルを放出ガスの発生なしに効率的に発生させることができ、基板２１のクリーニング効果、および、成膜材料中の不純物を除去する効果を顕著に高めることができる。 （もっと読む）